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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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我們知道功率器件是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心,它利用半導(dǎo)體單向?qū)щ姷奶匦?,改變電子裝置中電壓、頻率、相位和直流交流轉(zhuǎn)換等功能。根據(jù)可控性和其他使...
三極管有三個工作狀態(tài);截止、放大、飽和;放大狀態(tài)很有學(xué)問也很復(fù)雜,多用于集成芯片,比如運放,現(xiàn)在不討論;其實對信號的放大我們通常用運放處理。三極管更多的...
在工業(yè)應(yīng)用中,AC/DC 電源轉(zhuǎn)換(也稱為“離線式”電源轉(zhuǎn)換)與消費類和大眾市場設(shè)計迥然不同。通常,工業(yè)應(yīng)用的電壓、電流和功率水平相對更高,對熱應(yīng)力和電...
2022-06-23 標(biāo)簽:電源轉(zhuǎn)換器功率器件工業(yè)電源 1.2萬 0
晶閘管又叫。晶閘管是可以處理耐高壓、大電流的,隨著設(shè)計技術(shù)和制造技術(shù)的進步,越來越大容量化。到現(xiàn)在為止,,已經(jīng)衍生出了單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管...
氮化鎵(GaN)功率器件在幾個關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅(Si)具有優(yōu)勢。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場,能實現(xiàn)更薄的漂移層,同時在較高的擊穿電...
雖然GaN在功率器件領(lǐng)域有很大的潛力,但目前仍存在一些技術(shù)和經(jīng)濟上的挑戰(zhàn),使得它在電腦電源領(lǐng)域的應(yīng)用受到限制。其中一個主要因素是成本。目前,GaN的制造...
上述公式是穩(wěn)態(tài)工作時,功率器件上的電壓、電流應(yīng)力。選擇功率器件時,其電壓耐量可放一個合適的余量(保證最壞情況下的電壓峰值不超過此值),電流耐量則得按器件...
2018-12-24 標(biāo)簽:開關(guān)電源變換器功率器件 1.2萬 2
功率 IC (Power IC)是一種專門用于處理功率信號的集成電路。與傳統(tǒng)的模擬電路和數(shù)字電路相比,功率 IC 具有更高的集成度、更小的體積、更高的性...
化學(xué)氣相沉積法碳化硅外延設(shè)備技術(shù)進展
碳化硅(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料,近20 年來隨著外延設(shè)備和工藝技術(shù)水平不斷 提升,外延膜生長速率和品質(zhì)逐步提高,碳化硅在...
SiC器件中SiC材料的物性和特征,功率器件的特征,SiC MOSFET特征概述
SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導(dǎo)率是Si的3倍,所以被認為是...
利用現(xiàn)有設(shè)計專知,強化功率模塊在汽車領(lǐng)域應(yīng)用
整合不僅有助于節(jié)省空間,而且還可以幫助降低成本,提高可靠性,加快新產(chǎn)品的上市進程。有利的是,在家電行業(yè)中獲得的現(xiàn)有的電機驅(qū)動設(shè)計經(jīng)驗,可以幫助滿足這些要求。
氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點 氮化鎵功率器件的可靠性分析
氮化鎵功率器件是一種用于控制電子設(shè)備功率的器件,它可以提供高效率、低噪聲和高穩(wěn)定性的功率控制。它們可以用于控制電源、電池充電器、電源管理系統(tǒng)、電源調(diào)節(jié)器...
為什么砷化鎵是半導(dǎo)體材料 砷化鎵晶體的結(jié)構(gòu)特點
砷化鎵是一種半導(dǎo)體材料。它具有優(yōu)異的電子輸運性能和能帶結(jié)構(gòu),常用于制造半導(dǎo)體器件,如光電器件和功率器件等。砷化鎵的禁帶寬度較小,使得它在電子和光學(xué)應(yīng)用中...
各種SiC功率器件的研究和開發(fā)進入迅速發(fā)展時期
SiC的禁帶寬度3.23ev,相應(yīng)的本征溫度可高達800攝氏度。如果能夠突破材料及封裝的溫度瓶頸,則功率器件的工作溫度將會提升到一個全新的高度。SiC材...
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