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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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一種基于全HVPE生長(zhǎng)的垂直GaN肖特基勢(shì)壘二極管
近日,由深圳大學(xué)和深圳信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院組成的科研團(tuán)隊(duì),研發(fā)出了“基于全HVPE生長(zhǎng)、具有創(chuàng)紀(jì)錄的高品質(zhì)優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢(shì)壘...
MOSFET超過(guò)耐壓值的原因、影響及檢測(cè)方法
在電子電路設(shè)計(jì)中,MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種常用的功率器件,具有高速開(kāi)關(guān)、低導(dǎo)通電阻、低驅(qū)動(dòng)功耗等優(yōu)點(diǎn)。然而,如果MOSFE...
2024-08-01 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率器件 1908 0
隨著功率器件的發(fā)展,正弦波脈寬調(diào)制(SPWM)技術(shù)得到了廣泛的應(yīng)用,SPWM 控制是在逆變器輸出交流電能的一個(gè)周期內(nèi),將直流電能斬成幅值相等而寬度根據(jù)正...
2024-12-27 標(biāo)簽:正弦波脈寬調(diào)制功率器件 1906 0
MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)有哪些?
MOSFET的全稱(chēng)為:metal oxide semiconductor field-effect transistor,中文通常稱(chēng)之為,金屬-氧化層-...
大功率晶體管是什么器件_大功率晶體管優(yōu)缺點(diǎn)
大功率晶體管是指在高電壓、大電流的條件下工作的晶體管。一般被稱(chēng)為功率器件,屬于電力電子技術(shù)(功率電子技術(shù))領(lǐng)域研究范疇。其實(shí)質(zhì)就是要有效地控制功率電子器...
集成電路和功率器件的區(qū)別 汽車(chē)電子功率器件的特點(diǎn)
集成電路是將多個(gè)電子元器件(如晶體管、電阻、電容等)集成在一片半導(dǎo)體芯片上,形成一個(gè)完整的電路系統(tǒng)。它主要用于信號(hào)處理、數(shù)字邏輯、存儲(chǔ)器、微處理器等各種...
硅基氮化鎵功率器件是一種新型的功率器件,它可以提高功率器件的熱穩(wěn)定性和抗拉強(qiáng)度,從而提高功率器件的性能。它主要用于電子、光學(xué)、電力、航空航天等領(lǐng)域。
氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,上世紀(jì)90年代就已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用,這些年來(lái)氮化鎵已經(jīng)成為了全球半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn),被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體,其具有更...
陽(yáng)光電動(dòng)力混合動(dòng)力雙電機(jī)控制器四大關(guān)鍵
針對(duì)整車(chē)發(fā)動(dòng)機(jī)艙裝配空間有限的痛點(diǎn),HEM系列控制器基于并聯(lián)模組一體化集成設(shè)計(jì),應(yīng)用注塑銅排,減少絕緣空間占用,結(jié)構(gòu)更加緊湊,實(shí)現(xiàn)高功率密度。
2023-10-09 標(biāo)簽:發(fā)動(dòng)機(jī)控制器電機(jī)控制器 1881 0
新潔能車(chē)規(guī)級(jí)PDFN 5x6雙面散熱功率器件介紹
在汽車(chē)電子行業(yè)飛速發(fā)展的今天,提升可靠性、效率和散熱性能成為了功率器件設(shè)計(jì)的重要方向。車(chē)規(guī)級(jí) PDFN5*6 雙面散熱產(chǎn)品,以其優(yōu)異的散熱性能和緊湊的封...
大功率IGBT和SiC MOSFET的并聯(lián)設(shè)計(jì)方案
隨著新能源技術(shù)的快速發(fā)展,對(duì)大功率半導(dǎo)體器件的需求日益增加。特別是在可再生能源領(lǐng)域,需要能夠承載巨大電流的功率器件。然而,由于生產(chǎn)成本、技術(shù)難度以及市場(chǎng)...
碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,相比于傳統(tǒng)的硅材料,具有更高的熱導(dǎo)率、更大的電場(chǎng)擊穿強(qiáng)度和更高的載流子遷移率等特點(diǎn)。
2024-04-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)功率器件SiC 1854 0
氮化鎵功率芯片功率曲線分析 氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點(diǎn)
不,氮化鎵功率器(GaN Power Device)與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉(zhuǎn)換和功率放大的半導(dǎo)體器件,它利用氮化鎵材料的特性來(lái)實(shí)...
在電子工程領(lǐng)域,功率器件和集成電路是兩個(gè)重要的分支,它們各自在特定的應(yīng)用場(chǎng)景中發(fā)揮著重要的作用。關(guān)于兩者間的定義常會(huì)引起混淆,接下來(lái)就讓小編來(lái)帶您梳理一...
以下是一些知名的功率IC品牌,排名不分先后: Infineon Technologies:Infineon的功率IC產(chǎn)品主要包括汽車(chē)電子、工業(yè)電子、消費(fèi)...
功率器件封裝結(jié)構(gòu)散熱設(shè)計(jì)原則
針對(duì)功率器件的封裝結(jié)構(gòu),國(guó)內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)和 企業(yè)在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方面進(jìn)行了大量的理論研究和開(kāi) 發(fā)實(shí)踐,多種結(jié)構(gòu)封裝設(shè)計(jì)理念被國(guó)內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)提出并研究,一些結(jié)構(gòu)設(shè)...
功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(三)——功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測(cè)試方法
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本...
2024-11-05 標(biāo)簽:散熱器功率器件功率半導(dǎo)體 1821 0
功率器件的封裝正朝著小體積和3D封裝發(fā)展,在工作損耗不變的情況下,使得器件的發(fā)熱功率密度變得更大,在熱導(dǎo)率和熱阻相同的情況下,會(huì)使得封裝體和裸芯的溫度更...
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