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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1827個 瀏覽：92450次 帖子：50個

      功率器件技術(shù)

      淺談碳化硅功率器件的封裝技術(shù)

      淺談碳化硅功率器件的封裝技術(shù)

      SiC作為第三代半導(dǎo)體材料具有優(yōu)越的性能，相比于前兩代半導(dǎo)體材料，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿電場強(qiáng)度高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高以及抗輻射能力強(qiáng)等特點，...

      2023-06-28 標(biāo)簽：封裝功率器件SiC 1195 0

      碳化硅和硅相比有何性能優(yōu)勢

      硅早已是大多數(shù)電子應(yīng)用中的關(guān)鍵半導(dǎo)體材料，但與SiC相比，則顯得效率低下。SiC現(xiàn)在已開始被多種應(yīng)用采納，特別是電動汽車，以應(yīng)對開發(fā)高效率和高功率器件所...

      2023-02-03 標(biāo)簽：功率器件SiC能源 1185 0

      SiC SBD器件結(jié)構(gòu)和特征

      1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。 因...

      2023-02-07 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1184 0

      如何解決PCB散熱問題

      通過PCB板本身散熱目前廣泛應(yīng)用的PCB板材是覆銅/環(huán)氧玻璃布基材或酚醛樹脂玻璃布基材，還有少量使用的紙基覆銅板材。

      2022-09-30 標(biāo)簽：pcb功率器件印制板 1183 0

      功率MOS管燒毀原因總結(jié)

      MOS 管可能會遭受與其他功率器件相同的故障，例如過電壓(半導(dǎo)體的雪崩擊穿)、過電流(鍵合線或者襯底熔化)、過熱(半導(dǎo)體材料由于高溫而分解)。

      2023-05-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體MOS管功率器件 1182 0

      高壓功率器件封裝設(shè)計說明

      高壓功率器件封裝設(shè)計說明

      可再生能源應(yīng)用以及各種能效技術(shù)需要可靠、緊湊和熱效率高的電源設(shè)備。為了推動風(fēng)力渦輪機(jī)、智能電網(wǎng)、太陽能發(fā)電系統(tǒng)、太陽能光伏和電動汽車的創(chuàng)新，1需要具有高...

      2022-07-29 標(biāo)簽：封裝功率器件 1176 0

      AEC-Q101|SiC功率器件高溫反偏

      AEC-Q101|SiC功率器件高溫反偏

      SiC（碳化硅）功率器件以其耐高溫、耐高壓、低開關(guān)損耗等特性，能有效實現(xiàn)電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化、輕量化、高功率密度等要求，受到了新能源汽車、光伏發(fā)...

      2023-06-09 標(biāo)簽：汽車電子功率器件SiC 1167 0

      基于英飛凌PRO-SILTM器件汽車配電系統(tǒng)設(shè)計方案

      在低SAE自動駕駛級別（例如，1-2級）下，通常，僅需確保系統(tǒng)在組件失效的情況下，進(jìn)入安全狀態(tài)即可——這被稱為失效安全架構(gòu)。

      2023-01-15 標(biāo)簽：繼電器網(wǎng)絡(luò)安全功率器件 1156 0

      PWM技術(shù)的電動跑步機(jī)電源設(shè)計分析

      PWM技術(shù)的電動跑步機(jī)電源設(shè)計分析

      近年來，隨著新型電力電子功率器件的不斷出現(xiàn)，直流電機(jī)的控制方式發(fā)生了較大的變化。采用全控型的開關(guān)功率元件進(jìn)行脈沖寬度調(diào)制（pulse width mod...

      2024-02-15 標(biāo)簽：直流電機(jī)PWM功率器件 1156 0

      SiC功率器件的特點和優(yōu)勢

      SiC功率器件的特點和優(yōu)勢

      SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術(shù)，其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件，特別是在高功率、高效率和高頻率應(yīng)用中的優(yōu)勢日益顯現(xiàn)。Wol...

      2024-12-05 標(biāo)簽：晶體管功率器件SiC 1156 0

      功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（九）——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散

      功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（九）——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散

      樣品活動進(jìn)行中，掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計...

      2024-12-16 標(biāo)簽：功率器件測量功率半導(dǎo)體 1154 0

      IGBT熱管理解決方案

      IGBT熱管理解決方案

      自20世紀(jì)80年代開發(fā)以來，IGBT已成為風(fēng)能、太陽能等高壓可再生能源應(yīng)用以及消費和工業(yè)用途的電動汽車和電動機(jī)的關(guān)鍵。功率半導(dǎo)體、功率器件、IGBT三者...

      2024-09-12 標(biāo)簽：IGBT功率器件熱管理 1154 0

      功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計介紹

      功率器件封裝結(jié)構(gòu)熱設(shè)計介紹

      尤其是在目前功率器件高電壓、大電流和封裝 體積緊湊化的發(fā)展背景下，封裝器件的散熱問題已 變得尤為突出且更具挑戰(zhàn)性。芯片產(chǎn)生的熱量 會影響載流子遷移率而降...

      2023-09-25 標(biāo)簽：封裝電力系統(tǒng)功率器件 1137 0

      碳化硅功率器件有哪些優(yōu)勢

      碳化硅功率器件有哪些優(yōu)勢

      碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅半導(dǎo)體材料的電力電子器件，近年來在功率電子領(lǐng)域迅速嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅（Si）功率器件相比，碳化硅器件具有更高的...

      2024-09-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1130 0

      淺談新能源汽車電機(jī)控制器的MOSFET B2M065120H應(yīng)用

      淺談新能源汽車電機(jī)控制器的MOSFET B2M065120H應(yīng)用

      基本半導(dǎo)體自2017年開始布局車用碳化硅器件研發(fā)和生產(chǎn)，目前已掌握碳化硅芯片設(shè)計、晶圓制造、模塊封裝、驅(qū)動應(yīng)用等核心技術(shù)，申請兩百余項發(fā)明專利，產(chǎn)品性能...

      2023-06-01 標(biāo)簽：新能源汽車IGBT電機(jī)控制器 1129 0

      SiC的物性和特征

      SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。 不僅絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬范圍內(nèi)...

      2023-02-07 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1128 0

      碳化硅功率器件的特點和應(yīng)用

      隨著全球能源危機(jī)和環(huán)境問題的日益突出，高效、環(huán)保、節(jié)能的電力電子技術(shù)成為了當(dāng)今研究的熱點。在這一領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件憑借其出色的物理性能和電學(xué)...

      2024-02-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1126 0

      功率器件晶圓測試及封裝成品測試介紹

      功率器件晶圓測試及封裝成品測試介紹

      ???? 本文主要介紹功率器件晶圓測試及封裝成品測試。?????? ? 晶圓測試（CP）???? 如圖所示為典型的碳化硅晶圓和分立器件電學(xué)測試的系統(tǒng)，主...

      2025-01-14 標(biāo)簽：晶圓封裝功率器件 1121 0

      碳化硅（SiC）功率器件探討：未來的能源解決方案

      碳化硅（SiC）功率器件探討：未來的能源解決方案

      隨著全球?qū)Ω咝?、更可持續(xù)能源解決方案的需求不斷增加，碳化硅（SiC）功率器件因其卓越的物理和電氣特性而成為電力電子領(lǐng)域的一個重要進(jìn)展。

      2024-04-15 標(biāo)簽：導(dǎo)通電阻功率器件SiC 1109 0

      垂直氮化鎵器件的最新進(jìn)展和可靠性挑戰(zhàn)

      垂直氮化鎵器件的最新進(jìn)展和可靠性挑戰(zhàn)

      過去兩年中，氮化鎵雖然發(fā)展迅速，但似乎已經(jīng)遇到了瓶頸。與此同時，不少垂直氮化鎵的初創(chuàng)企業(yè)倒閉或者賣盤，這引發(fā)大家對垂直氮化鎵未來的擔(dān)憂。為此，在本文中，...

      2025-02-17 標(biāo)簽：晶體管功率器件氮化鎵 1108 0

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        +關(guān)注
        工業(yè)4.0是由德國政府《德國2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項目之一。該項目由德國聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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        Windows CE
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        　Windows Embedded Compact（即 Windows CE）是微軟公司嵌入式、移動計算平臺的基礎(chǔ)，它是一個開放的、可升級的32位嵌入式操作系統(tǒng)，是基于掌上型電腦類的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
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        JDI
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        JDI（Java Debug Interface）是 JPDA 三層模塊中最高層的接口，定義了調(diào)試器（Debugger）所需要的一些調(diào)試接口。基于這些接口，調(diào)試器可以及時地了解目標(biāo)虛擬機(jī)的狀態(tài)，例如查看目標(biāo)虛擬機(jī)上有哪些類和實例等。
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        NFS
        +關(guān)注
        　　網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng)，英文Network File System（NFS），是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議（presentation layer protocol），能使使用者訪問網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計算機(jī)一樣。
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        麒麟960
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        麒麟960（kirin 960）是海思半導(dǎo)體有限公司推出的新一代移動設(shè)備芯片，麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心，小核心為A53，組成四大四小的big.LITTLE組合，GPU為Mali G71 MP8。
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        ARM公司是一家知識產(chǎn)權(quán)（IP）供應(yīng)商，它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片，而是通過轉(zhuǎn)讓設(shè)計方案，由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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        MMU是中文名是內(nèi)存管理單元，有時稱作分頁內(nèi)存管理單元，它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器（CPU）的內(nèi)存訪問請求的計算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換（即虛擬內(nèi)存管理）、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制，在較為簡單的計算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中，負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲體切換。
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