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標(biāo)簽 > 芯片制造
《芯片制造》是2010年8月1日電子工業(yè)出版社出版的圖書,作者是(美國)贊特。本書介紹了半導(dǎo)體工藝的制作制程、誕生、發(fā)展、半導(dǎo)體材料和化學(xué)品的性質(zhì)等方面闡述。
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淺溝道隔離(STI)是芯片制造中的關(guān)鍵工藝技術(shù),用于在半導(dǎo)體器件中形成電學(xué)隔離區(qū)域,防止相鄰晶體管之間的電流干擾。本文簡單介紹淺溝道隔離技術(shù)的作用、材料和步驟。
IC設(shè)計(jì)流程先后順序 ic設(shè)計(jì)流程物理驗(yàn)證
IC設(shè)計(jì)是一項(xiàng)復(fù)雜的工作,需要設(shè)計(jì)工程師具備電路設(shè)計(jì)和布局技能,以及對電子元器件和芯片制造工藝的深入了解。它在現(xiàn)代電子技術(shù)中起著關(guān)鍵作用,使得我們可以...
2023-07-18 標(biāo)簽:電子元器件電路設(shè)計(jì)IC設(shè)計(jì) 1490 0
隨著超高密度多芯片模組(Multiple Chip Module,MCM)乃至系統(tǒng)級封裝(SiP)產(chǎn)品在5G、AI、高性能運(yùn)算、汽車自動駕駛等領(lǐng)域的普及...
針對用戶的使用手冊經(jīng)常歸納出一些事先選好的操作方式。對于常用的初始化、正常處理、中斷處理等給出了輸入序列建議。
2023-09-25 標(biāo)簽:芯片制造 1353 0
芯片制造商正在使用更多的DRAM。在某些情況下,DRAM——尤其是高帶寬存儲器(HBM)——正在取代一些SRAM。DRAM在耐用性方面有著良好的記錄,也...
2023-11-22 標(biāo)簽:DRAMSRAM數(shù)據(jù)中心 1333 0
光學(xué)光刻技術(shù)有哪些分類 光刻技術(shù)的原理
光學(xué)光刻是通過廣德照射用投影方法將掩模上的大規(guī)模集成電路器件的結(jié)構(gòu)圖形畫在涂有光刻膠的硅片上,通過光的照射,光刻膠的成分發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而生成電路圖。限...
WD4000系列晶圓幾何量測系統(tǒng):全面支持半導(dǎo)體制造工藝量測,保障晶圓制造工藝質(zhì)量
晶圓面型參數(shù)厚度、TTV、BOW、Warp、表面粗糙度、膜厚、等是芯片制造工藝必須考慮的幾何形貌參數(shù)。其中TTV、BOW、Warp三個(gè)參數(shù)反映了半導(dǎo)體晶...
中央處理器(CPU)是一塊超大規(guī)模的集成電路,是一臺計(jì)算機(jī)的運(yùn)算核心和控制核心。它的功能主要是解釋計(jì)算機(jī)指令以及處理計(jì)算機(jī)軟件中的數(shù)據(jù),這也是迄今為數(shù)不...
當(dāng)?shù)入x子體轉(zhuǎn)變到這種狀態(tài)時(shí),電子密度處于最低水平。一般來說,等離子體密度下降的水平取決于占空比和脈沖頻率。通過調(diào)整脈沖的占空比,可以將時(shí)間平均離子能量分...
光刻機(jī)的鏡頭要實(shí)現(xiàn)納米級的成像分辨率,就得拼命增大鏡片的數(shù)值孔徑(Numerical Aperture),但這同時(shí)會導(dǎo)致焦深(DoF)的下降,焦深是指...
2024-01-22 標(biāo)簽:晶圓芯片制造半導(dǎo)體器件 1221 0
高數(shù)值孔徑EUV光刻:引領(lǐng)下一代芯片制造的革命性技術(shù)
摩爾定律是指在給定面積的硅片上,晶體管的數(shù)量大約每兩年翻一番,這種增益推動了計(jì)算技術(shù)的發(fā)展。在過去半個(gè)世紀(jì)里,我們將該定律視為一種類似進(jìn)化或衰老的不可避...
中國電科宣布已實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)離子注入機(jī)28納米工藝制程全覆蓋
離子注入機(jī)是芯片制造中的關(guān)鍵裝備。在芯片制造過程中,需要摻入不同種類的元素按預(yù)定方式改變材料的電性能,這些元素以帶電離子的形式被加速至預(yù)定能量并注入至特...
芯片制造和傳統(tǒng)IC封裝的生產(chǎn)有何不一樣
DUV是深紫外線,EUV是極深紫外線。從制程工藝來看,DUV只能用于生產(chǎn)7nm及以上制程芯片。而只有EUV能滿足7nm晶圓制造,并且還可以向5nm、3n...
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