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標(biāo)簽 > 柵極驅(qū)動(dòng)
什么是柵極驅(qū)動(dòng),說(shuō)白了就是MOSFET的G極的驅(qū)動(dòng),柵極用PWM方波驅(qū)動(dòng),但是會(huì)形成RLC振蕩電路,原因是電容是寄生的,電感受布線影響較大,但是也屬于寄生電感的范疇,這樣輸入會(huì)形成LC振蕩,導(dǎo)致MOSFET各種打開關(guān)閉,很容易燒毀MOSFET。
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CSD17318Q2 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊(cè)
這款 30V、12.6mΩ、2mm × 2mm SON NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地減少功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗,并針對(duì) 5V 柵極驅(qū)...
2025-04-15 標(biāo)簽:MOSFET封裝柵極驅(qū)動(dòng) 157 0
UCC28600 8 引腳準(zhǔn)諧振反激式綠色模式控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC28600 是一款具有先進(jìn)能量功能的 PWM 控制器,可滿足嚴(yán)格的 全球能效要求。 UCC28600 集成了內(nèi)置的高級(jí)節(jié)能功能與高級(jí)保護(hù) 為...
2025-04-02 標(biāo)簽:頻率PWM控制器柵極驅(qū)動(dòng) 177 0
TPS51275 具有 5V 和 3.3V LDO 的 5.5V 至 24V、雙同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPS51275、TPS51275B 和 TPS51275C 是高性價(jià)比的雙同步降壓控制器,適用于筆記本電腦系統(tǒng)電源解決方案。它提供 5V 和 3.3V...
2025-03-26 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器電荷泵柵極驅(qū)動(dòng) 389 0
KP8562X 在 BLDC 驅(qū)動(dòng)中的應(yīng)用介紹
無(wú)刷直流電機(jī) (BLDC) 具有壽命長(zhǎng)、靜音、高動(dòng)態(tài)響應(yīng)等諸多優(yōu)點(diǎn),在各類應(yīng)用中的使用已越來(lái)越普遍。常用的 BLDC 驅(qū)動(dòng)多由控制單元、三顆半橋柵極驅(qū)動(dòng)...
2025-03-08 標(biāo)簽:MOSFETBLDC無(wú)刷直流電機(jī) 540 0
利用用于多相偏置解決方案的 GMR10Dx 模塊優(yōu)化工業(yè)電機(jī)控制系統(tǒng)中的功率控制器
作者:Ganmar Technologies 2024-12-12 本文探討了開發(fā)可靠安全的多相功率控制器所面臨的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)和主要考慮因素。文中利用具有浮...
2025-01-25 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器GaN功率控制器 446 0
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的GS(柵極...
2024-09-18 標(biāo)簽:電阻MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3270 0
柵極驅(qū)動(dòng)IC虛焊是否會(huì)導(dǎo)致燒毀,這個(gè)問(wèn)題涉及到多個(gè)因素,包括虛焊的嚴(yán)重程度、工作環(huán)境條件以及柵極驅(qū)動(dòng)IC本身的特性等。以下是對(duì)這一問(wèn)題的分析: 一、虛焊...
柵極驅(qū)動(dòng)芯片提高電流的方法主要有以下幾種: 1. 增加功率管 增加MOSFET數(shù)量 :通過(guò)增加MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)等功率管的數(shù)量...
2024-09-18 標(biāo)簽:芯片電流場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1022 0
柵極驅(qū)動(dòng)芯片選型時(shí)考慮低功耗的原因主要有以下幾點(diǎn): 1. 降低系統(tǒng)能耗 低功耗的柵極驅(qū)動(dòng)芯片能夠顯著降低整個(gè)系統(tǒng)的待機(jī)功耗,這對(duì)于需要長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行的電子設(shè)...
2024-09-18 標(biāo)簽:芯片電子設(shè)備柵極驅(qū)動(dòng) 727 0
igbt柵極驅(qū)動(dòng)的參數(shù)要求和驅(qū)動(dòng)條件
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT柵極驅(qū)動(dòng)是IGBT正常工作的關(guān)鍵部分,其參數(shù)要求和驅(qū)動(dòng)條件對(duì)IGBT的...
2024-07-25 標(biāo)簽:IGBT參數(shù)柵極驅(qū)動(dòng) 1749 0
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強(qiáng)魯棒性低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)指導(dǎo)手冊(cè)
標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng) 556 0
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如何解決電機(jī)電能效率中的柵極驅(qū)動(dòng)與電流信號(hào)隔離問(wèn)題?
標(biāo)簽:電機(jī)電流信號(hào)柵極驅(qū)動(dòng) 1470 1
HT7167帶輸出關(guān)斷的13V12A全集成同步升壓轉(zhuǎn)換器中文手冊(cè)立即下載
類別:IC中文資料 2025-04-14 標(biāo)簽:柵極驅(qū)動(dòng)同步升壓轉(zhuǎn)換器 41 0
半橋驅(qū)動(dòng)器HPD2606X的技術(shù)參數(shù)與應(yīng)用特性立即下載
類別:電子資料 2025-03-06 標(biāo)簽:柵極驅(qū)動(dòng)高壓集成電路功率驅(qū)動(dòng) 90 0
CMT8603X單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器的技術(shù)參數(shù)、應(yīng)用場(chǎng)景及其認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)立即下載
類別:電子資料 2025-02-21 標(biāo)簽:逆變器功率半導(dǎo)體柵極驅(qū)動(dòng) 218 0
類別:電子資料 2025-02-12 標(biāo)簽:MOSFET柵極驅(qū)動(dòng) 82 0
柵極驅(qū)動(dòng)電壓與效率的關(guān)系立即下載
類別:電子資料 2024-12-21 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)器柵極驅(qū)動(dòng) 210 0
類別:電子資料 2024-10-25 標(biāo)簽:MOSFET自舉電路柵極驅(qū)動(dòng) 213 0
預(yù)測(cè)性柵極驅(qū)動(dòng)提高轉(zhuǎn)換器效率立即下載
類別:電子資料 2024-10-21 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器柵極驅(qū)動(dòng) 298 0
通過(guò)覆蓋VLO調(diào)節(jié)器來(lái)改變UCC27221和UCC27222柵極驅(qū)動(dòng)電壓立即下載
類別:電子資料 2024-10-21 標(biāo)簽:MOSFET調(diào)節(jié)器柵極驅(qū)動(dòng) 136 0
FD6288半橋柵極驅(qū)動(dòng)集成電路芯片英文手冊(cè)立即下載
類別:IC datasheet pdf 2024-09-21 標(biāo)簽:集成電路MOSFETIGBT 622 0
級(jí)聯(lián)兩個(gè)TPSI3050隔離式開關(guān)驅(qū)動(dòng)器,以增加?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)電壓立即下載
類別:電子資料 2024-08-27 標(biāo)簽:MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)開關(guān)驅(qū)動(dòng)器 196 0
在EMC中,MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)電路常見類型
在EMC中,MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)電路常見類型
2025-04-14 標(biāo)簽:MOSFETemc柵極驅(qū)動(dòng) 192 0
微源半導(dǎo)體推出650V半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片LPD2106
LPD2106是一款高耐壓的半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片,具有0.3A拉電流和1.0A灌電流能力,專用于驅(qū)動(dòng)N溝道MOSFET或IGBT組成的半橋。LPD2106集...
2025-03-08 標(biāo)簽:MOSFET邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng) 499 0
東芝TLP5814H 具備增強(qiáng)安全功能的SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)宣布,最新推出一款可用于驅(qū)動(dòng)碳化硅(SiC)MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器——“ TLP5814H ”,具備...
2025-03-06 標(biāo)簽:MOSFET光電耦合器柵極驅(qū)動(dòng) 1055 0
如何通過(guò)單顆芯片實(shí)現(xiàn)雙通道控制?主流混碳柵極驅(qū)動(dòng)芯片解析
導(dǎo)語(yǔ):在過(guò)去的一個(gè)多月,我們從最基礎(chǔ)的器件入手,深入了解再探討SiC MOSFET與Si IGBT的單個(gè)特性和并聯(lián)后的表現(xiàn),并借助一些案例說(shuō)明了如何利用...
2025-02-08 標(biāo)簽:芯片ST柵極驅(qū)動(dòng) 464 0
MS31703NA——H 橋柵極驅(qū)動(dòng)控制器
MS31703NA 是一款小型單通道 H 橋柵極驅(qū)動(dòng)器。它使用四個(gè)外部 N 通道 MOSFET,驅(qū)動(dòng)一個(gè)雙向刷式直流電機(jī)。提供方案和FAE支持,歡迎了解咨詢
2024-11-14 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)控制器柵極驅(qū)動(dòng) 603 0
東芝推出柵極驅(qū)動(dòng)IC TB9084FTG工程樣品
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(簡(jiǎn)稱“東芝”)今日正式宣布推出專為3相直流無(wú)刷電機(jī)設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)IC——“TB9084FTG”工程樣品,此產(chǎn)品旨在滿足車...
2024-10-31 標(biāo)簽:東芝柵極驅(qū)動(dòng)直流無(wú)刷電機(jī) 555 0
納芯微發(fā)布首款1200V SiC MOSFET,為高效、可靠能源變換再添助力!
納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品,該產(chǎn)品RDSon為60mΩ,具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-2...
2024-10-29 標(biāo)簽:SiC柵極驅(qū)動(dòng)碳化硅 519 0
技術(shù)分享 柵極驅(qū)動(dòng)器及其應(yīng)用介紹
一、柵極驅(qū)動(dòng)器介紹 1)為什么需要柵極驅(qū)動(dòng)器? 2)功率器件開關(guān)過(guò)程介紹 3)三種常見驅(qū)動(dòng)芯片介紹 二、隔離方案介紹 1)為什么需要隔離驅(qū)動(dòng) ...
2024-09-10 標(biāo)簽:芯片柵極驅(qū)動(dòng)納芯微 755 0
基于Psoc&TLE92108柵極驅(qū)動(dòng)芯片電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案
隨著汽車行業(yè)對(duì)自動(dòng)化的需求增加,汽車用戶在使用汽車的時(shí)候更加希望擁有便捷的操作體驗(yàn),電機(jī)驅(qū)動(dòng)在這個(gè)需求上扮演著一個(gè)非常重要的角色。電機(jī)替代了人力去操作某...
2024-05-11 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)柵極驅(qū)動(dòng) 1350 0
國(guó)產(chǎn)柵極驅(qū)動(dòng)芯片選型方法指南:工程師必備干貨,輕松掌握選型技巧!
在當(dāng)今電子設(shè)備的設(shè)計(jì)中,柵極驅(qū)動(dòng)芯片的作用不可小覷。作為控制開關(guān)管導(dǎo)通與關(guān)斷的關(guān)鍵元件,它直接影響著電路的穩(wěn)定運(yùn)行。近年來(lái)隨著我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,...
2024-04-24 標(biāo)簽:芯片柵極驅(qū)動(dòng) 2563 0
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