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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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英飛凌高邊開(kāi)關(guān)PROFET+2 12V系列規(guī)格
MOSFET 是一種半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)。然而,如果將單個(gè) MOSFET 用作開(kāi)關(guān),當(dāng)配置電路上的負(fù)載短路時(shí),MOSFET 可能會(huì)出現(xiàn)故障。...
縱觀MCU市場(chǎng),2023年1月表現(xiàn)強(qiáng)勁,超過(guò)了去年同月21.9%的增幅和2022年12月14.8%的增幅。特別是汽車(chē)MCU,2023年1月的銷(xiāo)售額增長(zhǎng)了...
三劍齊發(fā)中國(guó)市場(chǎng),英飛凌半導(dǎo)體如何加速低碳化和數(shù)字化未來(lái)
10月26日,全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌在深圳舉辦2023大中華區(qū)生態(tài)創(chuàng)新峰會(huì)(OktoberTech?,以下同)。在媒體見(jiàn)面會(huì)和當(dāng)天...
2023-11-06 標(biāo)簽:英飛凌汽車(chē)電子物聯(lián)網(wǎng) 2380 0
基于以日本、美國(guó)和歐洲為中心對(duì)生長(zhǎng)、材料特性和器件加工技術(shù)的廣泛研究,SiC SBD和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的生產(chǎn)已經(jīng)開(kāi)始。然而,...
中車(chē)時(shí)代半導(dǎo)體宜興投產(chǎn)后滿足新能源汽車(chē)與發(fā)電裝機(jī)需求
據(jù)悉,該公司的中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化(宜興)建設(shè)項(xiàng)目于2023年3月份正式啟動(dòng),僅用時(shí)短短數(shù)月即完成了當(dāng)年備案、開(kāi)工和封頂。
2024-05-13 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)半導(dǎo)體功率器件 2369 0
簡(jiǎn)要介紹篩選后器件經(jīng)過(guò)馬拉松(Marathon)實(shí)驗(yàn)的典型結(jié)果
目前針對(duì)SiC的研究已相當(dāng)深入,仍有不少人關(guān)注SiC材料的柵氧能力,本文對(duì)此再做一個(gè)簡(jiǎn)要介紹。如圖1所示,相較于Si基材料,SiC與SiO2柵氧層界面缺...
β-Ga2O3相對(duì)較低的遷移率使其能夠表現(xiàn)出比SiC和GaN更好的性能。從熔體中生長(zhǎng)的材料的特性使得以低于塊狀氮化鎵、碳化硅和金剛石的成本制造高質(zhì)量晶體...
2023-01-03 標(biāo)簽:晶圓功率器件半導(dǎo)體材料 2349 0
受?chē)?guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)的影響,國(guó)內(nèi)功率器件迎來(lái)新機(jī)遇
隨著社會(huì)市場(chǎng)需求增加及技術(shù)工藝的不斷進(jìn)步,功率器件應(yīng)用已逐步擴(kuò)展到5G基站、新能源、物聯(lián)網(wǎng)、變頻家電等新興領(lǐng)域,目前部分國(guó)內(nèi)功率器件企業(yè)的產(chǎn)品、技術(shù)工...
IGBT瑕疵事件影響現(xiàn)代“明星汽車(chē)”交付?亂局之下,國(guó)產(chǎn)IGBT迎來(lái)黃金期
日前,全球最大的汽車(chē)芯片供應(yīng)商英飛凌出現(xiàn)產(chǎn)品瑕疵問(wèn)題,致使該公司放棄了這批從今年4月初到6月初生產(chǎn)的IGBT芯片。據(jù)悉,這批芯片原計(jì)劃將被用于韓國(guó)現(xiàn)代汽...
如今,越來(lái)越多的汽車(chē)制造商涉足電動(dòng)汽車(chē) (EV) 開(kāi)發(fā),但是電動(dòng)汽車(chē)的駕程過(guò)短卻始終是個(gè)問(wèn)題。盡管采用空氣動(dòng)力學(xué)設(shè)計(jì)、更輕質(zhì)的材料、更高效的功耗等方法確...
讓我們一起實(shí)現(xiàn)氮化鎵的可靠運(yùn)行
我經(jīng)常感到奇怪,我們的行業(yè)為什么不在加快氮化鎵 (GaN) 晶體管的部署和采用方面加大合作力度;畢竟,大潮之下,沒(méi)人能獨(dú)善其身。每年,我們都看到市場(chǎng)...
金沙江第三代半導(dǎo)體氮化鎵芯片應(yīng)用項(xiàng)目簽約鶴壁
徐州金沙江半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)金沙江半導(dǎo)體)據(jù)官方消息,公司在2021年被設(shè)立,項(xiàng)目發(fā)起人氮化鎵(的)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者,氮化鎵功率器件及其新應(yīng)用為主力...
泰克解鎖SiC功率器件動(dòng)態(tài)測(cè)試系統(tǒng),華南首臺(tái)在深圳美浦森半導(dǎo)體正式交付
泰克在華南地區(qū)首臺(tái)DPT1000A在深圳美浦森半導(dǎo)體正式交付。DPT1000A功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)由泰克科技領(lǐng)先研發(fā),一經(jīng)推出就受到廣大科研和企業(yè)用...
第三代半導(dǎo)體材料碳化硅和氮化鎵被寫(xiě)入了“十四五”規(guī)劃
近幾年新能源汽車(chē)、5G基站和變頻家電強(qiáng)勢(shì)發(fā)展,給功率器件帶來(lái)了新的增長(zhǎng)機(jī)會(huì),另外快充,特高壓、城際高鐵交通等對(duì)功率器件的需求也在快速增長(zhǎng),據(jù)Yole 預(yù)...
新型STPOWER SLLIMM大功率器件內(nèi)置了功率和智能控制功能
多設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)可能不愿意采用這種新系列器件。對(duì)于我們行業(yè)的工程師來(lái)說(shuō),偏愛(ài)過(guò)去型號(hào)的產(chǎn)品是很正常的。但是,意法半導(dǎo)體和Sanken已經(jīng)在開(kāi)發(fā)STGIK50C...
2021-03-01 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體功率器件功率模塊 2311 0
功率半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)企業(yè)匯總
在整個(gè)半導(dǎo)體周期背景下,新能源汽車(chē)儼然已成為逆勢(shì)窗口產(chǎn)業(yè)。2021年全球的新能源汽車(chē)銷(xiāo)量約672萬(wàn)臺(tái),平均每輛新能源汽車(chē)中的功率器件價(jià)值占到了車(chē)用半導(dǎo)體...
2023-06-27 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)功率器件功率半導(dǎo)體 2306 0
IGBT是功率器件技術(shù)演變的最新產(chǎn)品,是未來(lái)功率器件的主流發(fā)展方向。
2014-08-05 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)電機(jī)控制IGBT
硬核技術(shù)創(chuàng)新加持,華虹宏力“8+12”特色工藝平臺(tái)為智能時(shí)代添飛翼
中國(guó)信通院數(shù)據(jù)顯示,2019年1-10月中國(guó)5G手機(jī)出貨量328.1萬(wàn)部,發(fā)展速度遠(yuǎn)超業(yè)界預(yù)期。5G商用的加速推進(jìn),讓更廣泛的智能時(shí)代提前到來(lái),隨之而來(lái)...
總投資50億元,德信芯片研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目奠基
德信芯片將在蘇州工業(yè)園區(qū)建設(shè)高端功率器件晶圓研發(fā)生產(chǎn)基地,共投資50億元研發(fā)生產(chǎn)高端電力零部件。主要經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品包括高可靠性frd、memes及光存儲(chǔ)、以車(chē)...
2023-09-21 標(biāo)簽:晶圓功率器件半導(dǎo)體器件 2271 0
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