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功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

驅(qū)動(dòng)電路中的誤開通及應(yīng)對方法

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功率器件如 MOSFET、IGBT 可以看作是一個(gè)受門極電壓控制的開關(guān)。當(dāng)門極電壓大于開通閾值時(shí),功率器件就會(huì)被開通;而當(dāng)門極電壓低于開通閾值時(shí),功率器...

2022-11-29 標(biāo)簽:MOSFET負(fù)電壓驅(qū)動(dòng)電路 9343 0

什么是半導(dǎo)體?功率半導(dǎo)體器件的分類 功率MOS器件結(jié)構(gòu)及工作原理

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電子電力器件又稱為功率半導(dǎo)體器件,在世界上已經(jīng)得到了極為廣泛的運(yùn)用,主要是作為開關(guān)和放大器來使用。它出現(xiàn)在社會(huì)生活中的各個(gè)方面,如醫(yī)療、教育、能源、環(huán)境...

2023-11-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體MOS功率器件 9279 0

一個(gè)用開關(guān)調(diào)節(jié)方式控制電能的方案設(shè)計(jì)

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準(zhǔn)諧振變換器出現(xiàn)在上世紀(jì)80年代中期,包括零電流開關(guān)準(zhǔn)諧振(ZCS QRC) 和零電壓開關(guān)準(zhǔn)諧振(ZVS QRC) 。這兩種電路雖然使主開關(guān)管在零電壓或...

2017-11-03 標(biāo)簽:場效應(yīng)管變換器功率器件 9140 0

氮化鎵技術(shù)的優(yōu)勢及工作原理

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  氮化鎵是一種無機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙的半導(dǎo)體。

2023-02-03 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 9086 0

高速功率器件的dv/dt和di/dt到底有多大?

首先,讓我們先來看一下SiC MOSFET開關(guān)暫態(tài)的幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù),圖片來源于Cree官網(wǎng)SiC MOS功率模塊的datasheet。開通暫態(tài)的幾個(gè)關(guān)鍵參...

2022-04-27 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體器件 8950 0

電子假負(fù)載電路原理

電子假負(fù)載電路原理

電子假負(fù)載的功率器件,一般選用所需控制功率小的場效應(yīng)管和IGBT管、選用時(shí)一定要有超過滿載時(shí)的功率余量,避免使用中燒毀;電子假負(fù)載工作時(shí)產(chǎn)生大量的熱量,...

2019-10-22 標(biāo)簽:假負(fù)載功率器件 8878 0

如何正確理解功率器件的FoM?

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在電源應(yīng)用中,哪怕已經(jīng)確定拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、頻率和負(fù)載范圍等需求,工程師短時(shí)間內(nèi)也很難判斷哪一種開關(guān)技術(shù)最好……“品質(zhì)因數(shù)”(Figure of Merit, ...

2023-11-28 標(biāo)簽:MOSFETFOM功率器件 8735 0

如何正確應(yīng)用合適的功率器件以滿足工業(yè)電源要求

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本文介紹了適用于工業(yè)電源應(yīng)用的各種電源轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),以及設(shè)計(jì)人員在選擇拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)及其相關(guān)組件之前必須考慮的因素。在此過程中,它介紹了 ROHM 半導(dǎo)體的...

2022-07-26 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 8686 0

功率器件介紹、市場概況、產(chǎn)業(yè)鏈分析,您想了解的都在這里了

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變流器把直流電轉(zhuǎn)換成交流電。變流器幾乎使用在所有的電力和電子產(chǎn)品中, 如供電電路中的電壓波動(dòng)整形、產(chǎn)生變頻輸出功率來控制電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)速度,后者 在變頻空調(diào)、...

2023-11-30 標(biāo)簽:IGBT功率器件產(chǎn)業(yè)鏈 8593 0

NV612X GaNFast? 功率半導(dǎo)體器件的熱處理

介紹 最新的納微GaNFast 電源集成電路NV6123/25/27,集成在6mmx8mm的QFN封裝內(nèi)。這個(gè)封裝增加了一個(gè)大的冷卻片,用于降低封裝的熱...

2020-03-31 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵GaN 8532 1

碳化硅的工作原理、優(yōu)點(diǎn)及主要用途

  碳化硅,是一種無機(jī)物,化學(xué)式為SiC,碳化硅(SiC)由碳(C)原子和硅(Si)原子組成,密度是3.2g/cm3,天然碳化硅非常罕見,主要通過人工合...

2023-02-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 8510 0

什么是IEGT呢?這得從上個(gè)世紀(jì)末說起

屈興國告訴半導(dǎo)體行業(yè)觀察記者,東芝IEGT單管目前可以實(shí)現(xiàn)4.5KV和3KA的功率,再加上簡易的串聯(lián)實(shí)施,這些產(chǎn)品完美匹配中國柔性直流輸電、直流電網(wǎng)發(fā)展...

2018-07-11 標(biāo)簽:東芝IGBT功率器件 8368 0

外延層的摻雜濃度對SiC功率器件的重要性

控制外延層的摻雜類型和濃度對 SiC 功率器件的性能至關(guān)重要,它直接決定了后續(xù)器件的比導(dǎo)通電阻,阻斷電壓等重要的電學(xué)參數(shù)。

2022-04-11 標(biāo)簽:工藝功率器件SiC 8345 0

簡單認(rèn)識(shí)二極管和三極管

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二極管:將PN結(jié)用外殼封裝起來,并加上電極引線就構(gòu)成了半導(dǎo)體二極管(P區(qū)引出的電極為陽極,N區(qū)引出的極為陰極)。

2023-11-06 標(biāo)簽:三極管二極管PN結(jié) 8274 0

三相三電平VIENNA PFC電路的控制方式

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三相三電平VIENNA PFC電路需要做到三個(gè)方面的控制。

2023-03-23 標(biāo)簽:PFC功率器件PFC電路 8225 0

SiC如何實(shí)現(xiàn)比硅更好的熱管理?SiC在電子領(lǐng)域有哪些應(yīng)用?

碳化硅(SiC)是由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)系列材料。它的物理鍵非常牢固,使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械,化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬...

2021-03-18 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 8218 0

溝槽型SiC MOSFET工藝流程及SiC離子注入

在提高 SiC 功率器件性能方面發(fā)揮重要作用的最重要步驟之一是器件制造工藝流程。SiC功率器件在用作n溝道而不是p溝道時(shí)往往表現(xiàn)出更好的性能;為了獲得更...

2022-10-27 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 8002 0

開關(guān)電源技術(shù)發(fā)展歷程的十個(gè)關(guān)注點(diǎn)

 上世紀(jì)60年代,開關(guān)電源的問世,使其逐步取代了線性穩(wěn)壓電源和SCR相控電源。40多年來,開關(guān)電源技術(shù)有了飛迅發(fā)展和變化,經(jīng)歷了功率半導(dǎo)體器件、高頻化和...

2014-09-28 標(biāo)簽:開關(guān)電源電磁兼容性功率器件 7994 0

什么叫鋁基板 鋁基板制作的工藝流程是什么

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功率器件表面貼裝在電路層,器件運(yùn)行時(shí)所產(chǎn)生的熱量通過絕緣層快速傳導(dǎo)到金屬基層,然后由金屬基層將熱量傳遞出去,從而實(shí)現(xiàn)對器件的散熱(請見圖2)。

2023-08-02 標(biāo)簽:pcb功率器件印制線路板 7947 0

功率器件和分立器件的區(qū)別

功率器件是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,主要包含二極管、晶閘管、MOSFET和IGBT等; 其中低頻的二極管、晶閘管主要用于整流,比如晶閘管主要用...

2023-02-07 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件 7858 0

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    工業(yè)4.0是由德國政府《德國2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助,投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平,建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠,在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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    Nvidia 是全球圖形技術(shù)和數(shù)字媒體處理器行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商,NVIDIA的總部設(shè)在美國加利福尼亞州的圣克拉拉市,在20多個(gè)國家和地區(qū)擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進(jìn)的專業(yè)技術(shù),在并行處理方面實(shí)現(xiàn)了諸多突破。公司創(chuàng)立于1993年1月,總部位于美國加利福尼亞州圣克拉拉市。
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    麒麟960(kirin 960)是海思半導(dǎo)體有限公司推出的新一代移動(dòng)設(shè)備芯片,麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心,小核心為A53,組成四大四小的big.LITTLE組合,GPU為Mali G71 MP8。
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    ARM公司是一家知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)供應(yīng)商,它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片,而是通過轉(zhuǎn)讓設(shè)計(jì)方案,由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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    MMU是中文名是內(nèi)存管理單元,有時(shí)稱作分頁內(nèi)存管理單元,它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器(CPU)的內(nèi)存訪問請求的計(jì)算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換(即虛擬內(nèi)存管理)、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制,在較為簡單的計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中,負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲(chǔ)體切換。
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    OMAP-L138是美國德州儀器(TI)推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器 ,這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點(diǎn)數(shù)字信號處理器 (DSP) + ARM9處理器,大大降低了雙核通訊的開發(fā)難度,可充分滿足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計(jì)對高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長電池使用壽命的需求。
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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語音識(shí)別 萬用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門狗
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