多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來源

本文介紹了在多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來源、分布、存在形式以及降低雜質(zhì)的方法。

2025-04-15 標(biāo)簽：多晶硅工藝碳化硅 163 0

LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)

本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開介紹，重點解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)，并結(jié)合不同工藝條件對材...

2025-04-09 標(biāo)簽：多晶硅半導(dǎo)體工藝 320 0

芯片制造中的多晶硅介紹

多晶硅（Polycrystalline Silicon，簡稱Poly）是由無數(shù)微小硅晶粒組成的非單晶硅材料。與單晶硅（如硅襯底）不同，多晶硅的晶粒尺寸通...

2025-04-08 標(biāo)簽：多晶硅工藝芯片制造 398 0

晶體管柵極多晶硅摻雜的原理和必要性

本文介紹了多晶硅作為晶體管的柵極摻雜的原理和必要性。

2025-04-02 標(biāo)簽：多晶硅半導(dǎo)體晶體管 307 0

硅片形貌效應(yīng)及其與底部抗反射涂層(BARC)沉積策略關(guān)系的解析

硅片形貌效應(yīng)在光刻工藝中十分重要，特別是在現(xiàn)代集成電路制造中，如FinFET等先進(jìn)器件結(jié)構(gòu)以及雙重圖形技術(shù)的廣泛應(yīng)用下，硅片表面的微小不平整性對光刻結(jié)果...

2024-11-22 標(biāo)簽：多晶硅硅片DPT 1132 0

多晶硅柵耗盡效應(yīng)簡述

當(dāng)柵與襯底之間存在壓差時，它們之間存在電場，靜電邊界條件使多晶硅靠近氧化層界面附近的能帶發(fā)生彎曲，并且電荷耗盡，從而形成多晶硅柵耗盡區(qū)。該耗盡區(qū)會在多晶...

2024-08-02 標(biāo)簽：多晶硅靜電NMOS 4572 0

淺析多晶硅錠中位錯存在的兩種來源

根據(jù)晶體凝固生長與位錯形成、運(yùn)動與增殖的理論，多晶硅錠中位錯存在兩種來源：原生和增殖。

2024-03-27 標(biāo)簽：多晶硅 748 0

有了2D NAND，為什么要升級到3D呢？

2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲器）的一種。

2024-03-17 標(biāo)簽：多晶硅NANDFlaSh 1328 0

可以用鋁或多晶硅做柵極材料，是什么原因呢？

柵（Gate）是一種控制元件，通常用于場效應(yīng)晶體管（FET）中，比如金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）等。

2024-03-13 標(biāo)簽：多晶硅MOSFET半導(dǎo)體 2641 0

芯片制造工藝：晶體生長基本流程

從液態(tài)的熔融硅中生長單晶硅的及基本技術(shù)稱為直拉法（Czochralski）。半導(dǎo)體工業(yè)中超過90%的單晶硅都是采用這種方法制備的。

2024-03-12 標(biāo)簽：集成電路多晶硅晶體 4835 0

多晶硅的塊狀破碎過程解析

人工破碎就是工人用碳化鎢錘多晶硅棒進(jìn)行錘擊達(dá)到粉碎的目的。碳化鎢的硬度僅次于鉆石，能夠保持鋒利的邊緣和形狀，即使在高強(qiáng)度使用下也不容易磨損。

2024-02-27 標(biāo)簽：多晶硅短脈沖放電高壓脈沖 1706 0

深度解析finFET設(shè)計規(guī)則

inFET 技術(shù)有幾個含義。最重要的是，硅鰭片的高度和寬度尺寸是由制造工藝決定的，而不是由電路設(shè)計者決定的。這意味著每個晶體管的寬度尺寸是由柵極多晶硅穿...

2024-02-21 標(biāo)簽：多晶硅晶體管集成芯片 2692 0

什么是離子注入？離子注入的應(yīng)用介紹

離子注入是將高能離子注入半導(dǎo)體襯底的晶格中來改變襯底材料的電學(xué)性能的摻雜工藝。通過注入能量、角度和劑量即可控制摻雜濃度和深度，相較于傳統(tǒng)的擴(kuò)散工藝更為精確。

2024-02-21 標(biāo)簽：多晶硅mems離子注入 5973 0

一文詳解MEMS高溫壓力傳感器

高溫壓力傳感器廣泛應(yīng)用于工業(yè)、航空航天等領(lǐng)域，用來監(jiān)測航空發(fā)動機(jī)、重型燃?xì)廨啓C(jī)、燃煤燃?xì)忮仩t等動力設(shè)備燃燒室內(nèi)的壓力，耐高溫和高可靠性是對其最基本的要求。

2024-01-23 標(biāo)簽：多晶硅mems壓力傳感器 5527 0

上海交大梁正：探究表面雜原子對硅烷解離影響

多晶硅（polysilicon）是太陽能電池、儲能設(shè)備和半導(dǎo)體領(lǐng)域中廣泛使用的關(guān)鍵材料。

2024-01-23 標(biāo)簽：太陽能電池多晶硅半導(dǎo)體 1039 0

硅的形態(tài)與沉積方式

優(yōu)化硅的形態(tài)與沉積方式是半導(dǎo)體和MEMS工藝的關(guān)鍵，LPCVD和APCVD為常見的硅沉積技術(shù)。

2024-01-22 標(biāo)簽：多晶硅半導(dǎo)體mems 4110 0

硅的電阻率和方阻測定和使用問題解析

在MEMS器件設(shè)計過程中電學(xué)性能是重中之重。MEMS大多數(shù)由襯底、介質(zhì)層和金屬層組成，硅襯底、多晶硅和金屬均與電學(xué)性能密不可分。

2024-01-13 標(biāo)簽：多晶硅硅晶圓MEMS器件 5161 0