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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常見問題Q&A
碳化硅(SiC)MOSFET作為替代傳統(tǒng)硅基IGBT的新一代功率器件,在電動汽車、可再生能源、高頻電源等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢,隨著國產(chǎn)碳化硅MOSFET技...
全球功率半導(dǎo)體變革:SiC碳化硅功率器件中國龍崛起
功率器件變革中SiC碳化硅中國龍的崛起:從技術(shù)受制到全球引領(lǐng)的歷程與未來趨勢 當(dāng)前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基功率器件持續(xù)躍升到SiC碳化硅材料功率半導(dǎo)...
2025-03-13 標簽:功率半導(dǎo)體碳化硅 252 0
為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實現(xiàn)硅到碳化硅的過渡?
電力電子器件高度依賴于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)等半導(dǎo)體材料。雖然硅一直是傳統(tǒng)的選擇,但碳化硅器件憑借其...
2025-03-12 標簽:碳化硅 632 0
國產(chǎn)SiC碳化硅模塊解決工商業(yè)儲能PCS多維度痛點的技術(shù)優(yōu)勢
BMF240R12E2G3解決工商業(yè)儲能PCS多維度痛點的技術(shù)優(yōu)勢分析 一、效率提升:高頻、低損耗與高溫穩(wěn)定性 低導(dǎo)通電阻與開關(guān)損耗優(yōu)勢 BMF240R...
國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亂象的陣痛期預(yù)計持續(xù)到2028年
國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)當(dāng)前正處于技術(shù)追趕、市場調(diào)整與產(chǎn)業(yè)鏈整合的關(guān)鍵階段,其亂象的陣痛期預(yù)計將持續(xù)3年左右,行業(yè)出清需到2028年前后完成。
中國制造2025:SiC碳化硅功率半導(dǎo)體的高度國產(chǎn)化
碳化硅功率半導(dǎo)體的高國產(chǎn)化程度是中國制造2025戰(zhàn)略的典型成果,通過 政策引導(dǎo)、產(chǎn)業(yè)鏈整合、技術(shù)創(chuàng)新與市場需求共振 ,實現(xiàn)了從“進口替代”到“全球競爭”...
2025-03-09 標簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 1234 0
2025被廣泛視為SiC碳化硅在電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT的元年
2025年被廣泛視為碳化硅(SiC)器件在電力電子應(yīng)用中全面替代IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)的元年,在于國產(chǎn)SiC(碳化硅)單管和模塊價格首次低于進口...
東芝TLP5814H 具備增強安全功能的SiC MOSFET柵極驅(qū)動光電耦合器
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)宣布,最新推出一款可用于驅(qū)動碳化硅(SiC)MOSFET的柵極驅(qū)動光電耦合器——“ TLP5814H ”,具備...
近日,博世汽車電子中國區(qū)(ME-CN)在蘇州五廠建成碳化硅(SiC)功率模塊生產(chǎn)基地,并于2025年1月成功下線首批產(chǎn)品。這標志著博世在全球碳化硅功率模...
國產(chǎn)碳化硅功率器件賦能飛跨電容升壓方案取代2000V器件兩電平方案
國產(chǎn)碳化硅功率器件賦能飛跨電容MPPT方案取代2000V器件兩電平升壓方案 一、飛跨電容三電平技術(shù)的專利歸屬與特色 1. 專利歸屬:中國企業(yè)主導(dǎo)核心技術(shù)...
CREE(Wolfspeed)的壟斷與衰落及國產(chǎn)碳化硅襯底崛起的發(fā)展啟示
中國碳化硅襯底材料從受制于人到實現(xiàn)自主突破的歷程,以及由此對國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體企業(yè)的啟示,可以歸納為以下幾個關(guān)鍵點:? 一、從壟斷到突破:中國碳化硅材...
近日,士蘭微電子8英寸碳化硅(SiC)功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目(廈門士蘭集宏一期)正式封頂。封頂儀式現(xiàn)場,海滄臺商投資區(qū)管委會副主任眭國瑜,士蘭微電子...
納微半導(dǎo)體榮獲威睿公司“優(yōu)秀技術(shù)合作獎”
近日,威睿電動汽車技術(shù)(寧波)有限公司(簡稱“威睿公司”)2024年度供應(yīng)商伙伴大會于浙江寧波順利召開。納微達斯(無錫)半導(dǎo)體有限公司(簡稱“納微半導(dǎo)體...
2025-03-04 標簽:能源碳化硅納微半導(dǎo)體 479 0
士蘭微廈門 8 英寸碳化硅功率器件產(chǎn)線(一期)封頂:力爭明年一季度投產(chǎn)
3 月 3 日消息,國內(nèi)功率半導(dǎo)體 IDM 企業(yè)士蘭微電子今日宣布,其投資 70 億元建設(shè)的廈門海滄區(qū) 8 英寸碳化硅 SiC 功率器件芯片制造生產(chǎn)線(...
國產(chǎn)碳化硅MOSFET全面開啟對超結(jié)MOSFET的替代浪潮
碳化硅(SiC)MOSFET全面取代超結(jié)(SJ)MOSFET的趨勢分析及2025年對電源行業(yè)的影響 一、SiC MOSFET取代SJ MOSFET的必然...
安意法合資工廠通線啟示:國產(chǎn)自主品牌碳化硅功率半導(dǎo)體的自強之路
近日,三安光電與意法半導(dǎo)體在重慶合資設(shè)立的安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓工廠正式通線,預(yù)計2025年四季度批量生產(chǎn),形成了合資碳化硅功率器件的鯰魚效應(yīng),結(jié)合過去...
2025-03-01 標簽:MOSFET功率半導(dǎo)體碳化硅 542 0
超結(jié)MOSFET升級至650V碳化硅MOSFET的根本驅(qū)動力分析
隨著BASiC基本半導(dǎo)體等企業(yè)的650V碳化硅MOSFET技術(shù)升級疊加價格低于進口超結(jié)MOSFET,不少客戶已經(jīng)開始動手用國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET全...
國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET行業(yè)亂象的深度分析
國產(chǎn)碳化硅MOSFET行業(yè)亂象的深度分析,產(chǎn)品亂象本質(zhì)上是技術(shù)追趕期“速度”與“質(zhì)量”失衡的產(chǎn)物。唯有通過技術(shù)深耕、標準完善與生態(tài)重構(gòu),才能實現(xiàn)從“低端...
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道??近期碳化硅襯底供應(yīng)商天科合達與微納光電器件公司慕德微納共同出資成立合資公司,雙方將在AR衍射光波導(dǎo)鏡片技術(shù)研發(fā)與市場推廣方面展開...
從國產(chǎn)SiC器件質(zhì)量問題頻發(fā)的亂象看碳化硅功率半導(dǎo)體行業(yè)洗牌
近期,多家客戶接連發(fā)生國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率半導(dǎo)體質(zhì)量問題,嚴重打擊了終端客戶的信心和一定程度影響到了SiC碳化硅功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化替代進程,從...
2025-02-28 標簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 342 0
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