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標簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導體器件基礎。
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AMB(活性金屬釬焊)工藝技術是DBC(直接覆銅)工藝技術的進一步發(fā)展。AMB陶瓷基板利用含少量活性元素的活性金屬焊料實現(xiàn)銅箔與陶瓷基片間的焊接。
半導體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代。傳統(tǒng)硅基半導體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律,逐漸不適應于半導體行業(yè)的發(fā)展需求,砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半...
SimpleFOC之多路PWM驅動,相電流監(jiān)測1
開關元器件的和嚴格意義并不是相同的。IGBT,MOS并不是理想開關器件,其開通時間和關斷時間不是嚴格一致的,如果兩端有電壓,將導致直流電源短路,損壞橋臂...
氮化鎵功率器件具有較低的導通阻抗和較高的開關速度,使其適用于高功率和高頻率應用,如電源轉換、無線通信、雷達和太陽能逆變器等領域。由于其優(yōu)異的性能,氮化鎵...
金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)正經(jīng)歷重大改變。業(yè)界采取兩種截然不同的方法來達到更高效能,首先是經(jīng)由改善硅材料和制程技術,以克服現(xiàn)有產(chǎn)品的...
固態(tài)RF功率器件可以實現(xiàn)烹飪產(chǎn)品的功率調(diào)節(jié)和高能效。這需要設計師對尺寸、成本和性能作綜合考慮。本次會議將介紹恩智浦推出的一款可擴展功率模塊,它可快速的集...
開關電源一直是電子行業(yè)里非常熱門的技術,而它的發(fā)展趨勢又是大家必須時刻關注的問題,不然一不留神就會跟不上技術發(fā)展的步伐。電子元件技術做了項開關電源技術發(fā)...
控制器溫升快可能是控制器本身消耗的電流增加,一般消耗電流在30~40mA,或者是MOS管工作有問題;電動機無力可能是控制器檢測過流的康銅絲焊接不良,導致...
目前IGBT 的電流/電壓等級已達1800A/1200V,關斷時間已經(jīng)縮短到40ns,工作頻率可達40kHz,擎住現(xiàn)象得到改善,安全工作區(qū)(SOA)擴大...
近年來,半導體技術發(fā)展迅速,集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴大。5G 時代的到來,對射頻器件所用半導體材料提出了新要求。氮化鎵(GaN)由于其大禁帶寬度和高飽和電...
碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數(shù)等特點,因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是...
碳化硅(SiC)材料是功率半導體行業(yè)主要進步發(fā)展方向,用于制作功率器件,可顯著提高電能利用率。
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