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柵極驅(qū)動器

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　　柵極驅(qū)動器是一個用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動用于數(shù)字信號傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時，使用微控制器輸出不會損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動功率較大的晶體管。

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全部技術(shù) 資訊資料帖子視頻產(chǎn)品方案企業(yè) 柵極驅(qū)動器選型

柵極驅(qū)動器技術(shù)

LM5102系列具有 8V UVLO 和可編程延遲的 2A、100V 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

LM5102 高壓柵極驅(qū)動器設(shè)計用于在同步降壓或半橋配置中驅(qū)動高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動高壓側(cè)驅(qū)動器能夠在高達(dá) 100 V 的電源電壓...

2025-05-21 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 電阻器 217 0

LM5104系列具有 8V UVLO 和自適應(yīng)延遲的 2A、100V 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

LM5104 高壓柵極驅(qū)動器旨在驅(qū)動高側(cè)和采用同步降壓配置的低側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動高邊驅(qū)動器可以可在高達(dá) 100 V 的電源電壓下工作。...

2025-05-21 標(biāo)簽：MOSFET 封裝電平轉(zhuǎn)換器 242 0

LM5111系列具有高電平或低電平有效輸出 4V UVLO 的 5A/3A 雙通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

LM5111 雙通道柵極驅(qū)動器以更高的峰值輸出電流和效率取代了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動器。每個*復(fù)合*輸出驅(qū)動器級都包括并聯(lián)工作的 MOS 和雙極晶體管，它們共...

2025-05-21 標(biāo)簽：封裝輸出電流峰值電流 275 0

LM5112系列具有 4V UVLO 和輸入接地的 3A/7A 單通道柵極驅(qū)動器，用于雙電源供電數(shù)據(jù)手冊

LM5112 器件 MOSFET 柵極驅(qū)動器采用微型 6 引腳 WSON 封裝（相當(dāng)于 SOT-23 封裝）或 8 引腳裸露焊盤 MSOP 封裝，可提供...

2025-05-21 標(biāo)簽：MOSFET 電源供電峰值電流 305 0

LM5100A 具有 8V UVLO 和 CMOS 輸入的 3A、100V 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅(qū)動器設(shè)計用于驅(qū)動采用同步降壓或半橋配置的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動高...

2025-05-21 標(biāo)簽：CMOS 電平轉(zhuǎn)換器電源電壓 255 0

LM5101A 具有 8V UVLO 和 TTL 輸入的 3A、100V 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅(qū)動器設(shè)計用于驅(qū)動采用同步降壓或半橋配置的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動高...

2025-05-21 標(biāo)簽：CMOS TTL 電源電壓 236 0

LM5107系列具有 8V UVLO 的 1.4A、100V 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

LM5107 是一款低成本、高電壓柵極驅(qū)動器，旨在驅(qū)動高壓側(cè) 以及采用同步降壓或半橋配置的低側(cè) N 溝道 MOSFET。這浮動高壓側(cè)驅(qū)動器能夠在高達(dá) ...

2025-05-21 標(biāo)簽：MOSFET TTL 電平轉(zhuǎn)換 226 0

LM5109系列 100V / 1A 峰值半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

LM5109 是一款低成本高電壓柵極驅(qū)動器，旨在以同步降壓或半橋配置驅(qū)動高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動高壓側(cè)驅(qū)動器能夠在高達(dá) 100V 的...

2025-05-21 標(biāo)簽：MOSFET TTL 電平轉(zhuǎn)換器 264 0

UCD7100 數(shù)字控制兼容單路低側(cè) +/- 4Amp MOSFET 驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCD7100 器件是 UCD7K 系列數(shù)字控制兼容驅(qū)動器的一部分，適用于使用需要快速本地峰值電流限制保護(hù)的數(shù)字控制技術(shù)的應(yīng)用。 UCD7100 ...

2025-05-21 標(biāo)簽：電源 MOSFET 輸出電流 207 0

LM5109A 具有 8V UVLO 的 1A、100V 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

LM5109A 是一款經(jīng)濟高效的高壓柵極驅(qū)動器，旨在驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道 MOSFET，采用同步降壓或半橋配置。浮動高壓側(cè)驅(qū)動器能夠在高達(dá) 90...

2025-05-21 標(biāo)簽：MOSFET 封裝高電壓 186 0

LM5106系列具有 8V-UVLO 和可編程死區(qū)時間的 1.2A、1.8A、100V 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

LM5106 是一款高壓柵極驅(qū)動器，旨在驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) 采用同步降壓或半橋配置的側(cè)面 N 溝道 MOSFET。浮動高側(cè) 驅(qū)動器能夠在高達(dá) 100V 的電...

2025-05-21 標(biāo)簽：MOSFET 電阻器 TTL 199 0

TPS28225 具有 4V UVLO 的 4A、27V 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

TPS28225 是一款高速驅(qū)動器，適用于具有自適應(yīng)死區(qū)時間控制的 N 溝道互補驅(qū)動功率 MOSFET。該驅(qū)動器經(jīng)過優(yōu)化，適用于各種大電流單相和多相 D...

2025-05-21 標(biāo)簽：電源電容器轉(zhuǎn)換器 213 0

LM5100B 具有 8V UVLO 和 CMOS 輸入的 2A、100V 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅(qū)動器設(shè)計用于驅(qū)動采用同步降壓或半橋配置的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動高...

2025-05-21 標(biāo)簽：CMOS MOSFET TTL 201 0

LM5100C 具有 8V UVLO 和 CMOS 輸入的 1A、100V 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅(qū)動器設(shè)計用于驅(qū)動采用同步降壓或半橋配置的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動高...

2025-05-21 標(biāo)簽：MOSFET TTL 電源電壓 280 0

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LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅(qū)動器設(shè)計用于驅(qū)動采用同步降壓或半橋配置的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動高...

2025-05-21 標(biāo)簽：CMOS TTL 電源電壓 252 0

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LM5100A/B/C 和 LM5101A/B/C 高壓柵極驅(qū)動器設(shè)計用于驅(qū)動采用同步降壓或半橋配置的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET。浮動高...

2025-05-21 標(biāo)簽：CMOS 電容器 MOSFET 212 0

UCC27201 具有 8V UVLO 和 TTL 輸入的 3A、120V 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC2720x 系列高頻 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器包括一個 120V 自舉二極管以及具有獨立輸入的高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動器，可實現(xiàn)最大的控制靈活性。這允...

2025-05-21 標(biāo)簽：CMOS 二極管 MOSFET 216 0

LM5109B 具有 8V UVLO 和高抗噪能力的 1A、100V 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

LM5109B 器件是一款高性價比的高壓柵極驅(qū)動器，旨在驅(qū)動同步降壓或半橋中的高壓側(cè)和低壓側(cè) N 溝道 MOSFET 配置。浮動的高側(cè)驅(qū)動器能夠在高...

2025-05-21 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器 MOSFET 封裝 206 0

TPS28226 具有 8V UVLO 的 4A、27V 半橋柵極驅(qū)動器，用于同步整流數(shù)據(jù)手冊

這是一款高速驅(qū)動器，適用于具有自適應(yīng)死區(qū)時間控制功能的 N 溝道互補驅(qū)動功率 MOSFET。該驅(qū)動器經(jīng)過優(yōu)化，適用于各種大電流單相和多相 DC-DC 轉(zhuǎn)...

2025-05-21 標(biāo)簽：電容器 MOSFET DC-DC 207 0

UCC27200-Q1 具有 8V UVLO 和 CMOS 輸入的汽車類 3A、120V 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

UCC27200-Q1 高頻 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動器包括一個 120V 自舉二極管以及具有獨立輸入的高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動器，可實現(xiàn)最大的控制靈活性。這...

2025-05-21 標(biāo)簽：CMOS MOSFET UVLO 183 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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村田

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TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動作，與周邊的裝置或環(huán)境互動，而無需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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ARM，其中ARM7，9，10是公開的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機產(chǎn)品。目前國內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國高通）旗下移動處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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Mobileye在單目視覺高級駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計算機視覺算法運行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測（HMW）、行人探測、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進(jìn)行提取。

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柵極驅(qū)動器

柵極驅(qū)動器技術(shù)

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