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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注42人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測(cè)試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：1827個(gè) 瀏覽：92461次 帖子：50個(gè)

      功率器件資訊

      用于下一代功率器件的金剛石基 GaN

      用于下一代功率器件的金剛石基 GaN

      由佐治亞理工學(xué)院機(jī)械工程學(xué)院領(lǐng)導(dǎo)的一個(gè)團(tuán)隊(duì)實(shí)施了一系列基于室溫表面活化鍵合（SAB）的結(jié)果，以鍵合具有不同夾層厚度的 GaN 和單晶金剛石。新開發(fā)的技術(shù)...

      2022-08-08 標(biāo)簽：工業(yè)功率器件GaN 2737 0

      SiC功率器件的柵極驅(qū)動(dòng)器電路優(yōu)化?

      SiC功率器件的柵極驅(qū)動(dòng)器電路優(yōu)化?

      隨著新型功率晶體管（例如 SiC Mosfets）越來越多地用于電力電子系統(tǒng)，因此有必要使用特殊的驅(qū)動(dòng)器。隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器通過提供對(duì) IGBT 和 MO...

      2022-08-09 標(biāo)簽：功率器件SiC柵極驅(qū)動(dòng)器 2726 0

      SiC前景火爆，國產(chǎn)功率器件廠商能否搶占市場(chǎng)先機(jī)？

      由于材料限制，傳統(tǒng)硅基功率器件在許多方面已逼近甚至達(dá)到了其材料的本征極限，如電壓阻斷能力、正向?qū)▔航怠⑵骷_關(guān)速度等，尤其在高頻和高功率領(lǐng)域更顯示出其局限性。

      2020-07-01 標(biāo)簽：二極管功率器件SiC 2725 0

      SiC功率器件有望為新能源汽車行業(yè)帶來新的變革

      近年來，功率器件逐漸成為眾人矚目的“焦點(diǎn)”。比亞迪功率器件產(chǎn)品總監(jiān)楊欽耀告訴《中國電子報(bào)》記者，功率器件是電力電子的“CPU”，是特高壓電網(wǎng)、高速列車、...

      2020-08-30 標(biāo)簽：新能源汽車半導(dǎo)體功率器件 2716 0

      意法半導(dǎo)體與吉利汽車簽署SiC長期供應(yīng)協(xié)議，共推新能源汽車創(chuàng)新

      近日，全球半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)意法半導(dǎo)體（簡稱ST）與國內(nèi)汽車及新能源汽車制造巨頭吉利汽車集團(tuán)宣布簽署了一項(xiàng)重要協(xié)議，雙方將在碳化硅（SiC）器件領(lǐng)域展...

      2024-06-07 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體功率器件碳化硅 2693 0

      碳化硅（SiC）功率器件在新能源汽車中的深入應(yīng)用解析

      碳化硅（SiC）功率器件在新能源汽車中的深入應(yīng)用解析

      采用多芯片并聯(lián)的SiC功率模塊，會(huì)產(chǎn)生較嚴(yán)重的電磁干擾和額外損耗，無法發(fā)揮SiC器件的優(yōu)良性能；SiC功率模塊雜散參數(shù)較大，可靠性不高。 （2）SiC功...

      2024-03-04 標(biāo)簽：新能源汽車功率器件SiC 2673 0

      森國科宣布完成C輪億元級(jí)融資

      國內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅（SiC）功率器件廠商深圳市森國科科技股份有限公司（以下簡稱“森國科”）宣布完成C輪億元級(jí)融資。

      2021-12-17 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體功率器件 2668 0

      銀河微電IPO成功過會(huì)！

      文｜Lee 集微網(wǎng)消息，9月25日，上海證券交易所科創(chuàng)板股票上市委員會(huì)召開了2020年第81次審議會(huì)議，根據(jù)審議結(jié)果顯示，銀河微電IPO成功過會(huì)。 長期...

      2020-09-30 標(biāo)簽：ipo功率器件 2659 0

      最準(zhǔn)確的生物識(shí)別認(rèn)證解決方案之一——掌靜脈

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      掌靜脈識(shí)別技術(shù)是人工智能技術(shù)中的一種生物識(shí)別技術(shù)，它是通過我們手掌的毛細(xì)血管對(duì)紅外線具有較強(qiáng)的吸收性，使得近紅外光照射后的手掌圖形會(huì)在皮下靜脈處呈現(xiàn)較暗...

      2023-08-22 標(biāo)簽：元器件功率器件 2642 0

      Vishay Siliconix發(fā)布新款N溝道TrenchFET功率MOSFET-SiR872ADP

      日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布新款采用熱增強(qiáng)型PowerPAK? SO-8封裝的...

      2013-04-23 標(biāo)簽：MOSFETVishay功率器件 2615 0

      基于HVPE的氮化鎵單晶襯底設(shè)備與工藝技術(shù)

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      第三代半導(dǎo)體，具有寬禁帶、高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、良好的化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn)，被業(yè)內(nèi)譽(yù)為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件...

      2023-12-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 2615 0

      龍騰半導(dǎo)體再度入圍“2022西安龍門榜TOP20”

      9月18日，以“科創(chuàng)驅(qū)動(dòng)發(fā)展·產(chǎn)業(yè)鏈接未來”為主題的2022全球創(chuàng)投峰會(huì)在西安舉行。全球創(chuàng)投峰會(huì)已成為西安市高質(zhì)量發(fā)展的發(fā)動(dòng)機(jī)、資本市場(chǎng)與金融、產(chǎn)業(yè)、科...

      2022-09-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件龍騰半導(dǎo)體 2603 0

      熱功率器件設(shè)計(jì)中所消耗的能源的數(shù)量

      功耗同樣是所有的電器設(shè)備都有的一個(gè)指標(biāo)，指的是在單位時(shí)間中所消耗的能源的數(shù)量，單位為W。電路中指整機(jī)或設(shè)備所需的電源功率。不過復(fù)印機(jī)和電燈不同，是不會(huì)始...

      2020-07-02 標(biāo)簽：功率器件硬件工程師電器設(shè)備 2577 0

      一文看懂SiC功率器件

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      一、什么是SiC半導(dǎo)體？1.SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，帶...

      2023-08-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料功率器件 2564 0

      采用自主創(chuàng)新技術(shù)開發(fā)的具有世界領(lǐng)先水平的高質(zhì)量藍(lán)寶石基鋁鈧氮薄膜模板產(chǎn)品

      采用自主創(chuàng)新技術(shù)開發(fā)的具有世界領(lǐng)先水平的高質(zhì)量藍(lán)寶石基鋁鈧氮薄膜模板產(chǎn)品

      規(guī)制備鋁鈧氮薄膜的技術(shù)有磁控濺射法（Sputtering）、分子束外延法（MBE）和金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法（MOCVD）。磁控濺射法是生長半導(dǎo)體薄膜的主...

      2021-03-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體濾波器功率器件 2555 0

      SIC功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀！

      近年來，SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹...

      2022-11-24 標(biāo)簽：功率器件SiC功率半導(dǎo)體 2548 0

      1500V光伏逆變器成主流，功率器件如何應(yīng)對(duì)？

      電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）作為全球電力電子頂尖展會(huì)PCIM Europe的姐妹展，PCIM Asia 2023（上海國際電力元件、可再生能源管理展覽...

      2023-09-19 標(biāo)簽：功率器件 2541 0

      功率半導(dǎo)體科普：MOSFET

      從市場(chǎng)份額看，MOSFET幾乎都集中在國際大廠手中，其中英飛凌2015年收購了IR（美國國際整流器公司）成為行業(yè)龍頭，安森美也在2016年9月完成對(duì)仙童...

      2022-12-12 標(biāo)簽：MOSFET功率器件 2541 0

      MOSFET特性、種類與制造過程

      半導(dǎo)體逆全球化發(fā)展趨勢(shì)明顯，成熟制程芯片國產(chǎn)替代迎來難得的窗口期。又逢能源改革和國產(chǎn)電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的歷史機(jī)遇，以MOSFET為代表的功率器件將率先...

      2022-08-19 標(biāo)簽：芯片MOSFET功率器件 2532 0

      世強(qiáng)硬創(chuàng)已獲545家全球知名原廠授權(quán)代理

      近日，世強(qiáng)先進(jìn)（深圳）科技股份有限公司（下稱“世強(qiáng)先進(jìn)”）與三家芯片供應(yīng)商——沁恒、中科億海微、恒沁微，一家集成電路供應(yīng)商——華冠半導(dǎo)體，以及一家功率器...

      2022-07-30 標(biāo)簽：芯片功率器件世強(qiáng) 2528 0

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        工業(yè)4.0是由德國政府《德國2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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        Nvidia 是全球圖形技術(shù)和數(shù)字媒體處理器行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠商，NVIDIA的總部設(shè)在美國加利福尼亞州的圣克拉拉市，在20多個(gè)國家和地區(qū)擁有約5700名員工。公司在可編程圖形處理器方面擁有先進(jìn)的專業(yè)技術(shù)，在并行處理方面實(shí)現(xiàn)了諸多突破。公司創(chuàng)立于1993年1月，總部位于美國加利福尼亞州圣克拉拉市。
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        OpenWrt 可以被描述為一個(gè)嵌入式的 Linux 發(fā)行版。（主流路由器固件有 dd-wrt，tomato，openwrt，padavan四類）對(duì)比一個(gè)單一的、靜態(tài)的系統(tǒng)，OpenWrt的包管理提供了一個(gè)完全可寫的文件系統(tǒng)，從應(yīng)用程序供應(yīng)商提供的選擇和配置，并允許您自定義的設(shè)備，以適應(yīng)任何應(yīng)用程序。
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        嵌入式操作系統(tǒng)（Embedded Operating System，簡稱：EOS）是指用于嵌入式系統(tǒng)的操作系統(tǒng)。嵌入式操作系統(tǒng)是一種用途廣泛的系統(tǒng)軟件，通常包括與硬件相關(guān)的底層驅(qū)動(dòng)軟件、系統(tǒng)內(nèi)核、設(shè)備驅(qū)動(dòng)接口、通信協(xié)議、圖形界面、標(biāo)準(zhǔn)化瀏覽器等。
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        　Windows Embedded Compact（即 Windows CE）是微軟公司嵌入式、移動(dòng)計(jì)算平臺(tái)的基礎(chǔ)，它是一個(gè)開放的、可升級(jí)的32位嵌入式操作系統(tǒng)，是基于掌上型電腦類的電子設(shè)備操作系統(tǒng)。
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        JDI
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        JDI（Java Debug Interface）是 JPDA 三層模塊中最高層的接口，定義了調(diào)試器（Debugger）所需要的一些調(diào)試接口?；谶@些接口，調(diào)試器可以及時(shí)地了解目標(biāo)虛擬機(jī)的狀態(tài)，例如查看目標(biāo)虛擬機(jī)上有哪些類和實(shí)例等。
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