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標(biāo)簽 > 芯片制造
《芯片制造》是2010年8月1日電子工業(yè)出版社出版的圖書,作者是(美國)贊特。本書介紹了半導(dǎo)體工藝的制作制程、誕生、發(fā)展、半導(dǎo)體材料和化學(xué)品的性質(zhì)等方面闡述。
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探秘半導(dǎo)體防震基座剛性測(cè)試:守護(hù)芯片制造的堅(jiān)固防線
在半導(dǎo)體制造的精密世界里,每一個(gè)細(xì)微環(huán)節(jié)都關(guān)乎芯片的性能與質(zhì)量。其中,半導(dǎo)體防震基座作為支撐核心設(shè)備的關(guān)鍵部件,其剛性表現(xiàn)起著舉足輕重的作用。一、剛性為...
華為麒麟9905G的芯片面積約113平方毫米,片12英寸硅片上大約可生產(chǎn)600顆芯片。每顆芯片上大約集成了103億只晶體管。
2023-10-10 標(biāo)簽:芯片芯片設(shè)計(jì)封裝技術(shù) 644 0
目前制作硅通孔的主要手段有濕法刻蝕,激光加工和干法刻蝕(深反應(yīng)離子刻蝕, DRIE )三種。
淺談人工智能工作負(fù)載對(duì)處理器設(shè)計(jì)的影響
人工智能還可能在小芯片領(lǐng)域發(fā)揮重要作用,在那里,半定制和定制硬件模塊可以被表征并添加到設(shè)計(jì)中,而無需從頭開始創(chuàng)建一切。英特爾和AMD等大型芯片制造商...
聚焦離子束技術(shù)中液態(tài)鎵作為離子源的優(yōu)勢(shì)
聚焦離子束(FIB)在芯片制造中的應(yīng)用聚焦離子束(FIB)技術(shù)在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域扮演著至關(guān)重要的角色。它不僅能夠進(jìn)行精細(xì)的結(jié)構(gòu)切割和線路修改,還能用于...
半導(dǎo)體元素是芯片制造的主要材料,芯片運(yùn)算主要是用二進(jìn)制進(jìn)行運(yùn)算。所以在電流來代表二進(jìn)制的0和1,即0是不通電,1是通電。正好半導(dǎo)體通過一些微觀的構(gòu)造與參...
2025-04-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體芯片制造半導(dǎo)體材料 401 0
半導(dǎo)體是一種介于導(dǎo)體和絕緣體之間的導(dǎo)電性,半導(dǎo)體通過參雜可以使得能夠精確地控制電流的流動(dòng)。通過基于晶圓的光刻、刻蝕和沉積工藝,我們可以構(gòu)建出各種元件,如...
在5納米以下的芯片制程中,晶體管柵極介質(zhì)層的厚度已縮至1納米以下(約5個(gè)原子層)。此時(shí),傳統(tǒng)二氧化硅(SiO?)如同漏水的薄紗,電子隧穿導(dǎo)致的漏電功耗可...
芯片制造中自對(duì)準(zhǔn)接觸技術(shù)介紹
但當(dāng)芯片做到22納米時(shí),工程師遇到了大麻煩——用光刻機(jī)畫接觸孔時(shí),稍有一點(diǎn)偏差就會(huì)導(dǎo)致芯片報(bào)廢。 自對(duì)準(zhǔn)接觸技術(shù)(SAC) ,完美解決了這個(gè)難題。
自對(duì)準(zhǔn)雙重圖案化技術(shù)的優(yōu)勢(shì)與步驟
在芯片制造中,光刻技術(shù)在硅片上刻出納米級(jí)的電路圖案。然而,當(dāng)制程進(jìn)入7納米以下,傳統(tǒng)光刻的分辨率已逼近物理極限。這時(shí), 自對(duì)準(zhǔn)雙重圖案化(SADP) 的...
在指甲蓋大小的芯片上,數(shù)十億晶體管需要通過比頭發(fā)絲細(xì)千倍的金屬線連接。隨著制程進(jìn)入納米級(jí),一個(gè)看似微小的細(xì)節(jié)——連接晶體管與金屬線的"接觸孔&...
劃片機(jī)(DicingSaw)在半導(dǎo)體制造中主要用于將晶圓切割成單個(gè)芯片(Die),這一過程在內(nèi)存儲(chǔ)存卡(如NAND閃存芯片、SSD、SD卡等)的生產(chǎn)中至...
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