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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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復(fù)旦大學(xué)提出一種具有溫度傳感功能的低導(dǎo)通損耗雙極晶體管
針對(duì)未來(lái)智慧功率器件和模組中需要集成實(shí)時(shí)溫度傳感功能的需求,團(tuán)隊(duì)提出了一種具有空穴通道和溫度傳感功能的低導(dǎo)通損耗的新型載流子存儲(chǔ)溝槽柵雙極晶體管(HP-...
基本半導(dǎo)體榮獲中國(guó)電源學(xué)會(huì)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)
11月4-7日,2022中國(guó)電力電子與能量轉(zhuǎn)換大會(huì)暨中國(guó)電源學(xué)會(huì)第二十五屆學(xué)術(shù)年會(huì)及展覽會(huì)在廈門(mén)成功召開(kāi)。在同期舉行的第八屆中國(guó)電源學(xué)會(huì)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)儀...
首屆能源電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新大賽創(chuàng)佳績(jī),智芯公司摘金奪銀
1月18日,工信部第一屆能源電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新大賽全國(guó)總決賽圓滿(mǎn)落幕,經(jīng)過(guò)激烈角逐,智芯公司兩只參賽隊(duì)伍脫穎而出,斬獲金獎(jiǎng)、銀獎(jiǎng)各1項(xiàng),充分展現(xiàn)了智芯公司在能...
2024-01-29 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)功率器件直流充電樁 1266 0
800V高壓平臺(tái)加速落地,2022-2023年快速上量有望激活SiC一池春水。800V高壓快充平臺(tái)為解決里程焦慮的破局者,國(guó)內(nèi)外車(chē)企從2021年起掀起一...
士蘭微電子獲得德國(guó)萊茵TüV頒發(fā)的ISO 26262功能安全管理體系認(rèn)證證書(shū)
近日,獨(dú)立第三方檢測(cè)、檢驗(yàn)和認(rèn)證機(jī)構(gòu)德國(guó)萊茵TüV集團(tuán)(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“TüV萊茵”)正式向杭州士蘭微電子股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“士蘭微電子”)頒發(fā)ISO 2...
汽車(chē)領(lǐng)域?qū)⑹俏磥?lái)碳化硅最大的應(yīng)用市場(chǎng)
SiC功率器件下游應(yīng)用廣泛,市場(chǎng)快速放量。得益于優(yōu)異的能源轉(zhuǎn)換效率,碳化硅功率器件在電動(dòng)汽車(chē)/充電樁、光伏新能源、軌道交通、智能電網(wǎng)、家電等領(lǐng)域 均有廣...
高頻驅(qū)動(dòng),有利于外圍元器件的小型化 在PWM逆變器驅(qū)動(dòng)時(shí)的損耗仿真中,與同等額定電流的IGBT模塊相比,相同開(kāi)關(guān)頻率的損耗在5kHz時(shí)減少30%、20k...
森國(guó)科碳化硅MOSFET-KM040120R的優(yōu)勢(shì)
2022世界半導(dǎo)體大會(huì)暨南京國(guó)際半導(dǎo)體博覽會(huì)在南京盛大開(kāi)幕!本屆大會(huì)廣泛邀請(qǐng)了國(guó)內(nèi)外知名半導(dǎo)體企業(yè)以及產(chǎn)業(yè)、學(xué)術(shù)、科研、投資界代表出席,共同探討新環(huán)境、...
SiC功率器件崛起,新能源汽車(chē)迎來(lái)性能革命!
隨著新能源汽車(chē)行業(yè)的快速發(fā)展,電力電子技術(shù)在其中扮演著越來(lái)越重要的角色。特別是功率半導(dǎo)體器件,作為電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心部件,其性能直接影響到新能源汽...
2024-01-15 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)功率器件SiC 1251 0
百能云芯與仁懋深度互聯(lián),強(qiáng)勢(shì)上線多款二三極管
近日,一站式電.子元器.件交易平臺(tái)百能云芯與國(guó)內(nèi)知名半導(dǎo)體功率器件封測(cè)企業(yè)仁懋達(dá)成合作關(guān)系,將啟動(dòng)全新合作模式。屆時(shí),百能云芯將依托其豐富的終端客戶(hù)資源...
武漢芯源半導(dǎo)體發(fā)布主流通用型車(chē)規(guī)MCU產(chǎn)品CW32A030C8T7
近日,武漢芯源半導(dǎo)體正式發(fā)布首款基于Cortex-M0+內(nèi)核的CW32A030C8T7車(chē)規(guī)級(jí)MCU,這是武漢芯源半導(dǎo)體首款通過(guò)AEC-Q100 (Gra...
意法半導(dǎo)體(ST)在意大利打造世界首個(gè)一站式碳化硅產(chǎn)業(yè)園
??ST將在意大利卡塔尼亞新建8英寸碳化硅功率器件和模塊大規(guī)模制造及封測(cè)綜合基地。 ??這項(xiàng)多年長(zhǎng)期投資計(jì)劃預(yù)計(jì)投資總額達(dá)50億歐元,包括意大利政府按照...
2024-06-06 標(biāo)簽:ST意法半導(dǎo)體功率器件 1241 0
產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合如何為SiC功率器件工廠賦能?
由于其寬帶隙和優(yōu)異的材料特性, SiC基功率電子器件現(xiàn)在正成為許多殺手級(jí)應(yīng)用的后起之秀,例如汽車(chē)、光伏、快速充電、PFC等。
2023-12-08 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)功率器件SiC 1240 0
碳化硅(Silicon Carbide,SiC)功率器件因其寬禁帶、耐高壓、高溫、低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)等優(yōu)點(diǎn)備受矚目。然而,如何充分發(fā)揮碳化硅器件的性能...
東芝推出600V小型智能功率器件,助力降低電機(jī)功率損耗
TPD4162F采用新工藝制造,與東芝當(dāng)前的IPD產(chǎn)品TPD4152F相比可降低功率損耗約10%[1]。這有助于為集成該器件的設(shè)備降低總體功率損耗。
淺談寬禁帶半導(dǎo)體涉及到的幾個(gè)基礎(chǔ)問(wèn)題
功率電子材料和器件研發(fā)基本與國(guó)際同步,GaN功率器件邁向更廣的應(yīng)用領(lǐng)域,更全電壓等級(jí),從當(dāng)前100V/650V拓展到30V~1200V,可靠性升級(jí)實(shí)現(xiàn)從...
三菱電機(jī)將新建功率半導(dǎo)體模塊封裝與測(cè)試工廠
三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布,將投資約100億日元,在日本福岡縣的功率器件制作所建設(shè)一座新的功率半導(dǎo)體模塊封裝與測(cè)試工廠。該計(jì)劃最初于2023年3月14日宣布,...
2024-11-20 標(biāo)簽:三菱電機(jī)功率器件功率半導(dǎo)體 1231 0
后摩爾時(shí)代,洞見(jiàn)第三代功率半導(dǎo)體器件參數(shù)測(cè)試的趨勢(shì)和未來(lái)!
2022年,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)連續(xù)高增長(zhǎng),進(jìn)入調(diào)整周期。與此形成對(duì)比,在新能源汽車(chē)、光伏、儲(chǔ)能等需求帶動(dòng)下,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)保持高速發(fā)展,全球化供應(yīng)鏈體系正...
2023-05-30 標(biāo)簽:功率器件第三代半導(dǎo)體 1231 0
森國(guó)科亮相第十四屆亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇
2023年12月23日,由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的"第十四屆亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇深圳峰會(huì)"圓滿(mǎn)落幕,現(xiàn)場(chǎng)吸引了近3000名行業(yè)人士到場(chǎng),與專(zhuān)...
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