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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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功率二極管(Power Diode)是一種高電壓、高電流、大功率的二極管。與普通二極管相比,功率二極管具有承受更高電壓和電流的能力,通常被用于電源電路、...
DTS技術(shù)提高功率模塊可靠性方面發(fā)揮的關(guān)鍵作用
派恩杰半導(dǎo)體,中國(guó)第三代半導(dǎo)體功率器件的領(lǐng)先品牌,主營(yíng)碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化鎵HEMT等功率器件產(chǎn)品。在新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、白色家電、...
碳化硅功率器件的基本原理、性能優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管(SiC Diode)、碳化硅晶體管(SiC Transistor)等。這些器件通過利用碳化硅材料的優(yōu)良特性,可以在更...
射頻功率器件在無線移動(dòng)設(shè)計(jì)中取得進(jìn)步
由于移動(dòng)計(jì)算設(shè)備的日益普及,網(wǎng)絡(luò)流量正以指數(shù)速度增長(zhǎng)。因此,5G 等下一代無線標(biāo)準(zhǔn)在全球范圍內(nèi)不斷推出。隨著數(shù)字化變得更便宜和更省電,具有更高采樣率的更...
GaN基功率開關(guān)器件能實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和工作頻率,得益于平面型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中高濃度、高遷移率的二維電子氣(2DEG)。圖1示出絕緣柵...
2023-04-29 標(biāo)簽:功率器件GaN開關(guān)器件 2040 0
背后功率器件那些事兒:MOSFET、IGBT及碳化硅的應(yīng)用
當(dāng)充電樁向高壓架構(gòu)發(fā)展的趨勢(shì)越來越明顯,高性能MOSFET的需求也越來越大,通過改進(jìn)器件結(jié)構(gòu)的超級(jí)結(jié)MOSFET應(yīng)運(yùn)而生了。
從 70 年代下半葉開始,電源管理應(yīng)用的主導(dǎo)技術(shù)是基于 MOSFET(金屬氧化物硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管)器件,在效率和成本降低方面不斷取得進(jìn)步和改進(jìn)。然而,隨著...
在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)技術(shù)對(duì)于推動(dòng)向電動(dòng)移動(dòng)性的轉(zhuǎn)變和提高可再生能源系統(tǒng)的效率至關(guān)重要。隨著市場(chǎng)需求的增加,功率半導(dǎo)體公司面臨著迅速擴(kuò)大生產(chǎn)能...
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,與傳統(tǒng)的硅基器件相比,具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(chǎng)(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(...
龍騰半導(dǎo)體建有功率器件可靠性與應(yīng)用實(shí)驗(yàn)中心,專注于產(chǎn)品設(shè)計(jì)驗(yàn)證、參數(shù)檢測(cè)、可靠性驗(yàn)證、失效分析及應(yīng)用評(píng)估,公司參考半導(dǎo)體行業(yè)可靠性試驗(yàn)條件和抽樣原則,制...
2023-09-20 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體元器件 2002 0
在電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和優(yōu)化中,功率密度是一個(gè)不容忽視的指標(biāo)。它直接關(guān)系到設(shè)備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設(shè)備功率密度的有效途徑。
為滿足晶體管用戶的需求,有源器件的功率密度持續(xù)增長(zhǎng)。商用無線通訊、航空電子、廣播、工業(yè)以及醫(yī)療系統(tǒng)應(yīng)用推動(dòng)固態(tài)功率封裝隨著更小輸出級(jí)器件輸出更高輸出功率...
碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導(dǎo)體器件,具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于電力電子、新能源等領(lǐng)域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎(chǔ)知識(shí)。
保險(xiǎn)絲常串接在電路的電源輸入端用以控制整個(gè)電路的總電流。其工作原理是靠電路出現(xiàn)故障后增大的故障電流流過保險(xiǎn)絲時(shí)導(dǎo)致其發(fā)熱升溫自行熔化,以切斷電源供給達(dá)到...
碳化硅電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)電磁兼容建模技術(shù)研究
碳化硅功率器件依托其開關(guān)性能的優(yōu)勢(shì),在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛地應(yīng)用,然而,其過快的開關(guān)響應(yīng)速度及過大的開關(guān)振蕩給系統(tǒng)帶來了嚴(yán)重的EMI問題。通過采用理...
2023-04-07 標(biāo)簽:電磁兼容驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)功率器件 1939 0
和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點(diǎn),因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點(diǎn)同時(shí)也給SiC功率器件的互連封裝帶...
DBA直接覆鋁陶瓷基板:功率器件封裝材料來勢(shì)洶洶!
DBA直接覆鋁陶瓷基板(Direct Bonding Aluminum Ceramic Substrate,簡(jiǎn)稱DBA)是一種新型的電子材料,將會(huì)成為未...
碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域有哪些應(yīng)用呢?
碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用主要有以下幾個(gè)方面
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