MDD辰達(dá)半導(dǎo)體亮相環(huán)球資源香港展

全球最全面的消費(fèi)電子產(chǎn)品采購(gòu)展，匯集中國(guó)及亞洲地區(qū)的最高質(zhì)量 OEM/ODM 生產(chǎn)制造供應(yīng)商，為成熟的零售商?/?電子零售商和經(jīng)銷商提供消費(fèi)電子、電腦周...

2023-04-12 標(biāo)簽：MOSFET功率器件MDD 1349 0

派恩杰半導(dǎo)體榮獲“年度車規(guī)芯片市場(chǎng)突破獎(jiǎng)”

派恩杰半導(dǎo)體專注第三代半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域，產(chǎn)品涵蓋碳化硅MOSFET、碳化硅SBD以及氮化鎵HEMT等多個(gè)方向。始創(chuàng)于2018年，公司擁有國(guó)內(nèi)最為全面的...

2023-12-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1348 0

關(guān)于ESS產(chǎn)品中SiC器件的應(yīng)用

富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個(gè)性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設(shè)計(jì)周期。在第三代半導(dǎo)體的實(shí)際應(yīng)用領(lǐng)域...

2022-09-28 標(biāo)簽：功率器件可再生能源sic器件 1346 0

中微半導(dǎo)榮獲“國(guó)產(chǎn)功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng)”

日前中微半導(dǎo)體（深圳）股份有限公司（股票代碼688380，以下簡(jiǎn)稱“中微半導(dǎo)”）受邀出席同期的2022電源行業(yè)配套品牌頒獎(jiǎng)晚會(huì)，并憑借功率器件優(yōu)異市場(chǎng)表...

2023-03-07 標(biāo)簽：mcuIGBT中微半導(dǎo)體 1346 0

華虹半導(dǎo)體“8英寸+12英寸”全線發(fā)力 加速進(jìn)軍IGBT市場(chǎng)

IGBT是能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，被稱為“電力電子行業(yè)的CPU”。

2020-07-31 標(biāo)簽：物聯(lián)網(wǎng)IGBT功率器件 1346 0

三星電子進(jìn)軍氮化鎵市場(chǎng) 氮化鎵要“吃進(jìn)”部分碳化硅市場(chǎng)？

根據(jù)韓國(guó)媒體 BusinessKorea 報(bào)導(dǎo)，三星電子即將進(jìn)軍氮化鎵 （GaN）市場(chǎng)，目的是為了滿足汽車領(lǐng)域?qū)β拾雽?dǎo)體的需求。

2023-07-19 標(biāo)簽：三星電子功率器件氮化鎵 1340 0

寬禁帶材料測(cè)試

寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來越多，SiC、GaN等被廣泛應(yīng)...

2022-08-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 1333 0

電子功率器件陶瓷基板的熱疲勞和失效

如今功率半導(dǎo)體模塊主要用于控制電動(dòng)機(jī)，尤其是在運(yùn)輸應(yīng)用（汽車和航空電子設(shè)備）中。在提高大功率電子設(shè)備的可靠性和疲勞壽命，對(duì)于這些應(yīng)用中的實(shí)際挑戰(zhàn)是一個(gè)真...

2022-09-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件陶瓷基板 1331 0

鍇威特登陸上交所科創(chuàng)板掛牌上市

2023年8月18日，蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司在上海證券交易所科創(chuàng)板正式掛牌上市。股票名稱：鍇威特，股票代碼：688693。

2023-08-19 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體功率器件 1328 0

上市大漲超95% 鍇威特正式登陸科創(chuàng)板

蘇州鍇威特半導(dǎo)體股份有限公司于8月18日在科創(chuàng)板正式上市，發(fā)行價(jià)為每股40.83元。股票在開盤后大漲超過95%，截至發(fā)稿時(shí)的實(shí)時(shí)股價(jià)為每股79.65元，...

2023-08-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 1324 0

功率器件的進(jìn)階之路

隨著以硅材料為基礎(chǔ)的功率器件逐漸接近其理論極限值，利用寬禁帶半導(dǎo)體材料制造的電力電子器件顯示出比Si和GaAs更優(yōu)異的特性，給功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展帶來了...

2022-12-20 標(biāo)簽：功率器件電子管 1317 0

縮減LED/功率元件測(cè)試成本 PXI模組化SMU亮相

PXI模組化電源測(cè)量單元（SMU）儀器問世。高亮度發(fā)光二極體（LED）、絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體 （MOSFET）等需...

2014-02-18 標(biāo)簽：LEDNI功率器件 1316 0

碳化硅公司上半年難過盈利大關(guān)

　在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上，隨著越來越多的新參與者加入，碳化硅的產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)環(huán)節(jié)，如襯底、外延片、器件制造和應(yīng)用等，都有廠商進(jìn)行布局。

2023-09-19 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1315 0

意法半導(dǎo)體（ST）調(diào)整新戰(zhàn)略核心 五大成長(zhǎng)型市場(chǎng)可期

意法半導(dǎo)體（ST）新戰(zhàn)略的核心是MEMS及傳感器、智能功率、汽車芯片、微控制器、應(yīng)用處理器，其中包括數(shù)字消費(fèi)電子，這五大產(chǎn)品市場(chǎng)預(yù)計(jì)呈現(xiàn)長(zhǎng)期穩(wěn)定的增長(zhǎng)趨勢(shì)。

2012-12-12 標(biāo)簽：微控制器意法半導(dǎo)體應(yīng)用處理器 1314 0

富士通半導(dǎo)體量產(chǎn)可實(shí)現(xiàn)2.5kW電源的硅基板GaN功率器件

富士通半導(dǎo)體于日前宣布，利用配備該公司開發(fā)的硅基板GaN功率器件的服務(wù)器用電源，成功輸出了2.5kW的高功率，同時(shí)還公布了 2013年下半年開始量產(chǎn)硅基...

2012-11-12 標(biāo)簽：電源功率器件電源芯片 1307 0

長(zhǎng)光華芯子公司擬出資1億元增資惟清半導(dǎo)體

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的浩瀚星空中，長(zhǎng)光華芯作為一顆璀璨的明星，始終以其卓越的技術(shù)實(shí)力和前瞻性的戰(zhàn)略布局引領(lǐng)著行業(yè)的發(fā)展方向。近日，該公司再次傳來振奮人心的消息，...

2024-07-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件長(zhǎng)光華芯 1306 0