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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1827個 瀏覽：92449次 帖子：50個

      功率器件技術(shù)

      功率半導(dǎo)體器件陶瓷覆銅板用無氧銅帶

      陶瓷覆銅板是在高溫，流動氣氛下銅帶與陶瓷基片通過高溫熔煉和擴(kuò)散過程而形成的一種高導(dǎo)熱、高絕緣強(qiáng)度的復(fù)合材料，既具有陶瓷的高導(dǎo)熱性、高電絕緣性、高機(jī)械強(qiáng)度...

      2023-04-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件工藝流程 2248 0

      幾種led襯底的主要特性對比 氮化鎵同質(zhì)外延的難處

      幾種led襯底的主要特性對比 氮化鎵同質(zhì)外延的難處

      GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為：襯底→GaN材料外延→器件設(shè)計→器件制造。其中，襯底是整個產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。 作為襯底，GaN自然是最適合用來作為GaN外延...

      2023-08-10 標(biāo)簽：led功率器件氮化鎵 2246 0

      電子封裝中的高導(dǎo)熱平面陶瓷基板及金屬化技術(shù)研究

      電子封裝中的高導(dǎo)熱平面陶瓷基板及金屬化技術(shù)研究

      隨著大功率器件朝著高壓、高電流以及小型化的方向發(fā)展，這對于器件的散熱要求變得更為嚴(yán)格。陶瓷基板因其卓越的熱導(dǎo)率和機(jī)械性能，被廣泛應(yīng)用于大功率器件的封裝工藝中。

      2025-05-03 標(biāo)簽：晶體管功率器件電子封裝 2230 0

      碳化硅與碳化硅（SiC）功率器件

      在同樣的耐壓和電流條件下，SiC器件的漂移區(qū)電阻要比硅低200倍，即使高耐壓的SiC場效應(yīng)管的導(dǎo)通壓降，也比單極型、雙極型硅器件的低得多。而且，SiC器...

      2023-02-20 標(biāo)簽：場效應(yīng)管功率器件sic器件 2224 0

      新潔能1500V和1700V系列功率VDMOS新品介紹

      新潔能1500V和1700V系列功率VDMOS新品介紹

      在變頻器輔助電源或光伏逆變器中，輔助電源的主要作用是將DC高壓降壓后，為驅(qū)動IC、主控MCU、通訊模塊芯片等供電。以380V系統(tǒng)的變頻器為例，因輔助電源...

      2023-10-16 標(biāo)簽：mcu變頻器MOS管 2224 0

      隔離式柵極驅(qū)動器的介紹和選型指南

      隔離式柵極驅(qū)動器的介紹和選型指南

      功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源...

      2023-05-17 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動器電源電路 2186 0

      igbt功率管寄生電容怎么測量大小

      IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件。IGBT的寄生電容是指在IGBT內(nèi)部由于結(jié)構(gòu)原因產(chǎn)生的電容，這些電容會影響IGBT的...

      2024-08-07 標(biāo)簽：IGBT功率器件功率管 2177 0

      碳化硅和IGBT器件的應(yīng)用前景和發(fā)展趨勢

      本文探討了碳化硅和IGBT器件在未來的應(yīng)用前景和發(fā)展趨勢，以及如何通過技術(shù)創(chuàng)新和優(yōu)化來滿足不同應(yīng)用的需求。其中，英飛凌作為國際品牌的代表，其第四代產(chǎn)品已...

      2023-10-28 標(biāo)簽：IGBT功率器件工業(yè)電源 2176 0

      功率半導(dǎo)體市場規(guī)模分析和應(yīng)用領(lǐng)域

      功率半導(dǎo)體市場規(guī)模分析和應(yīng)用領(lǐng)域

      功率器件包括二極管、晶體管和晶閘管三大類，其中晶體管市場份額最大，常見的晶體管主要包括MOSFET、IGBT、BJT等。功率 IC是指將高壓功率器件與其...

      2023-12-18 標(biāo)簽：三極管MOSFETIGBT 2171 0

      一文詳解功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計方案

      一文詳解功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計方案

      通過對現(xiàn)有功率器件封裝方面文獻(xiàn)的總結(jié)，從器件封裝結(jié)構(gòu)散熱路徑的角度可以將功率器件分為單面散熱器件、雙面散熱器件和多面散熱器件。

      2023-04-26 標(biāo)簽：pcb半導(dǎo)體技術(shù)功率器件 2162 0

      SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)

      SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)

      碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體預(yù)計將在電力電子器件中發(fā)揮越來越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比，它們具有更高的效率、功率...

      2024-04-29 標(biāo)簽：功率器件SiCGaN 2157 0

      絕緣柵Si基GaN平面器件關(guān)鍵工藝

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      傳統(tǒng)GaN-on-Si功率器件歐姆接觸主要采用Ti/Al/X/Au多層金屬體系，其中X金屬可為Ni，Mo，PT，Ti等。這種傳統(tǒng)有Au歐姆接觸通常采用高...

      2023-04-29 標(biāo)簽：功率器件GaN金屬 2136 0

      第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車行業(yè)的應(yīng)用

      第三代半導(dǎo)體功率器件在汽車行業(yè)的應(yīng)用

      碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，它突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，成為第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢引領(lǐng)功率器件新變革。

      2023-09-19 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體IGBT 2134 0

      淺談電機(jī)控制器設(shè)計功率器件的選擇

      I D I_DID 為漏極電流的有效值，由于輸出波形是正弦波，所以漏極電流的峰值為漏極電流有效值的 2 sqrt{2}2 倍。

      2020-11-21 標(biāo)簽：電機(jī)控制器功率器件漏極電流 2130 0

      SiC功率器件和模塊！

      SiC（碳化硅）是一種由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導(dǎo)體材料。表1-1顯示了每種半導(dǎo)體材料的電氣特性。SiC具有優(yōu)異的介電擊穿場強(qiáng)（擊穿場）和帶隙...

      2022-11-22 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 2103 0

      深度了解SiC材料的物理特性

      深度了解SiC材料的物理特性

      與Si材料相比，SiC半導(dǎo)體材料在物理特性上優(yōu)勢明顯，比如擊穿電場強(qiáng)度高、耐高溫、熱傳導(dǎo)性好等，使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細(xì)了解...

      2024-11-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料功率器件 2095 0

      加強(qiáng)功率模組可靠性，功率循環(huán)/量測系統(tǒng)首當(dāng)其沖

      加強(qiáng)功率模組可靠性，功率循環(huán)/量測系統(tǒng)首當(dāng)其沖

      在可預(yù)見的將來，功率電子元件的使用將持續(xù)不斷的增加。任何需要電力變換、轉(zhuǎn)換或控制等功能都須使用各種形式的功率電子元件。##結(jié)構(gòu)函數(shù)的數(shù)學(xué)運(yùn)算相當(dāng)復(fù)雜，但...

      2014-08-18 標(biāo)簽：IGBT功率器件 2090 0

      碳化硅(SiC)功率器件的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

      隨著科技的不斷進(jìn)步，電力電子設(shè)備在我們的日常生活和工業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮著越來越重要的作用。然而，隨著電力電子設(shè)備向著更高效、更小型化以及更可靠的方向發(fā)展，傳統(tǒng)...

      2023-12-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 2074 0

      英飛凌隔離型驅(qū)動能輕松駕馭更高dv/dt

      英飛凌隔離型驅(qū)動能輕松駕馭更高dv/dt

      通過上述的分析對比，英飛凌隔離型驅(qū)動在芯片技術(shù)、工作電壓、輸出電流、副邊電源電壓、工作結(jié)溫、傳輸延時、共模瞬變抗擾度、可靠性、功能性等方面，相對光耦都有...

      2022-04-11 標(biāo)簽：英飛凌芯片技術(shù)功率器件 2067 0

      DBA直接覆鋁陶瓷基板將成為未來電子材料領(lǐng)域的新寵

      DBA直接覆鋁陶瓷基板將成為未來電子材料領(lǐng)域的新寵

      隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，各種新型材料也不斷涌現(xiàn)。其中，直接覆鋁陶瓷基板（DBA基板）因其優(yōu)良的性能表現(xiàn)備受矚目，成為電子行業(yè)中備受關(guān)注的材料之一。

      2023-09-14 標(biāo)簽：功率器件SAMDBA 2066 0

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        工業(yè)4.0
        +關(guān)注
        工業(yè)4.0是由德國政府《德國2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項目之一。該項目由德國聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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        Nvidia 是全球圖形技術(shù)和數(shù)字媒體處理器行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商，NVIDIA的總部設(shè)在美國加利福尼亞州的圣克拉拉市，在20多個國家和地區(qū)擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進(jìn)的專業(yè)技術(shù)，在并行處理方面實(shí)現(xiàn)了諸多突破。公司創(chuàng)立于1993年1月，總部位于美國加利福尼亞州圣克拉拉市。
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        +關(guān)注
        以無人駕駛來說，城市中將建造一個巨大的交通共享網(wǎng)，只要拿出手機(jī)就能隨時呼叫無人駕駛汽車服務(wù)；交警能精準(zhǔn)判斷每一輛汽車去向，更有效地管理交通……
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        OpenWrt
        +關(guān)注
        OpenWrt 可以被描述為一個嵌入式的 Linux 發(fā)行版。（主流路由器固件有 dd-wrt，tomato，openwrt，padavan四類）對比一個單一的、靜態(tài)的系統(tǒng)，OpenWrt的包管理提供了一個完全可寫的文件系統(tǒng)，從應(yīng)用程序供應(yīng)商提供的選擇和配置，并允許您自定義的設(shè)備，以適應(yīng)任何應(yīng)用程序。
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        ARM架構(gòu)
        +關(guān)注
        ARM架構(gòu)過去稱作進(jìn)階精簡指令集機(jī)器（Advanced RISC Machine，更早稱作：Acorn RISC Machine），是一個32位精簡指令集（RISC）處理器架構(gòu)，其廣泛地使用在許多嵌入式系統(tǒng)設(shè)計。
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        +關(guān)注
        Qualcomm最新的“龍板”——Qualcomm DragonBoard 410c，是一枚功能極為強(qiáng)大，身材特別小巧的開發(fā)板，它集成了目前最流行的智能手機(jī)處理能力，幫您實(shí)現(xiàn)對各種智能硬件的天馬行空想象。您可以研用“龍板”實(shí)現(xiàn)高清視頻、Wi-Fi/藍(lán)牙、多媒體、3D游戲等各項功能。
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        OpenCL
        +關(guān)注
        OpenCL是一個為異構(gòu)平臺編寫程序的框架，此異構(gòu)平臺可由CPU，GPU或其他類型的處理器組成。OpenCL由一門用于編寫kernels （在OpenCL設(shè)備上運(yùn)行的函數(shù)）的語言（基于C99）和一組用于定義并控制平臺的API組成。
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        嵌入式操作系統(tǒng)
        +關(guān)注
        嵌入式操作系統(tǒng)（Embedded Operating System，簡稱：EOS）是指用于嵌入式系統(tǒng)的操作系統(tǒng)。嵌入式操作系統(tǒng)是一種用途廣泛的系統(tǒng)軟件，通常包括與硬件相關(guān)的底層驅(qū)動軟件、系統(tǒng)內(nèi)核、設(shè)備驅(qū)動接口、通信協(xié)議、圖形界面、標(biāo)準(zhǔn)化瀏覽器等。
      • Windows CE
        Windows CE
        +關(guān)注
        　Windows Embedded Compact（即 Windows CE）是微軟公司嵌入式、移動計算平臺的基礎(chǔ)，它是一個開放的、可升級的32位嵌入式操作系統(tǒng)，是基于掌上型電腦類的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
      • JDI
        JDI
        +關(guān)注
        JDI（Java Debug Interface）是 JPDA 三層模塊中最高層的接口，定義了調(diào)試器（Debugger）所需要的一些調(diào)試接口?；谶@些接口，調(diào)試器可以及時地了解目標(biāo)虛擬機(jī)的狀態(tài)，例如查看目標(biāo)虛擬機(jī)上有哪些類和實(shí)例等。
      • NFS
        NFS
        +關(guān)注
        　　網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng)，英文Network File System（NFS），是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議（presentation layer protocol），能使使用者訪問網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計算機(jī)一樣。
      • 麒麟960
        麒麟960
        +關(guān)注
        麒麟960（kirin 960）是海思半導(dǎo)體有限公司推出的新一代移動設(shè)備芯片，麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心，小核心為A53，組成四大四小的big.LITTLE組合，GPU為Mali G71 MP8。
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        米爾是一家專注于ARM嵌入式軟硬件開發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)。在以客戶為中心的指引下，米爾為嵌入式領(lǐng)域客戶提供專業(yè)的ARM工業(yè)控制板、ARM核心板、ARM開發(fā)工具、充電樁計費(fèi)控制單元及充電控制板等產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)。
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        ARM公司是一家知識產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商，它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片，而是通過轉(zhuǎn)讓設(shè)計方案，由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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        MMU是中文名是內(nèi)存管理單元，有時稱作分頁內(nèi)存管理單元，它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器（CPU）的內(nèi)存訪問請求的計算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換（即虛擬內(nèi)存管理）、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制，在較為簡單的計算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中，負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲體切換。
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