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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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電路可靠性設(shè)計(jì)之降額參數(shù)及降額因子
1級(jí)降額,最大的降額,適用于: a.失效將導(dǎo)致人員傷亡或設(shè)備及保護(hù)措施的嚴(yán)重破壞; b.高可靠性要求的設(shè)備卻采用了新技術(shù)新工藝; c.設(shè)備失效不能維修;...
2023-10-12 標(biāo)簽:集成電路電阻運(yùn)算放大器 4919 0
隨著科技的不斷發(fā)展,功率分立器件封裝技術(shù)也在持續(xù)進(jìn)步。為了提高功率密度和優(yōu)化電源轉(zhuǎn)化效率,封測(cè)企業(yè)正在為新產(chǎn)品研發(fā)更先進(jìn)的封裝工藝、封裝技術(shù)及封裝外形等...
2023-10-13 標(biāo)簽:MOSFET散熱器驅(qū)動(dòng)電路 4846 0
近年來(lái),電動(dòng)汽車、高鐵和航空航天領(lǐng)域不斷發(fā)展,對(duì)功率器件/模塊在高頻、高溫和高壓下工作的需求不斷增加。傳統(tǒng)的 Si 基功率器件/模塊達(dá)到其自身的材料性能...
MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是電子工...
2024-10-06 標(biāo)簽:MOSFET電壓場(chǎng)效應(yīng)晶體管 4779 0
一文解析SiC MOSFET短路特性及技術(shù)優(yōu)化
電流互感器也是一種較為常見的電流檢測(cè)方法, 使用時(shí)使流過負(fù)載電流的導(dǎo)線或走線穿過電流互感器, 進(jìn)而在電流互感器輸出端輸出與負(fù)載電流成一定比例的感應(yīng)電流。
IGBT模塊的結(jié)構(gòu)構(gòu)成示意圖分析
IGBT模塊是由不同的材料層構(gòu)成,如金屬、陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內(nèi)部用來(lái)改善器件相關(guān)熱性能的硅膠。它們的熱膨脹系數(shù)以及熱導(dǎo)率存在很大的差異,...
多年來(lái),工程師和研究人員一直致力于尋找提高功率密度的方法。這是一項(xiàng)艱巨的任務(wù)。大多數(shù)公司將研究重點(diǎn)集中在減小用于能量轉(zhuǎn)換的無(wú)源組件的尺寸上。
2020-08-25 標(biāo)簽:電感器ti反激式轉(zhuǎn)換器 4673 0
對(duì)于溫度傳感器的快速升溫和降溫,要避免超過傳感器的額定溫度范圍,以免損壞傳感器或影響測(cè)量的準(zhǔn)確性。此外,在選擇和應(yīng)用這些方法時(shí),應(yīng)根據(jù)具體傳感器的規(guī)格和...
SiC MOSFET的溫度特性及結(jié)溫評(píng)估研究進(jìn)展
與 Si 器件相比, SiC 器件具有更加優(yōu)異的電氣性能, 新特性給其結(jié)溫評(píng)估帶來(lái)了新挑 戰(zhàn), 許多適用于 Si 器件的結(jié)溫評(píng)估方法可能不再適用于 Si...
功率IC是一種重要的電子器件,它具有高效、集成度高、穩(wěn)定性好、靈活性強(qiáng)、適應(yīng)范圍廣等特點(diǎn)。 MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種三端半...
碳化硅功率器件在航天電子產(chǎn)品中的應(yīng)用領(lǐng)域
在航天電子產(chǎn)品中,電子設(shè)備的功耗、體積和重量比地面設(shè)備更加重要,有時(shí)甚至是衡量該產(chǎn)品的主要指標(biāo)。
功率芯片通過封裝實(shí)現(xiàn)與外部電路的連接,其性能的發(fā)揮則依賴著封裝的支持,在大功率場(chǎng)合下通常功率芯片會(huì)被封裝為功率模塊進(jìn)行使用。芯片互連(interconn...
驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)時(shí)需要選取合適的驅(qū)動(dòng)電流,太小驅(qū)動(dòng)能力不足,增加功率器件損耗,太大可能引起開通振蕩。
2022-05-01 標(biāo)簽:IGBT功率器件驅(qū)動(dòng)電流 4527 0
SiC器件的封裝襯底必須便于處理固態(tài)銅厚膜導(dǎo)電層,且具有高熱導(dǎo)率和低熱膨脹系數(shù),從而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到襯底上。SiN是一種極具吸引力的襯底...
GaN材料由于其所具有的優(yōu)良光電性能,而成為固態(tài)照明、數(shù)字處理、光電器件、功率器件等半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。金屬與半導(dǎo)體接觸可以形成肖特基接觸,...
開關(guān)電源內(nèi)部主要損耗要提高開關(guān)電源的效率,就必須分辨和粗略估算各種損耗。開關(guān)電源內(nèi)部的損耗大致可分為四個(gè)方面:開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗、附加損耗和電阻損耗。這...
2022-03-21 標(biāo)簽:開關(guān)電源功率器件集電極 4463 0
BCD 工藝制程技術(shù)只適合某些對(duì)功率器件尤其是BJT 或大電流 DMOS 器件要求比較高的IC產(chǎn)品。BCD 工藝制程技術(shù)的工藝步驟中包含大量工藝是為了改...
功率器件在工業(yè)和汽車系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中起著決定性的作用。為了滿足這些應(yīng)用的特定要求并縮短上市時(shí)間,ROHM使用專有的微制造工藝來(lái)開發(fā)無(wú)核片上變壓器,以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健...
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