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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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從電子流動的方向出發(fā),阻礙電子流動的參數(shù)為電阻,在高頻領(lǐng)域稱為阻抗,在實際電路中,電路工作過程會產(chǎn)生大量功耗,所有的功耗均需要進行能量轉(zhuǎn)換,其中,熱能是...
大功率電子器件應(yīng)用范圍十分廣泛,散熱會影響其可靠性,因此需要模擬元件在各種工作狀態(tài)下的隨時間變化的溫度曲線。本文將簡單介紹一種能夠?qū)崟r監(jiān)測并預(yù)測結(jié)溫的熱...
碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs、GaP、InP等)之后發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體材料。作...
SiC 技術(shù)的先驅(qū)引領(lǐng)系統(tǒng)效率,高度關(guān)注可靠性和耐用性。近 20 年來, GeneSiC 開創(chuàng)了高性能, 堅固, 和可靠的碳化硅 (SiC) 用于汽車、...
倍思氮化鎵充電器是一款優(yōu)秀的充電器,具有高效、快速、安全、環(huán)保等優(yōu)點。下面我們將詳細介紹倍思氮化鎵充電器的優(yōu)缺點、使用體驗和與其他產(chǎn)品的比較,幫助您更好...
碳化硅功率器件的優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展趨勢
隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為新一代半導(dǎo)體材料,正在引發(fā)一場革命。與傳統(tǒng)的硅(Si)器件相比,碳化硅器件具有更高的耐壓、更低的...
推挽式開關(guān)電源是一種常見的電源拓撲結(jié)構(gòu),廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。在推挽式開關(guān)電源中,MOS管是核心的功率器件之一,其性能直接影響到整個電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性...
由于電遷移效應(yīng),金屬線可能會斷裂并短路。EM會增加導(dǎo)線電阻,這會導(dǎo)致電壓下降,從而導(dǎo)致設(shè)備降速。由于短路或開路,它還可能導(dǎo)致電路永久性故障。
GaN功率器件在工業(yè)電機控制領(lǐng)域的應(yīng)用
GaN 功率器件的卓越電氣特性正在逐步淘汰復(fù)雜工業(yè)電機控制應(yīng)用中的傳統(tǒng) MOSFET 和 IGBT。
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種常用的功率開關(guān)器件,也是現(xiàn)代電子設(shè)備和電路中最重要的元件之一。它由金屬-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)組成。
盡管他們可以在一兩個領(lǐng)域中積累專家級知識,但他們很少能了解同行們在產(chǎn)品開發(fā)周期其他領(lǐng)域面臨的測試和表征挑戰(zhàn)。他們有時需要與其他工程師協(xié)作,在他們走出舒適...
碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要包括襯底、外延、器件設(shè)計、制造、封測等環(huán)節(jié)。上游是襯底和外延、中游是器件和模塊制造,下游是終端應(yīng)用。
高速熔斷器作為保護半導(dǎo)體的器件,通過其本體的電流可能是直流,也可能是交流,或者是脈沖電流,因此計算等效工作電流是熔斷器選型的第一步驟。
金屬封裝形式的氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管( VDMOS ), 在經(jīng)歷篩選試驗后,管殼表面的金屬層出現(xiàn)了腐蝕形貌, 通過顯微鏡觀察、 掃描電鏡、 EDS 能...
碳化硅(SiC)功率器件核心優(yōu)勢及技術(shù)挑戰(zhàn)
SiC器件的核心優(yōu)勢在于其寬禁帶、高熱導(dǎo)率、以及高擊穿電壓。具體來說,SiC的禁帶寬度是硅的近3倍,這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能;其熱導(dǎo)率是硅的...
什么是800V高壓架構(gòu)?800V高壓架構(gòu)的多種方案
越來越多的車企向800V高壓平臺進軍。那么800V高壓僅僅是指快充系統(tǒng)么?它到底為何能成為車企技術(shù)中的“香餑餑”?400V和800V的電動車在用車體驗上...
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