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標簽 > 導通電阻
導通電阻是指二極管導通后兩端電壓與導通電流之比,是二極管的重要參數(shù)。
理想的PN結(jié)在正向?qū)ê髴撌菦]有電阻的,而實際的PN結(jié)比如二極管受材料、工藝的影響,在導通時實際上兩端還有一個電阻,這個電阻一般在幾歐到幾十歐之間,被稱為導通電阻。導通電阻可由二極管;兩端電壓和導通電流求得。
CSD17581Q3A 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊
這款 30V、3.2mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換損耗 應用。 *附件:CSD...
CSD18511Q5A 40V、N通道 NexFET? 功率 MOSFET,單 SON 5mm x 6mm,2.3mOhm技術(shù)手冊
這款 40 V、1.9 mΩ、SON 5 × 6 mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應用中的損耗。 *附件:csd18...
CSD18543Q3A 60V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊
這款 60V、8.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換中的損耗 應用。 *附件:C...
CSD18512Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊
這款 40 V、1.3 mΩ、5 mm × 6 mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應用中的損耗。 *附件:CSD185...
CSD18510Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊
這款 40V、0.79mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應用中的損耗。 *附件:CSD18...
CSD87313DMS 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、雙共漏 SON 3mm x 3mm、5.5mOhm數(shù)據(jù)手冊
CSD87313DMS 是一款 30V 共漏極、雙 N 通道器件,專為 USB Type-C/PD 和電池保護而設計。這款 SON 3.3mm × 3....
CSD22206W -8V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單通道 WLP 1.5 mm x 1.5 mm、5.7 mOhm、柵極ESD保護數(shù)據(jù)手冊
這款 –8V、4.7mΩ、1.5mm × 1.5mm 器件旨在以盡可能小的外形提供最低的導通電阻和柵極電荷,并在超薄外形中具有出色的熱特性。低導通電阻、...
CSD22205L -8V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 1.2 mm x 1.2 mm、9.9 mOhm、柵極ESD保護數(shù)據(jù)手冊
這款 –8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板柵格陣列 (LGA) NexFET? 器件旨在以盡可能小的外形提供最低的導通電阻和柵極電荷,并...
CSD87503Q3E 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、雙共源 SON 3mm x 3mm、21.9mOhm技術(shù)手冊
CSD87503Q3E 是一款 30V、13.5mΩ、共源、雙 N 通道器件,專為 USB Type-C/PD 和電池保護而設計。這款 SON 3.3 ...
5.7V、5A、14mΩ 導通電阻負載開關(guān)TPS2295x數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-04-07 標簽:導通電阻負載開關(guān)
5.5V,15A,4.4mΩ 導通電阻負載開關(guān)TPS22959數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-04-07 標簽:導通電阻負載開關(guān)
5.5V,10A,4.4mΩ 導通電阻負載開關(guān)TPS22962數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-04-07 標簽:導通電阻負載開關(guān)
5.5V、10A、導通電阻為 3.9mΩ 的負載開關(guān)TPS22990數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-04-07 標簽:導通電阻負載開關(guān)
5.5V、4A、14mΩ 導通電阻雙通道負載開關(guān)TPS22996數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-04-07 標簽:導通電阻負載開關(guān)
具有可調(diào)上升時間的5.5V、3.8A、18mΩ導通電阻負載開關(guān)TPS22995數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-04-03 標簽:導通電阻負載開關(guān)
具有受控接通功能的超小型、低導通電阻負載開關(guān)TPS2291xx數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-04-02 標簽:導通電阻負載開關(guān)
5.5V、3A、19mΩ 導通電阻汽車類負載開關(guān)TPS22995H-Q1數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-04-01 標簽:導通電阻負載開關(guān)
5.5V、4A、16mΩ 導通電阻汽車負載開關(guān)TPS22965x-Q1數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-03-28 標簽:導通電阻負載開關(guān)
5.5V、10A、導通電阻為 4mΩ 的負載開關(guān)TPS22998數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-03-27 標簽:導通電阻負載開關(guān)
國產(chǎn)碳化硅MOSFET“最低比導通電阻”宣傳噱頭背后隱藏的真相
國產(chǎn)碳化硅MOSFET“最低導通電阻和最低比導通電阻”宣傳噱頭背后隱藏的真相與潛在危害分析: 為了謀求短期利益博取融資或者投資,中長期損害終端客戶利益和...
納芯微升級電流傳感器NSM201x-P系列,性能卓越賦能多領域
納芯微公司近期推出了NSM201x-P系列電流傳感器,該系列是對已量產(chǎn)的NSM201x系列的全面升級與補充。基于深厚的技術(shù)積累,NSM201x-P系列在...
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近日,銳駿半導體正式推出了兩款全新的超低導通電阻MOSFET產(chǎn)品,為市場帶來了更加高效的解決方案。
Qorvo?推出采用TOLL封裝的750V4mΩSiC JFET
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士蘭微電子車規(guī)級MOS產(chǎn)品獲CIAS2024年度“最具市場力產(chǎn)品獎”
2024年4月23-24日,CIAS2024功率半導體新能源創(chuàng)新發(fā)展大會暨 CIAShow功率半導體、裝備與材料創(chuàng)新展在蘇州獅山國際會議中心舉辦,士蘭微...
碳化硅MOSFET能讓新能源汽車充電速度提高5-10倍,續(xù)航里程提高8%以上,能耗降低50%,優(yōu)異的性能讓其成為新能源汽車所需的關(guān)鍵元器件。
瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET通過了車規(guī)級可靠性認證
3月8日,瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴格的車規(guī)級可靠性認證(AEC-Q101 Qualified)。
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