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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測(cè)試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1827個(gè) 瀏覽：92463次 帖子：50個(gè)

      功率器件資訊

      不間斷電源UPS中的有功、無功功率及正確接地

      UPS電源在電子科技方面起到的作用非常之大，UPS電源在突然斷電的情況下可以發(fā)電，電位都是一樣的，沒有電位之差，工作期間可以照常，工作不會(huì)受到影響。

      2020-12-26 標(biāo)簽：功率器件UPS電源 2027 0

      功率器件市場(chǎng)演變及相關(guān)技術(shù)發(fā)展

      功率器件市場(chǎng)演變及相關(guān)技術(shù)發(fā)展

      如今，我們生活在一個(gè)由電氣化和自動(dòng)化驅(qū)動(dòng)的時(shí)代，特別注重減少污染和提高效率，電力電子市場(chǎng)正在朝著這些目標(biāo)發(fā)展。需要減少高 CO 2排放量以實(shí)現(xiàn)更清潔的環(huán)...

      2022-08-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工業(yè)功率器件 2027 0

      Microchip推出AgileSwitch數(shù)字可編程?hào)艠O驅(qū)動(dòng)器和SP6LI SiC功率模塊工具包

      Microchip分立器件事業(yè)部副總裁Leon Gross表示：“在為單片機(jī)和模擬產(chǎn)品提供全系統(tǒng)解決方案時(shí)，我們聽取了開發(fā)人員的意見?，F(xiàn)在，隨著SiC功...

      2020-09-21 標(biāo)簽：單片機(jī)microchip功率器件 2026 0

      垂直GaN功率器件的最新進(jìn)展

      垂直GaN功率器件的最新進(jìn)展

      最近在推進(jìn)寬帶隙 (WBG) 電力電子器件方面取得了顯著進(jìn)展，這主要是由于其與 Si 器件相比具有更高的開關(guān)頻率，以及它們因此能夠提高開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器...

      2022-07-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體設(shè)計(jì)功率器件 2020 0

      愛發(fā)科王禹:碳化硅功率器件制造工藝設(shè)備技術(shù)進(jìn)展

      面向未來智能社會(huì)所需的信息通信，電力電子，自動(dòng)駕駛等領(lǐng)域，近年來第三代功率半導(dǎo)體材料（SiC，GaN等）具有更寬的禁帶寬度、更高的導(dǎo)熱率、更高的抗輻射能...

      2023-09-28 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體材料碳化硅 2018 0

      IR潘大偉：善用功率器件，為節(jié)能設(shè)計(jì)保駕護(hù)航

      近年來，全社會(huì)追求低能耗風(fēng)潮愈演愈烈，其最終目的就在于最大限度減少電能損耗，實(shí)現(xiàn)變頻功能也需要功率器件發(fā)揮自身神奇作用。如何才能實(shí)現(xiàn)更高效的節(jié)能設(shè)計(jì)？

      2013-02-22 標(biāo)簽：MOSFET電機(jī)控制節(jié)能 2014 0

      綠色電源需求攀升 高性能功率器件看俏

      飛兆半導(dǎo)體MOSFET技術(shù)開發(fā)工程師Jaegil Lee先生表示，由于增加了便攜式設(shè)備的使用，在目前的電力系統(tǒng)中，對(duì)于電信網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)建設(shè)（3G / LTE...

      2013-10-31 標(biāo)簽：飛兆半導(dǎo)體MOSFET電源管理 2007 0

      東芝更小表貼面積的智能功率器件為設(shè)計(jì)釋放更多空間

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      電子產(chǎn)品更新?lián)Q代的速度與時(shí)俱進(jìn)，在性能不斷提高的同時(shí)，小型化也已成為不可逆轉(zhuǎn)的事實(shí)和趨勢(shì)。

      2024-01-19 標(biāo)簽：MOSFETIGBT電源開關(guān) 2005 0

      120億元，士蘭微投建8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目!

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      廈門市人民政府、廈門市海滄區(qū)人民政府與杭州士蘭微電子股份有限公司在廈門共同簽署了《戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》。

      2024-05-24 標(biāo)簽：集成電路芯片制造功率器件 1999 0

      第三代半導(dǎo)體或?qū)⒂瓉戆l(fā)展浪潮

      據(jù)統(tǒng)計(jì)，目前國(guó)內(nèi)以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體主要制造商已達(dá)147家。

      2022-07-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 1997 0

      天狼芯的 SiC 產(chǎn)品尚未實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)

      深圳天狼芯半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“天狼芯半導(dǎo)體”）宣布獲得數(shù)千萬人民幣 A 輪融資，由青島大有資本領(lǐng)投，創(chuàng)享投資跟投。資金將主要用于晶圓采購(gòu)、產(chǎn)品生產(chǎn)...

      2021-02-14 標(biāo)簽：新能源半導(dǎo)體晶圓 1979 0

      西安工程大學(xué)校長(zhǎng)一行帶隊(duì)走進(jìn)芯派科技

      5月7日，西安工程大學(xué)校長(zhǎng)王海燕帶隊(duì)走進(jìn)芯派科技，開展“訪企拓崗促就業(yè)”專項(xiàng)活動(dòng)，為學(xué)校2022屆畢業(yè)生拓展就業(yè)新領(lǐng)域，確保2022屆畢業(yè)生高質(zhì)量充分就業(yè)。

      2022-05-07 標(biāo)簽：新能源功率器件芯派科技 1973 0

      低成本垂直GaN（氮化鎵）功率器件的優(yōu)勢(shì)

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      GaN因其特性，作為高性能功率半導(dǎo)體材料而備受關(guān)注，近年來其開發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型：水平型（在硅晶圓上生長(zhǎng)GaN晶體）和垂直型...

      2023-09-13 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵GaN 1968 0

      南麟電子募資6.20億元進(jìn)行產(chǎn)品迭代升級(jí)和研發(fā)車用芯片

      此次南嶺電子趕赴北交所上市，國(guó)金證券為其保駕護(hù)航，發(fā)行股票總數(shù)量不低于1800萬股，且不超過3600萬股，發(fā)行價(jià)不低于22元/股，募集6.20億元，用于...

      2022-08-24 標(biāo)簽：集成電路功率器件車用芯片 1967 0

      IGBT及第三代半導(dǎo)體功率器件技術(shù)與應(yīng)用

      IGBT技術(shù)在功率密度、工作頻率、損耗控制等方面不斷創(chuàng)新。新一代IGBT產(chǎn)品在提高開關(guān)速度、降低開關(guān)損耗、增強(qiáng)耐壓能力等方面取得了顯著進(jìn)展，提高了系統(tǒng)效...

      2023-06-21 標(biāo)簽：IGBT功率器件 1961 0

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      硅功率器件現(xiàn)正開始達(dá)到其性能改進(jìn)被抑制的階段，不可避免的結(jié)論是來自硅進(jìn)一步支持的技術(shù)演進(jìn)的能力逐漸減弱?，F(xiàn)在明確地需要實(shí)質(zhì)上的具有顛覆性的技術(shù)。

      2020-09-01 標(biāo)簽：功率器件GaN 1958 0

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      自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后，全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。

      2021-12-08 標(biāo)簽：新能源汽車功率器件SiC 1958 0

      中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新史步入一個(gè)新紀(jì)元

      英諾賽科主要產(chǎn)品為30V-650V氮化鎵功率器件、功率模塊和射頻器件等，產(chǎn)品覆蓋面為全球氮化鎵企業(yè)之首。公司的IDM產(chǎn)業(yè)化模式及其首創(chuàng)的8英寸硅基氮化鎵...

      2020-09-22 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體功率器件 1955 0

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      英飛凌科技公司將“全球首次”使用口徑300mm的硅晶圓制造功率半導(dǎo)體。具體產(chǎn)品是有超結(jié)（Super Junction）構(gòu)造的功率MOSFET“CoolM...

      2013-02-25 標(biāo)簽：MOSFET晶圓功率器件 1954 0

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        工業(yè)4.0是由德國(guó)政府《德國(guó)2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國(guó)聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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        Nvidia 是全球圖形技術(shù)和數(shù)字媒體處理器行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商，NVIDIA的總部設(shè)在美國(guó)加利福尼亞州的圣克拉拉市，在20多個(gè)國(guó)家和地區(qū)擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進(jìn)的專業(yè)技術(shù)，在并行處理方面實(shí)現(xiàn)了諸多突破。公司創(chuàng)立于1993年1月，總部位于美國(guó)加利福尼亞州圣克拉拉市。
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        　Windows Embedded Compact（即 Windows CE）是微軟公司嵌入式、移動(dòng)計(jì)算平臺(tái)的基礎(chǔ)，它是一個(gè)開放的、可升級(jí)的32位嵌入式操作系統(tǒng)，是基于掌上型電腦類的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
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        JDI（Java Debug Interface）是 JPDA 三層模塊中最高層的接口，定義了調(diào)試器（Debugger）所需要的一些調(diào)試接口?；谶@些接口，調(diào)試器可以及時(shí)地了解目標(biāo)虛擬機(jī)的狀態(tài)，例如查看目標(biāo)虛擬機(jī)上有哪些類和實(shí)例等。
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