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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵芯片在快充技術(shù)中扮演著重要的角色，氮化鎵芯片可以作為控制器和管理器，監(jiān)測和調(diào)整充電電流、電壓和充電模式，確?？斐溥^程的安全和穩(wěn)定。它可以精確控制充...
氮化鎵和碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料，整體發(fā)展較晚，滲透率較低。隨著半導(dǎo)體化合物的穩(wěn)定發(fā)展，第三代半導(dǎo)體具有高穿透電場、高導(dǎo)熱率、高電子遷移率、高操作溫度...
GaN（KT65C1R200D）具有高帶隙、高飽和電子遷移速度、高熱導(dǎo)率等特點。因此，GaN比Si更適合于大功率和高頻功率器件。具有體積小、散熱容易、損...
長電科技加速擴充中大功率器件成品制造產(chǎn)能，面向第三代半導(dǎo)體市場解決方案營收有望大幅增長
新能源汽車和光伏,儲能設(shè)施在全球加速普及,為第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產(chǎn)業(yè)的落地提供了前所未有的契機。長電科技厚積薄發(fā)定位創(chuàng)...
GaN行業(yè)新標桿：比業(yè)界最佳Si MOSFET效率高2%，兼容所有驅(qū)動器
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）為了實現(xiàn)“雙碳”（“碳達峰”和“碳中和”）目標，全球主要國家和地區(qū)在環(huán)保法規(guī)上持續(xù)收緊，給消費、汽車、工業(yè)和能源等重點領(lǐng)域...
對于近幾年的電子產(chǎn)品來說，隨著充電技術(shù)的普及，快速充電技術(shù)在各種電子設(shè)備上得到了普及。我們經(jīng)常在智能手機上看到40W快充、65W快充等字樣。充電環(huán)節(jié)中最...
與等效硅基解決方案相比，氮化鎵基HEMT的開關(guān)更快、熱導(dǎo)率更高和導(dǎo)通電阻更低，因此在電路中采用氮化鎵晶體管和集成電路，可提高效率、縮小尺寸并降低各種電源...
2023-09-14 標簽：MOSFET電源轉(zhuǎn)換氮化鎵 423 0
三安半導(dǎo)體首發(fā)8英寸碳化硅襯底，國內(nèi)8英寸加速布局！
從產(chǎn)能來看，湖南三安現(xiàn)有SiC產(chǎn)能15,000片/月，較2022年底新增3,000片/月，提升25%；GaN-on-Si（硅基氮化鎵）產(chǎn)能2,000片/...
什么是氮化鎵半導(dǎo)體器件？氮化鎵半導(dǎo)體器件特點是什么？
氮化鎵是一種無機物質(zhì)，化學(xué)式為GaN，是氮和鎵的化合物，是一種具有直接帶隙的半導(dǎo)體。自1990年起常用于發(fā)光二極管。這種化合物的結(jié)構(gòu)與纖鋅礦相似，硬度非...
GaN因其特性，作為高性能功率半導(dǎo)體材料而備受關(guān)注，近年來其開發(fā)和市場導(dǎo)入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型：水平型（在硅晶圓上生長GaN晶體）和垂直型...
氮化鎵主要用于LED(發(fā)光二極管)、微電子(微波功率和電力電子器件)、場效電晶體(MOSFET)
QORVO的QPA4246D Q波段高功率MMIC放大器概述
QORVO的QPA4246D是款高功率MMIC放大器，選用Qorvo制造的0.15μm碳化硅基氮化鎵(QGaN15)制造技術(shù)。QPA4246D對于37....
意法半導(dǎo)體GaN驅(qū)動器集成電流隔離功能 具有卓越的安全性和可靠性
近日，意法半導(dǎo)體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動器，新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸，降低了物料清單成本，能夠滿足應(yīng)...
2023-09-12 標簽：驅(qū)動器意法半導(dǎo)體氮化鎵 984 0
氮化鎵芯片和硅芯片有什么區(qū)別？有什么優(yōu)勢？
氮化鎵芯片是目前世界上速度最快的電源開關(guān)器件之一。氮化鎵本身就是第三代材料，很多特性都強于傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體。
據(jù)了解，此次信越化學(xué)工業(yè)與OKI開發(fā)的新技術(shù)，可以在特有的基板上噴射鎵系氣體，使晶體生長。信越化學(xué)工業(yè)的增厚晶體技術(shù)與OKI的接合技術(shù)相結(jié)合，可以從基板...
氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬且機械性能非常穩(wěn)定的寬禁帶半導(dǎo)體材料。由于具有更高的擊穿強度、更快的開關(guān)速度、更高的熱導(dǎo)率和更低的導(dǎo)通電阻，GaN基功率器...
泰高技術(shù)攜手鎵宏半導(dǎo)體簽署GaN領(lǐng)域的全面戰(zhàn)略合作協(xié)議
近日，深圳市泰高技術(shù)與深圳鎵宏半導(dǎo)體有限公司達成了一項全面戰(zhàn)略合作協(xié)議，旨在增強企業(yè)的可持續(xù)發(fā)展能力，提升產(chǎn)品競爭力。
GaN加速商業(yè)化進程 國內(nèi)GaN產(chǎn)業(yè)市場現(xiàn)狀及前景分析
氮化鎵（GaN）是一種由氮和鎵組成的半導(dǎo)體材料，因其禁帶寬度大于2.2eV，故又稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是在藍色發(fā)光器件中具...
納微第四代氮化鎵器件樹立大功率行業(yè)應(yīng)用內(nèi)新標桿
納微半導(dǎo)體第四代高度集成氮化鎵平臺在效率、密度及可靠性要求嚴苛的大功率行業(yè)應(yīng)用內(nèi)樹立新標桿
支持PD3.0，30W標準續(xù)航蘋果15充電頭解決方案
近期，展嶸再次給電源適配器開發(fā)了新的方案，支持PD3.0的30W氮化鎵充電頭，一共有兩個接口：A+C。該方案使用的是主控合封氮化鎵SW1123+同步SW...
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