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標簽 > 導通電阻
導通電阻是指二極管導通后兩端電壓與導通電流之比,是二極管的重要參數(shù)。
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TPS22990 5.5V、10A、3.9mΩ 負載開關,具有可調上升時間、電源正常和可選輸出放電數(shù)據(jù)手冊
TPS22990 產品系列由兩個器件組成:TPS22990 和 TPS22990N。每個器件都是一個 3.9mΩ 單通道負載開關,具有受控和可調導通功能...
TPS22976 2 通道、5.7V、6A、14mΩ 負載開關,具有可調上升時間和可選輸出放電數(shù)據(jù)手冊
TPS22976 產品系列由三個器件組成:TPS22976、TPS22976A 和 TPS22976N。每個器件都是一個具有受控導通功能的雙通道負載開關...
TPS22916 具有輸出放電的 5.5V、2A、60mΩ、10nA 漏電流負載開關數(shù)據(jù)手冊
TPS22916xx 是一款小型單通道負載開關,使用低泄漏 P 溝道 MOSFET,可實現(xiàn)最小的功率損耗。先進的柵極控制設計支持低至 1 V 的工作電壓...
TPS22917 5.5V、2A、80mΩ、10nA 漏負載開關可調上升時間和可調輸出放電數(shù)據(jù)手冊
TPS22917x 器件是一款小型單通道負載開關,使用低泄漏 P 溝道 MOSFET,可實現(xiàn)最小的功率損耗。先進的柵極控制設計支持低至 1 V 的工作電...
TPS22810-Q1 汽車類 1 通道、18V、2A、79mΩ 負載開關,具有可調上升時間和可調輸出放電數(shù)據(jù)手冊
TPS22810-Q1 是一款單通道負載開關,具有可配置的上升時間和集成的快速輸出放電 (QOD)。該器件具有熱關斷功能,可保護器件免受高結溫的影響,從...
TPS272C45 具有可調電流限制的 36V、45mΩ、3A、2 通道、工業(yè)高側開關數(shù)據(jù)手冊
TPS272C45 是一款雙通道智能高邊開關,旨在滿足工業(yè)控制系統(tǒng)的要求。低導通電阻 (R DS(on) 為 45 mΩ)可最大限度地降低器件功耗,從而...
TPS7H2221-SEP 耐輻射 1.6V 至 5.5V 輸入 1.25A 負載開關數(shù)據(jù)手冊
TPS7H2221-SEP 器件是一款小型單通道負載開關,具有受控的轉換速率。該器件包含一個 N 溝道 MOSFET,可在 1.6 V 至 5.5 V ...
CSD17581Q3A 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET技術手冊
這款 30V、3.2mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉換損耗 應用。 *附件:CSD...
CSD18511Q5A 40V、N通道 NexFET? 功率 MOSFET,單 SON 5mm x 6mm,2.3mOhm技術手冊
這款 40 V、1.9 mΩ、SON 5 × 6 mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉換應用中的損耗。 *附件:csd18...
CSD18543Q3A 60V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊
這款 60V、8.1mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉換中的損耗 應用。 *附件:C...
CSD18512Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET數(shù)據(jù)手冊
這款 40 V、1.3 mΩ、5 mm × 6 mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉換應用中的損耗。 *附件:CSD185...
CSD18510Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET技術手冊
這款 40V、0.79mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉換應用中的損耗。 *附件:CSD18...
CSD87313DMS 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、雙共漏 SON 3mm x 3mm、5.5mOhm數(shù)據(jù)手冊
CSD87313DMS 是一款 30V 共漏極、雙 N 通道器件,專為 USB Type-C/PD 和電池保護而設計。這款 SON 3.3mm × 3....
CSD22206W -8V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單通道 WLP 1.5 mm x 1.5 mm、5.7 mOhm、柵極ESD保護數(shù)據(jù)手冊
這款 –8V、4.7mΩ、1.5mm × 1.5mm 器件旨在以盡可能小的外形提供最低的導通電阻和柵極電荷,并在超薄外形中具有出色的熱特性。低導通電阻、...
CSD22205L -8V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個 LGA 1.2 mm x 1.2 mm、9.9 mOhm、柵極ESD保護數(shù)據(jù)手冊
這款 –8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板柵格陣列 (LGA) NexFET? 器件旨在以盡可能小的外形提供最低的導通電阻和柵極電荷,并...
CSD87503Q3E 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET、雙共源 SON 3mm x 3mm、21.9mOhm技術手冊
CSD87503Q3E 是一款 30V、13.5mΩ、共源、雙 N 通道器件,專為 USB Type-C/PD 和電池保護而設計。這款 SON 3.3 ...
MOS管的損耗是一個復雜而重要的議題,它涉及到多個因素,包括MOS管本身的物理特性、電路設計、工作條件以及外部環(huán)境等。
SiC MOSFET:通過波形的線性近似分割來計算損耗的方法
首先,計算開通和關斷時間內消耗的功率損耗Pton和Ptoff。波形使用圖1中的示例波形。功率損耗使用表1中的近似公式來計算。由于計算公式會因波形的形狀而...
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