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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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海外儲(chǔ)能PCS市場競爭趨勢:基于SiC碳化硅功率模塊的高效率高壽命
進(jìn)入2025年,海外儲(chǔ)能市場呈現(xiàn)發(fā)展新的技術(shù)發(fā)展趨勢: 通過采用核心功率器件SiC功率模塊的新一代高效率高壽命儲(chǔ)能變流器PCS在海外市場得到廣泛認(rèn)可并得...
2025-03-30 標(biāo)簽:SiC碳化硅儲(chǔ)能PCS 389 0
派恩杰推出最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與車規(guī)級(jí)碳化硅模塊產(chǎn)品
3月28日,在上海舉辦為期三天且備受行業(yè)矚目的新能源汽車盛會(huì)——汽車動(dòng)力系統(tǒng)技術(shù)展覽會(huì)圓滿落幕,本次會(huì)上,派恩杰展出了最新研發(fā)的高壓碳化硅功率器件與車規(guī)...
PI超快速Q(mào)speed H系列二極管可替代碳化硅元件
PI的超快速Q(mào)speed H系列二極管現(xiàn)可達(dá)到650V以及高達(dá)30A的電壓電流額定值。這些高功率器件具有業(yè)界最低的硅二極管反向恢復(fù)電荷(Qrr)。它們是...
五年之后碳化硅MOSFET覆蓋主流市場,金剛石MOSFET聚焦極端需求
金剛石MOSFET作為終極高壓功率半導(dǎo)體的潛力 金剛石MOSFET被認(rèn)為是下一代功率半導(dǎo)體的重要發(fā)展方向,尤其在高壓、高溫、高頻等極端環(huán)境下展現(xiàn)出顯著優(yōu)...
國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亂象給中國功率半導(dǎo)體行業(yè)敲響警鐘
國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET行業(yè)近年來在政策扶持、市場需求和技術(shù)突破的推動(dòng)下快速發(fā)展,但伴隨的行業(yè)亂象也暴露出深層次的結(jié)構(gòu)性問題,對(duì)中國功率半導(dǎo)體行...
2025-03-26 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體碳化硅 440 0
在3月17日的超級(jí)e平臺(tái)技術(shù)發(fā)布會(huì)上,比亞迪發(fā)布了劃時(shí)代超級(jí)e平臺(tái),推出閃充電池、3萬轉(zhuǎn)電機(jī)和全新一代車規(guī)級(jí)碳化硅功率芯片,核心三電全維升級(jí),搭配全球首...
基于碳化硅(SiC)功率模塊的儲(chǔ)能變流器(PCS)成為海外工商儲(chǔ)市場的破局利器
基于基本股份(BASiC)的碳化硅(SiC)功率模塊的儲(chǔ)能變流器(PCS)在海外工商儲(chǔ)市場成為出海破局利器,主要得益于以下多維度優(yōu)勢: --- ### ...
碳化硅功率模塊儲(chǔ)能變流器SiC-PCS在工商業(yè)儲(chǔ)能領(lǐng)域的滲透率加速狂飆
SiC碳化硅模塊版工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS)全面替代傳統(tǒng)IGBT方案的必然性:碳化硅儲(chǔ)能變流器SiC-PCS在工商業(yè)儲(chǔ)能領(lǐng)域的滲透率加速提升并徹底終結(jié)I...
效率飆升3倍!碳化硅如何改寫儲(chǔ)能市場游戲規(guī)則?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)隨著儲(chǔ)能高速發(fā)展,對(duì)于性能的要求也越來越高。而SiC器件憑借高開關(guān)頻率、低損耗、耐高溫等特性,在儲(chǔ)能功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)(PCS)...
意法半導(dǎo)體與重慶郵電大學(xué)達(dá)成戰(zhàn)略合作
日前,服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(ST)與重慶郵電大學(xué)在重慶安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓廠通線儀式后的“碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇”上正...
2025-03-21 標(biāo)簽:新能源汽車意法半導(dǎo)體碳化硅 801 0
新品 | 采用電平位移驅(qū)動(dòng)器和碳化硅SiC MOSFET交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱5kW PFC評(píng)估板
新品采用電平位移驅(qū)動(dòng)器和碳化硅SiCMOSFET交錯(cuò)調(diào)制圖騰柱5kWPFC評(píng)估板電子設(shè)備會(huì)污染電網(wǎng),導(dǎo)致電網(wǎng)失真,威脅著供電系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。為此,電...
隨著全球?qū)δ茉葱屎涂沙掷m(xù)發(fā)展的重視,碳化硅(SiC)器件因其卓越的性能在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域獲得了廣泛關(guān)注。SiC器件的高效能、高溫耐受性和高頻性能,使其...
安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克股票代號(hào):ON)推出其第一代基于1200V碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的SPM31智能...
只有采用SiC碳化硅功率模塊的變流器PCS才能讓工商業(yè)儲(chǔ)能印鈔機(jī)狂飆
采用碳化硅(SiC)功率模塊的工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS)之所以被稱為“印鈔機(jī)”,是因?yàn)槠湓谛?、成本、可靠性和系統(tǒng)集成等方面實(shí)現(xiàn)了革命性突破,顯著提升了...
SiC全橋碳化硅模塊在家儲(chǔ)系統(tǒng)電池充放電DC-DC中的應(yīng)用優(yōu)勢
BMH027MR07E1G3碳化硅全橋模塊在家儲(chǔ)系統(tǒng)電池PACK充放電DC-DC中的應(yīng)用優(yōu)勢 BMH027MR07E1G3作為一款650V全橋碳化硅MO...
只能靠版圖微調(diào)與營銷話術(shù)的國產(chǎn)碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)公司被掃入歷史塵埃
國產(chǎn)碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)公司當(dāng)前面臨的困境,本質(zhì)上是技術(shù)路徑依賴與底層工藝能力缺失的必然結(jié)果。其“無言之痛”不僅體現(xiàn)在市場競爭力的喪失,更折射出中國半...
國產(chǎn)SiC碳化硅功率PIM模塊取代英飛凌PIM模塊的技術(shù)優(yōu)勢
國產(chǎn)SiC碳化硅功率PIM模塊BMS065MR12EP2CA2替代IGBT模塊FP35R12N2T7_B67的綜合技術(shù)優(yōu)勢分析 FP35R12N2T7_...
為何國產(chǎn)650V碳化硅MOSFET成為超結(jié)MOSFET的噩夢
國產(chǎn)650V碳化硅(SiC)MOSFET之所以成為超結(jié)(Super Junction, SJ)MOSFET的“噩夢”,主要源于其在性能、成本、應(yīng)用場景及...
納微半導(dǎo)體發(fā)布雙向GaNFast氮化鎵功率芯片
唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼: NVTS)今日重磅發(fā)布...
碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&A
碳化硅(SiC)MOSFET作為替代傳統(tǒng)硅基IGBT的新一代功率器件,在電動(dòng)汽車、可再生能源、高頻電源等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢,隨著國產(chǎn)碳化硅MOSFET技...
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