完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
文章:2471個(gè) 瀏覽:49898次 帖子:38個(gè)
在日常生活中,我們對手機(jī)、電腦、電視等電子設(shè)備習(xí)以為常,享受著它們帶來的便利與娛樂。但你是否想過,這些設(shè)備正常運(yùn)行的背后,是什么在默默發(fā)揮關(guān)鍵作用?答案...
2025-02-06 標(biāo)簽:晶閘管功率半導(dǎo)體碳化硅 564 0
隨著人工智能(AI)技術(shù)的迅猛發(fā)展,為AI處理器提供高效、可靠的電源供應(yīng),成為了一個(gè)不容忽視的挑戰(zhàn)。想要應(yīng)對這一挑戰(zhàn),打造新一代功率器件是關(guān)鍵的一環(huán)。
光伏MPPT設(shè)計(jì)中IGBT、碳化硅SiC器件及其組合方案對比
在光伏系統(tǒng)的最大功率點(diǎn)跟蹤(MPPT)設(shè)計(jì)中,IGBT、碳化硅(SiC)器件及其組合方案的選擇直接影響系統(tǒng)效率、成本和可靠性。
中國電力電子系統(tǒng)制造商的未來事業(yè)發(fā)展藍(lán)圖
超高壓與高頻化:國產(chǎn)SiC碳化硅功率器件供應(yīng)商(比如BASiC基本股份)研發(fā)3300V及以上SiC MOSFET,適配海上風(fēng)電、軌道交通需求;突破MHz...
碳化硅MOSFET相對IGBT為什么可以壓榨更多應(yīng)用潛力?
碳化硅(SiC)MOSFET相較于傳統(tǒng)IGBT能夠釋放更多潛力的核心原因在于其材料特性與器件物理的革新,具體體現(xiàn)在高頻高效、高溫耐受、低損耗設(shè)計(jì)以及系統(tǒng)...
碳化硅(SiC)MOSFET并聯(lián)應(yīng)用均流控制技術(shù)的綜述
碳化硅(SiC)MOSFET并聯(lián)應(yīng)用均流控制技術(shù)的綜述,傾佳電子楊茜綜合了當(dāng)前研究進(jìn)展與關(guān)鍵技術(shù)方向。
碳化硅革新電力電子,以下是關(guān)于碳化硅(SiC)MOSFET功率器件雙脈沖測試方法的詳細(xì)介紹,結(jié)合其技術(shù)原理、關(guān)鍵步驟與應(yīng)用價(jià)值,助力電力電子領(lǐng)域的革新。
2025-02-05 標(biāo)簽:MOSFET功率器件功率半導(dǎo)體 457 0
碳化硅(SiC)MOSFET以低價(jià)策略顛覆市場的核心邏輯
碳化硅(SiC)MOSFET以低價(jià)策略顛覆市場的核心邏輯:低價(jià)SiC器件的“致命性”在于性價(jià)比的絕對碾壓
為V2H壁掛小直流雙向充電樁提供SiC碳化硅MOSFET全橋功率模塊解決方案
BASiC基本公司為V2H壁掛小直流雙向充電樁提供SiC碳化硅MOSFET全橋功率模塊解決方案 V2H(即車輛到家庭)使用智能電動汽車充電和雙向(雙向)...
為SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超結(jié)MOS提供驅(qū)動芯片及驅(qū)動供電解決方案
BASiC基本公司為SiC碳化硅功率器件全面取代IGBT和超結(jié)MOS提供驅(qū)動芯片及驅(qū)動供電解決方案 BASiC基本公司針對多種應(yīng)用場景研發(fā)推出門極驅(qū)動芯...
士蘭集宏8英寸碳化硅芯片項(xiàng)目啟動,預(yù)計(jì)今年一季度封頂
據(jù)廈門日報(bào)的最新報(bào)道,士蘭集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目于1月21日取得了重要進(jìn)展。在主廠房的核心區(qū)域三層作業(yè)面上,鋼結(jié)構(gòu)首吊成功吊裝,標(biāo)志...
碳化硅作為一種新型半導(dǎo)體材料,因其高熱導(dǎo)率、高電子飽和速度和高擊穿電場等特性,被廣泛應(yīng)用于高溫、高壓和高頻電子器件中。然而,碳化硅材料中的缺陷,如微管、...
2025-01-24 標(biāo)簽:電子器件半導(dǎo)體材料電導(dǎo)率 724 0
在現(xiàn)代工業(yè)中,高性能材料的需求日益增長,特別是在高溫環(huán)境下。碳化硅作為一種先進(jìn)的陶瓷材料,因其卓越的耐高溫性能而受到廣泛關(guān)注。 1. 碳化硅的基本特性 ...
2025-01-24 標(biāo)簽:碳化硅熱導(dǎo)率晶體結(jié)構(gòu) 812 0
隨著科技的不斷進(jìn)步,光電器件在通信、能源、醫(yī)療和國防等領(lǐng)域扮演著越來越重要的角色。碳化硅(SiC)作為一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,因其出色的電學(xué)、熱學(xué)和光學(xué)性...
2025-01-24 標(biāo)簽:光電器件半導(dǎo)體材料碳化硅 471 0
碳化硅(SiC)是一種共價(jià)鍵結(jié)合的陶瓷材料,以其高硬度、高熱導(dǎo)率、高化學(xué)穩(wěn)定性和良好的電絕緣性能而聞名。這些特性使得SiC成為高溫應(yīng)用和電子器件的理想材...
1. 碳化硅的合成方法 碳化硅的合成方法主要有以下幾種: 直接合成法 :通過在高溫下將硅和碳直接反應(yīng)生成碳化硅。 化學(xué)氣相沉積(CVD) :利用氣體反應(yīng)...
2025-01-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件碳化硅晶體結(jié)構(gòu) 1423 0
在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,材料的選擇對于器件的性能至關(guān)重要。硅(Si)作為最常用的半導(dǎo)體材料,已經(jīng)有著悠久的歷史和成熟的技術(shù)。然而,隨著電子器件對性能要求的不斷...
碳化硅(SiC)是一種高性能的陶瓷材料,因其卓越的物理和化學(xué)特性而在許多工業(yè)領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。從高溫結(jié)構(gòu)部件到電子器件,SiC的應(yīng)用范圍廣泛,其獨(dú)特的...
碳化硅(SiC)在半導(dǎo)體中扮演著至關(guān)重要的角色,其獨(dú)特的物理和化學(xué)特性使其成為制作高性能半導(dǎo)體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導(dǎo)體中的主要作用及優(yōu)勢: ...
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |