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標(biāo)簽 > 功率器件

功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

不同功率器件在充電樁三相LLC拓?fù)渲械膽?yīng)用探討

近年來(lái)新能源汽車(chē)發(fā)展迅速,對(duì)充電樁也提出了高功率密度、大功率、高效率等要求?;谌郘LC變換器技術(shù)的30千瓦功率模塊單元性能更優(yōu),可以滿足現(xiàn)有的市場(chǎng)需...

2022-11-23 標(biāo)簽:功率器件LLC充電樁 4296 0

hip247和TO247封裝區(qū)別

HIP247和TO247是兩種常見(jiàn)的封裝類(lèi)型,用于電子元件,特別是功率器件的封裝。盡管它們?cè)诿Q上非常相似,但其實(shí)它們?cè)诔叽?、結(jié)構(gòu)、材料和應(yīng)用方面存在一...

2024-03-12 標(biāo)簽:封裝電子元件功率器件 4258 0

碳化硅功率模塊封裝及熱管理關(guān)鍵技術(shù)解析

碳化硅功率器件具有耐高壓、開(kāi)關(guān)速度快和導(dǎo)通損耗低等優(yōu)點(diǎn),因此正在逐漸成為電力變換系 統(tǒng)的核心器件,尤其在新能源汽車(chē)、可再生能源、儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心、軌道交通...

2023-11-08 標(biāo)簽:MOSFET功率器件功率模塊 4257 0

焊機(jī)IGBT炸管后怎樣維修

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極晶體管)是現(xiàn)代電力電子設(shè)備中常用的功率器件,廣泛應(yīng)用于焊機(jī)、變頻...

2024-08-07 標(biāo)簽:IGBT功率器件雙極晶體管 4224 0

碳化硅的優(yōu)勢(shì)和難處

碳化硅的優(yōu)勢(shì)和難處

 碳化硅(SiC)具有更低的阻抗和更寬的禁帶寬度,使其能夠承受更大的電流和電壓,同時(shí)實(shí)現(xiàn)更小尺寸的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和更高的效率。

2023-12-11 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 4200 0

MSP430程序升級(jí)方案

MSP430程序升級(jí)方案

  對(duì)MSP430系列單片機(jī)進(jìn)行編程的方式有以下3種:利用JTAG接口,利用BSL固件和利用用戶自定義的升級(jí)固件。由于利用自定義升級(jí)固件進(jìn)行程序升級(jí)的方...

2016-05-31 標(biāo)簽:單片機(jī)MSP430功率器件 4170 0

高速風(fēng)筒一站式解決方案

高速風(fēng)筒一站式解決方案

電吹風(fēng)是居家生活必備物品。傳統(tǒng)的吹風(fēng)機(jī)轉(zhuǎn)速通常在2萬(wàn)轉(zhuǎn)左右,干發(fā)速度較慢(中長(zhǎng)發(fā)常常超過(guò)10分鐘以上);利用高溫干發(fā),還容易損傷頭發(fā);噪聲比較大的同時(shí)重...

2023-09-19 標(biāo)簽:PWM電機(jī)emc 4165 0

什么是功率半導(dǎo)體?

什么是功率半導(dǎo)體?

功率半導(dǎo)體包括兩部分:功率器件和功率IC,功率器件是功率半導(dǎo)體分立器件的分支,而功率IC則是將功率半導(dǎo)體分立器件與各種功能的外圍電路集成而得來(lái)。

2023-02-06 標(biāo)簽:功率器件功率半導(dǎo)體功率IC 4163 0

T型三電平雙脈沖測(cè)試及拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

T型三電平雙脈沖測(cè)試及拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

雙脈沖測(cè)試系統(tǒng):該系統(tǒng)用于產(chǎn)生所需的雙脈沖信號(hào),以模擬實(shí)際工作中的開(kāi)關(guān)動(dòng)作。它能夠精確地控制脈沖的寬度、幅度和頻率,以滿足測(cè)試需求。

2024-03-11 標(biāo)簽:測(cè)試系統(tǒng)IGBT功率器件 4158 0

什么是SiC功率器件?它有哪些應(yīng)用?

SiC(碳化硅)功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導(dǎo)體器件,它是繼硅(Si)和氮化鎵(GaN)之后的第三代半導(dǎo)體材料的重要應(yīng)用之一。SiC以其優(yōu)異...

2024-09-10 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 4114 0

低頻紋波抑制的幾種常用的方法

紋波主要在五個(gè)方面:輸入低頻紋波、高頻紋波、寄生參數(shù)引起的共模紋波噪聲、功率器件開(kāi)關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的超高頻諧振噪聲和閉環(huán)調(diào)節(jié)控制引起的紋波噪聲。

2022-08-31 標(biāo)簽:功率器件紋波開(kāi)關(guān)變換電路 4100 0

晶閘管的工作過(guò)程是什么 晶閘管可控整流電路工作原理

當(dāng)晶閘管的門(mén)極接收到足夠的正向觸發(fā)脈沖時(shí),晶閘管會(huì)從堵塞狀態(tài)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。此時(shí),晶閘管的陽(yáng)極和陰極之間會(huì)形成一個(gè)低阻抗通路,允許電流流經(jīng)晶閘管。

2023-07-11 標(biāo)簽:晶閘管整流電路功率器件 4094 0

從晶體到系統(tǒng)之路:關(guān)于碳化硅的關(guān)鍵的襯底和外延epi分析

由于襯底和外延和芯片的技術(shù)發(fā)展相關(guān)性不是特別大,所以我單獨(dú)把這兩個(gè)流程拿出來(lái)和大家分享,接下來(lái)的芯片技術(shù)發(fā)展比如MOSFET的平面結(jié)構(gòu)或者溝槽結(jié)構(gòu)都是直...

2023-02-02 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 4067 0

功率器件igbt工藝流程圖解

功率器件igbt工藝流程圖解

功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫(xiě)。當(dāng)然功率半導(dǎo)體元件除了IGBT之外,還有MOSFET、BIP...

2023-09-07 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件 4065 0

碳化硅離子注入和退火工藝介紹

碳化硅離子注入和退火工藝介紹

統(tǒng)的硅功率器件工藝中,高溫?cái)U(kuò)散和離子注入是最主要的摻雜控制方法,兩者各有優(yōu)缺點(diǎn)。一般來(lái)說(shuō),高溫?cái)U(kuò)散工藝簡(jiǎn)單,設(shè)備便宜,摻雜分布輪廓為等向性,且高溫?cái)U(kuò)散工...

2023-12-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 4060 0

貼片電源模塊sF6773參數(shù)及代換

貼片電源模塊是一種常見(jiàn)的電源模塊,它通常用于電子設(shè)備中提供穩(wěn)定的電力供應(yīng)。在這篇文章中,我們將介紹sF6773貼片電源模塊的參數(shù)、功能以及代換方法。讓我...

2024-01-04 標(biāo)簽:貼片電子設(shè)備電源模塊 4027 0

嵌入式設(shè)計(jì)入門(mén):三極管基礎(chǔ)電路設(shè)計(jì)

嵌入式設(shè)計(jì)入門(mén):三極管基礎(chǔ)電路設(shè)計(jì)

在嵌入式電路中,三極管一般作為開(kāi)關(guān)器件和功率器件使用,下面就從這兩個(gè)方面講解嵌入式中三極管基礎(chǔ)電路的設(shè)計(jì)。

2016-04-15 標(biāo)簽:三極管嵌入式功率器件 4023 0

碳化硅的性能和應(yīng)用場(chǎng)景

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和...

2023-08-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 4019 0

輪轂電機(jī)的原理與結(jié)構(gòu) 輪轂電機(jī)的優(yōu)缺點(diǎn)

輪轂電機(jī)即是在車(chē)輪內(nèi)裝電機(jī),它的最大特點(diǎn)就是將動(dòng)力、傳動(dòng)和制動(dòng)裝置都整合到輪轂內(nèi),因此將電動(dòng)車(chē)輛的機(jī)械部分大大簡(jiǎn)化。

2023-07-24 標(biāo)簽:電機(jī)功率器件輪轂電機(jī) 3952 0

功率ic和功率半導(dǎo)體有什么區(qū)別

功率IC通常是一種高度集成的器件,可以實(shí)現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換和控制的多種功能,如DC/DC變換器、AC/DC變換器、照明驅(qū)動(dòng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等。功率IC通常包括功率開(kāi)關(guān)...

2023-02-18 標(biāo)簽:IC功率器件功率IC 3935 0

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