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標簽 > 閾值電壓
閾值電壓 (Threshold voltage):通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時,電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
電介質(zhì)在決定閾值電壓方面也起了重要作用。厚電介質(zhì)由于比較厚而削弱了電場。所以厚電介質(zhì)使閾值電壓上升,而薄電介質(zhì)使閾值電壓下降。理論上,電介質(zhì)成分也會影響電場強度。而實際上,幾乎所有的MOS管都用純二氧化硅作為gate dielectric。這種物質(zhì)可以以極純的純度和均勻性生長成非常薄的薄膜;其他物質(zhì)跟它都不能相提并論。因此其他電介質(zhì)物質(zhì)只有很少的應(yīng)用。(也有用高介電常數(shù)的物質(zhì)比如氮化硅作為gate dielectric的器件。有些作者把所有的MOS類晶體管,包括非氧化物電介質(zhì),稱為insulated-gate field effect transistor(IGFET))。
解答74HC14中正向閾值電壓和負向閾值電壓是什么/電壓為多少
74HC14是施密特觸發(fā)器。正向閾值指輸入端電壓由低變高達到輸出翻轉(zhuǎn)時的值。反向閾值指輸入電壓由高到低變化輸出翻轉(zhuǎn)時的輸入電壓值。正向輸入閾值電壓是輸入...
2018-10-24 標簽:施密特觸發(fā)器閾值電壓74HC14 1.9萬 1
NMOS晶體管的閾值電壓公式 nmos晶體管的閾值電壓與哪些因素有關(guān)
nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ(2φF/Cox),其中Vt0為晶體管的基礎(chǔ)閾值電壓,γ為晶體管的偏置系數(shù),φF為晶體管的反向偏置電勢,C...
MOSFET發(fā)生EOS的失效模式有哪些?如何區(qū)分是什么原因失效的?
MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件,其主要功能是控制電流的流動。
2023-12-15 標簽:MOSFET場效應(yīng)晶體管EOS 1.0萬 0
WPE效應(yīng)的概念 如何讓減小WPE效應(yīng)呢?
如果模擬IC工程師你經(jīng)常用.18um以上的工藝,那么你很可能從來沒有關(guān)注過WPE以及LOD(Length Of Diffusion)效應(yīng)。
影響MOSFET閾值電壓的因素? MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管)是一種常用的半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低輸出阻抗、高增益等特點。MOSFET...
脈沖發(fā)生器工作原理 脈沖信號怎么產(chǎn)生?產(chǎn)生脈沖信號的方法
脈沖發(fā)生器工作原理 脈沖信號怎么產(chǎn)生?產(chǎn)生脈沖信號的方法? 脈沖發(fā)生器是一種能夠產(chǎn)生高頻脈沖信號的電子設(shè)備,它可以將電信號轉(zhuǎn)化成為時間間隔相等的脈沖信號...
在數(shù)/?;旌霞呻娐吩O(shè)計中電壓基準是重要的模塊之一。針對傳統(tǒng)電路產(chǎn)生的基準電壓易受電源電壓和溫度影響的缺點,提出一種新的設(shè)計方案,電路中不使用雙極晶體管...
什么是MOS管亞閾值電壓?MOSFET中的閾值電壓是如何產(chǎn)生的?
什么是MOS管亞閾值電壓?MOSFET中的閾值電壓是如何產(chǎn)生的?亞閾值區(qū)在 MOSFET器件中的作用及優(yōu)點? MOS管亞閾值電壓指的是在MOSFET器件...
比較器的帶寬由什么決定?比較器的Slew Rate由什么決定?
比較器的帶寬由什么決定?比較器的Slew Rate由什么決定? 比較器的帶寬和Slew Rate是兩個關(guān)鍵指標,決定了比較器在工作中的性能表現(xiàn)。 首先我...
半波整流電路工作原理和特點? 半波整流電路是一種常見的電路設(shè)計,它能將交流電信號轉(zhuǎn)換成直流電信號。在本文中,我們將詳細介紹半波整流電路的工作原理和特點。...
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