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      工藝

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      工藝技術(shù)

      FOPLP工藝面臨的挑戰(zhàn)

      FOPLP工藝面臨的挑戰(zhàn)

      FOPLP 技術(shù)目前仍面臨諸多挑戰(zhàn)，包括：芯片偏移、面板翹曲、RDL工藝能力、配套設(shè)備和材料、市場(chǎng)應(yīng)用等方面。

      2025-07-21 標(biāo)簽：芯片封裝工藝 159 0

      Allegro Skill工藝輔助之DFM檢查

      Allegro Skill工藝輔助之DFM檢查

      DFM（Design for Manufacturability，可制造性設(shè)計(jì)）；是指產(chǎn)品設(shè)計(jì)需要滿足產(chǎn)品制造的工藝要求，具有良好的可制造性，使得產(chǎn)品以...

      2025-07-17 標(biāo)簽：pcb工藝allegro 206 0

      一文詳解封裝缺陷分類

      一文詳解封裝缺陷分類

      在電子器件封裝過程中，會(huì)出現(xiàn)多種類型的封裝缺陷，主要涵蓋引線變形、底座偏移、翹曲、芯片破裂、分層、空洞、不均封裝、毛邊、外來顆粒以及不完全固化等。

      2025-07-16 標(biāo)簽：芯片封裝工藝 706 0

      Allegro Skill工藝輔助之導(dǎo)入疊層模板

      Allegro Skill工藝輔助之導(dǎo)入疊層模板

      在PCB設(shè)計(jì)中，導(dǎo)入疊層模板能夠確保設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)化和規(guī)范化，避免因手動(dòng)設(shè)置疊層參數(shù)而可能出現(xiàn)的錯(cuò)誤或不一致情況。

      2025-07-10 標(biāo)簽：工藝PCB設(shè)計(jì)allegro 1276 0

      半導(dǎo)體的常見表征手段

      半導(dǎo)體的常見表征手段

      在半導(dǎo)體工藝研發(fā)與制造過程中，精確的表征技術(shù)是保障器件性能與良率的核心環(huán)節(jié)。

      2025-07-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝離子束 398 0

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      氧化硅薄膜和氮化硅薄膜是兩種在CMOS工藝中廣泛使用的介電層薄膜。

      2025-06-24 標(biāo)簽：CMOS單片機(jī)工藝 354 0

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      硅熔融鍵合工藝概述

      硅片鍵合作為微機(jī)械加工領(lǐng)域的核心技術(shù)，其工藝分類與應(yīng)用場(chǎng)景的精準(zhǔn)解析對(duì)行業(yè)實(shí)踐具有重要指導(dǎo)意義。

      2025-06-20 標(biāo)簽：射頻工藝硅片 258 0

      一文詳解銅互連工藝

      一文詳解銅互連工藝

      銅互連工藝是一種在集成電路制造中用于連接不同層電路的金屬互連技術(shù)，其核心在于通過“大馬士革”（Damascene）工藝實(shí)現(xiàn)銅的嵌入式填充。該工藝的基本原...

      2025-06-16 標(biāo)簽：集成電路工藝互連 987 0

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      TGV（Through Glass Via）和TSV（Through Silicon Via）是兩種用于實(shí)現(xiàn)不同層面之間電氣連接的技術(shù)。

      2025-06-16 標(biāo)簽：芯片工藝玻璃基板 386 0

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      在5納米以下的芯片制程中，晶體管柵極介質(zhì)層的厚度已縮至1納米以下（約5個(gè)原子層）。此時(shí)，傳統(tǒng)二氧化硅（SiO?）如同漏水的薄紗，電子隧穿導(dǎo)致的漏電功耗可...

      2025-06-12 標(biāo)簽：等離子體工藝晶體管 627 0

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      工藝資訊

      新思科技與三星深化合作加速AI和Multi-Die設(shè)計(jì)

      新思科技近日宣布，正與三星代工廠持續(xù)緊密合作，為先進(jìn)邊緣AI、HPC和AI應(yīng)用的下一代設(shè)計(jì)提供強(qiáng)大支持。雙方合作助力共同客戶實(shí)現(xiàn)復(fù)雜設(shè)計(jì)的成功流片，并縮...

      2025-07-18 標(biāo)簽：工藝eda新思科技 210 0

      Inphi借助Cadence技術(shù)完成7nm全芯片扁平化設(shè)計(jì)流片

      Inphi 是高速數(shù)據(jù)移動(dòng)互連領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，致力于在全球范圍內(nèi)、數(shù)據(jù)中心之間以及數(shù)據(jù)中心內(nèi)部快速傳輸大數(shù)據(jù)。

      2025-06-06 標(biāo)簽：cpu工藝Cadence 650 0

      創(chuàng)飛芯55nm BCD工藝OTP IP實(shí)現(xiàn)上架

      近日，珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司宣布，其自主研發(fā)的 55BCD ( 55nm Bipolar-CMOS-DMOS Generic Process) 工藝 O...

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      Cadence推出eUSB2V2 IP解決方案

      為了提供更好的用戶體驗(yàn)，包括高質(zhì)量的視頻傳輸、更新的筆記本電腦（例如最新的 AI PC）和其他前沿設(shè)備，都需要 5 納米及以下的先進(jìn)節(jié)點(diǎn) SoC，以達(dá)成...

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      磁致伸縮位移傳感器的核心工藝

      磁致伸縮位移傳感器核心工藝涉及波導(dǎo)絲材料加工、磁環(huán)設(shè)計(jì)、電子電路集成、信號(hào)接口、EMC設(shè)計(jì)、測(cè)桿封裝及系統(tǒng)校準(zhǔn)。技術(shù)突破需解決高精度、微型化與抗干擾能力...

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      引言 結(jié)晶作為API生產(chǎn)的最后一道工序，除了用于純化外，還可以實(shí)現(xiàn)晶型與粒度控制。晶型和粒度影響口服藥物生物利用度。其中，粒度分布(PSD)是一個(gè)重要的...

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      IEDM 2024先進(jìn)工藝探討(三):2D材料技術(shù)的進(jìn)展及所遇挑戰(zhàn)

      IEDM 2024先進(jìn)工藝探討(三):2D材料技術(shù)的進(jìn)展及所遇挑戰(zhàn)

      【編者按】 IEEE國際電子器件會(huì)議 （IEDM） 是全球領(lǐng)先的微電子器件制造和材料技術(shù)論壇，展現(xiàn)最前沿的半導(dǎo)體和電子器件技術(shù)、設(shè)計(jì)、制造、物理材料領(lǐng)域...

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      日本政府斥資千億助力Rapidus 2nm量產(chǎn)

      近日，日本政府宣布了一項(xiàng)重大決策，旨在加速下一代半導(dǎo)體的量產(chǎn)進(jìn)程。近日，日本政府通過內(nèi)閣會(huì)議，決定修訂《信息處理促進(jìn)法》和《特別會(huì)計(jì)法》，為Rapidu...

      2025-02-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝Rapidus 513 0

      晶圓切割的定義和功能

      Dicing 是指將制造完成的晶圓（Wafer）切割成單個(gè) Die 的工藝步驟，是從晶圓到獨(dú)立芯片生產(chǎn)的重要環(huán)節(jié)之一。每個(gè) Die 都是一個(gè)功能單元，D...

      2025-02-11 標(biāo)簽：芯片晶圓工藝 1303 0

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      背金工藝是什么？ 背金，又叫做背面金屬化。晶圓經(jīng)過減薄后，用PVD的方法（濺射和蒸鍍）在晶圓的背面鍍上金屬。 背金的金屬組成？ 一般有三層金屬。一層是黏...

      2025-02-10 標(biāo)簽：晶圓工藝PVD 1340 0

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      工藝數(shù)據(jù)手冊(cè)

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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        STM32F103C8T6是一款集成電路，芯體尺寸為32位，程序存儲(chǔ)器容量是64KB，需要電壓2V~3.6V，工作溫度為-40°C ~ 85°C。
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        +關(guān)注
        　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
      • 靜電防護(hù)
        靜電防護(hù)
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
      • ESP8266
        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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