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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測(cè)試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1827個(gè) 瀏覽：92448次 帖子：50個(gè)

      功率器件技術(shù)

      下一代高頻高功率電子器件——金剛石半導(dǎo)體

      下一代高頻高功率電子器件——金剛石半導(dǎo)體

      金剛石是一種“終極材料”，在硬度、聲速、熱導(dǎo)率、楊氏模量等方面具有所有材料中最好的物理性能；其他性能包括從紫外線到紅外線的寬波長(zhǎng)光譜的透射率、熱穩(wěn)定性和...

      2023-05-23 標(biāo)簽：功率器件金剛石 2658 0

      功率二極管有哪些類(lèi)型

      功率二極管是一種特殊的二極管，它們的主要特點(diǎn)是可以承受較大的電流和功率。根據(jù)不同的用途和規(guī)格要求，功率二極管有多種類(lèi)型，以下是其中一些常見(jiàn)的類(lèi)型： 普通...

      2023-02-18 標(biāo)簽：二極管功率二極管功率器件 2646 0

      淺談降低MOSFET損耗和及EMI性能提高

      MOSFET作為主要的開(kāi)關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是...

      2023-04-18 標(biāo)簽：MOSFETemi功率器件 2633 0

      功率轉(zhuǎn)換器中CoolSiC?MOSFET技術(shù)解析

      功率轉(zhuǎn)換器中CoolSiC?MOSFET技術(shù)解析

      功率轉(zhuǎn)換器中越來(lái)越多地使用碳化硅（SiC）晶體管，這對(duì)尺寸，重量和/或效率提出了很高的要求。與雙極IGBT器件相反，SiC出色的材料性能使它可以設(shè)計(jì)快速...

      2021-05-20 標(biāo)簽：MOSFET晶體管功率器件 2624 0

      GaN電源系統(tǒng)性能升級(jí)的奧秘

      GaN電源系統(tǒng)性能升級(jí)的奧秘

      如今，以GaN和SiC為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)風(fēng)頭正勁。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料相比，GaN和SiC禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、電子遷移率高、熱導(dǎo)電率大、介電...

      2022-02-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件GaN 2623 0

      屏蔽柵MOSFET技術(shù)簡(jiǎn)介

      屏蔽柵MOSFET技術(shù)簡(jiǎn)介

      繼上一篇超級(jí)結(jié)MOSFET技術(shù)簡(jiǎn)介后，我們這次介紹下屏蔽柵MOSFET。

      2024-12-27 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體晶體管 2615 0

      雙脈沖測(cè)試平臺(tái)架構(gòu)可解決客戶在功率器件常見(jiàn)的問(wèn)題

      雙脈沖測(cè)試是表征功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段，適用于各類(lèi)功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。

      2022-10-12 標(biāo)簽：功率器件電流探頭脈沖測(cè)試 2602 0

      功率半導(dǎo)體的工作原理是什么

      功率半導(dǎo)體是一類(lèi)能夠控制和調(diào)節(jié)大電流和高電壓的半導(dǎo)體器件。它可以將小信號(hào)控制電流或電壓轉(zhuǎn)換成大信號(hào)輸出，廣泛應(yīng)用于電力電子、工業(yè)自動(dòng)化、交通運(yùn)輸、新能源...

      2023-02-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件功率半導(dǎo)體 2592 0

      常見(jiàn)的幾種功率半導(dǎo)體器件介紹

      半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。

      2023-11-02 標(biāo)簽：MOSFET晶閘管IGBT 2577 0

      GaN和SiC基功率半導(dǎo)體的寬帶隙技術(shù)

      GaN和SiC基功率半導(dǎo)體的寬帶隙技術(shù)

      尋找硅替代物的研究始于上個(gè)世紀(jì)的最后二十年，當(dāng)時(shí)研究人員和大學(xué)已經(jīng)對(duì)幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗(yàn)，這些材料顯示出替代射頻，發(fā)光，傳感器和功率半導(dǎo)體的現(xiàn)有硅材...

      2021-04-01 標(biāo)簽：二極管功率器件GaN 2564 0

      SiC JFET和SiC MOSFET短路事件的故障模型

      SiC JFET和SiC MOSFET短路事件的故障模型

      碳化硅功率器件已成為一種很有前途的技術(shù)，人們對(duì)降低能耗和在高開(kāi)關(guān)頻率應(yīng)用下運(yùn)行的興趣日益濃厚。碳化硅還可以維持較高的工作溫度，使其成為工業(yè)環(huán)境的合適候選...

      2022-07-29 標(biāo)簽：MOSFETJFET功率器件 2563 0

      功率半導(dǎo)體的功能有哪些

      功率半導(dǎo)體是指用于高電壓、高電流應(yīng)用的半導(dǎo)體器件，其功能包括但不限于以下幾個(gè)方面： 開(kāi)關(guān)控制：功率半導(dǎo)體器件常常用于開(kāi)關(guān)控制電路中，通過(guò)控制其導(dǎo)通和截止...

      2023-02-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件功率半導(dǎo)體 2558 0

      SiC功率模塊的液冷散熱設(shè)計(jì)與節(jié)能分析

      SiC功率模塊的液冷散熱設(shè)計(jì)與節(jié)能分析

      為綜合評(píng)估SiC功率模塊的液冷冷板散熱效果，設(shè)計(jì)了串聯(lián)、并聯(lián)與串并聯(lián)三種冷板流道結(jié)構(gòu)， 從器件溫升、系統(tǒng)能效、散熱性能三個(gè)方面共計(jì)10項(xiàng)指標(biāo)評(píng)估了冷板性...

      2024-01-04 標(biāo)簽：MOSFET功率器件SiC 2555 0

      硅終端金剛石半導(dǎo)體與場(chǎng)效應(yīng)管器件研究進(jìn)展

      硅終端金剛石半導(dǎo)體與場(chǎng)效應(yīng)管器件研究進(jìn)展

      金剛石作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，近年來(lái)成為大家關(guān)注的熱點(diǎn)。盡管在材料制備、器件研制與性能方面取得了一定進(jìn)展，但半導(dǎo)體摻雜技術(shù)至今沒(méi)有很好解決。氫終端...

      2023-08-17 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 2548 0

      簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)功率器件

      功率器件 (Power Devices) 通常也稱(chēng)為電力電子器件，是專(zhuān)門(mén)用來(lái)進(jìn)行功率處理的半導(dǎo)體器件。功率器件具有承受高電壓、通過(guò)大電流的能力，處理電壓...

      2024-01-09 標(biāo)簽：二極管晶體管功率器件 2519 0

      中山大學(xué)王鋼教授團(tuán)隊(duì)在NiO/β-Ga?O?異質(zhì)結(jié)在功率器件領(lǐng)域的研究進(jìn)展

      中山大學(xué)王鋼教授團(tuán)隊(duì)在NiO/β-Ga?O?異質(zhì)結(jié)在功率器件領(lǐng)域的研究進(jìn)展

      該綜述總結(jié)了NiO/β-Ga2O3異質(zhì)結(jié)在功率器件領(lǐng)域的發(fā)展現(xiàn)狀，為之后設(shè)計(jì)高性能的NiO/β-Ga2O3異質(zhì)結(jié)器件提供了參考，對(duì)β-Ga2O3雙極型器...

      2023-06-30 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體材料氧化鎵 2501 0

      東科四款合封氮化鎵快充芯片量產(chǎn)，多款應(yīng)用案例剖析

      在氮化鎵快充市場(chǎng)不斷拓展的過(guò)程中，電源技術(shù)水平也在不斷提升，起初的氮化鎵快充電源一般需要采用控制器+驅(qū)動(dòng)+氮化鎵功率器件組合設(shè)計(jì)，不僅電路布局較為復(fù)雜，...

      2023-02-07 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵快充芯片 2488 0

      半導(dǎo)體功率器件技術(shù)的整體演進(jìn)情況

      從發(fā)展歷程來(lái)看，20世紀(jì)50年代，功率二極管、功率三極管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng)；20世紀(jì)60至70年代，晶閘管等半導(dǎo)體功率器件快速發(fā)展

      2023-03-16 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體IGBT 2486 0

      氮化鎵功率器件分類(lèi) 氮化鎵充電器為什么充電快

      　氮化鎵功率器件可以分為三類(lèi)：MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）、IGBT（晶閘管）和JFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）。

      2023-02-19 標(biāo)簽：晶閘管IGBT功率器件 2482 0

      車(chē)用電控設(shè)備（50w）散熱器的設(shè)計(jì)與測(cè)試

      車(chē)用電控設(shè)備（50w）散熱器的設(shè)計(jì)與測(cè)試

      在汽車(chē)電控設(shè)備設(shè)計(jì)中，電子器件是設(shè)備中的關(guān)鍵器件，電子器件散熱設(shè)計(jì)的好壞直接影響整個(gè)系統(tǒng)的可靠性。文章介紹了一種車(chē)用電控設(shè)備中50w散熱器的設(shè)計(jì)，并從使...

      2013-06-14 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)PCB散熱器 2468 0

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        工業(yè)4.0是由德國(guó)政府《德國(guó)2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來(lái)項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國(guó)聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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        　Windows Embedded Compact（即 Windows CE）是微軟公司嵌入式、移動(dòng)計(jì)算平臺(tái)的基礎(chǔ)，它是一個(gè)開(kāi)放的、可升級(jí)的32位嵌入式操作系統(tǒng)，是基于掌上型電腦類(lèi)的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
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        　　網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng)，英文Network File System（NFS），是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議（presentation layer protocol），能使使用者訪問(wèn)網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計(jì)算機(jī)一樣。
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        ARM公司是一家知識(shí)產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商，它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片，而是通過(guò)轉(zhuǎn)讓設(shè)計(jì)方案，由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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        OMAP-L138是美國(guó)德州儀器（TI）推出全新DSP+ARM工業(yè)處理器 ，這款芯片也是業(yè)界功耗最低的浮點(diǎn)數(shù)字信號(hào)處理器 （DSP） + ARM9處理器，大大降低了雙核通訊的開(kāi)發(fā)難度，可充分滿足工業(yè)應(yīng)用的高能效、連通性設(shè)計(jì)對(duì)高集成度外設(shè)、更低熱量耗散以及更長(zhǎng)電池使用壽命的需求。
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