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標(biāo)簽 > GaN
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同步整流芯片U7116W/U7110W是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開關(guān),可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U711XW內(nèi)置有...
E-GaN電源芯片U8733L集成外置溫度檢測(cè)和恒功率功能
E-GaN電源芯片U8733L集成外置溫度檢測(cè)和恒功率功能Yinlianbao開關(guān)電源NTC傳感器能夠感知微小的溫度變化,一旦溫度超過預(yù)設(shè)的安全閾值,便...
氧化鎵(Ga2O3 )是性能優(yōu)異的超寬禁帶半導(dǎo)體材料,不僅臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)大、飽和速度高,而且具有極高的 巴利加優(yōu)值和約翰遜優(yōu)值,在功率和射頻器件領(lǐng)域具有重...
Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅(qū)動(dòng)器是一款100V器件,集成了頂部和底部驅(qū)動(dòng)器級(jí)、驅(qū)動(dòng)器邏輯控制和保護(hù)功能。該驅(qū)動(dòng)器可配...
2025-06-10 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器GaNAnalog 217 0
納芯微高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片NSD2622N產(chǎn)品介紹
納芯微發(fā)布專為增強(qiáng)型GaN設(shè)計(jì)的高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片NSD2622N,該芯片集成正負(fù)壓穩(wěn)壓電路,支持自舉供電,具備高dv/dt抗擾能力和強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力,可以顯著...
2025-06-09 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電路氮化鎵GaN 411 0
耐壓值定義了芯片安全工作電壓上限,若輸入電壓超過該值(如動(dòng)態(tài)波動(dòng)或負(fù)載突變),可能引發(fā)擊穿或永久損壞,直接影響器件可靠性、性能表現(xiàn)及系統(tǒng)適配性。高耐壓芯...
浮思特 | 在工程襯底上的GaN功率器件實(shí)現(xiàn)更高的電壓路徑
橫向氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)在中低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用領(lǐng)域正呈現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。將這一材料體系擴(kuò)展至更高電壓等級(jí)需要器件設(shè)計(jì)和襯底技術(shù)的創(chuàng)新。本文總結(jié)...
Analog Devices Inc. LTC7892兩相升壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
Analog Devices LTC7892兩相升壓控制器可驅(qū)動(dòng)所有N溝道同步氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)功率級(jí),輸出電壓高達(dá)100V。高性能...
Analog Devices Inc. EVAL-LTC7892-BZ評(píng)估板數(shù)據(jù)手冊(cè)
Analog Devices EVAL-LTC7892-BZ評(píng)估板設(shè)計(jì)用于演示LTC7892 GaN FET控制器。LTC7892優(yōu)化采用100V Ga...
GaNSafe–世界上最安全的GaN功率半導(dǎo)體立即下載
類別:電子資料 2025-01-24 標(biāo)簽:GaN功率半導(dǎo)體 113 0
變速電機(jī)驅(qū)動(dòng)器受益于集成GaN立即下載
類別:電子資料 2025-01-24 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器GaN變速電機(jī) 115 0
用于高頻、大功率工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的GaN功率IC創(chuàng)新立即下載
類別:電子資料 2025-01-24 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)高頻GaN 164 0
類別:電子資料 2025-01-24 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiCGaN 155 0
利用GaN HEMTs降低電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的系統(tǒng)成本立即下載
類別:電子資料 2025-01-23 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)GaN 87 0
GaN半橋功率IC和AHB/圖騰柱拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)效率高達(dá)95.5%的240W、150cc PD3.1解決方案立即下載
類別:電子資料 2025-01-22 標(biāo)簽:拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)GaNAHB 400 0
納芯微高壓半橋驅(qū)動(dòng)NSD2622N:為E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案
納芯微推出專為增強(qiáng)型 GaN 設(shè)計(jì)的高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片 NSD2622N,集成正負(fù)壓穩(wěn)壓電路,支持自舉供電,具備高 dv/dt 抗擾能力和強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力,可簡(jiǎn)...
2025-06-27 標(biāo)簽:GaN驅(qū)動(dòng)芯片納芯微 80 0
Anker “智控桌面充管家”再添雙星!鎵未來GaN賦能極簡(jiǎn)美學(xué)新視界
GaNext助力|極簡(jiǎn)桌面生活 當(dāng)桌面充電邁入“高效與美學(xué)并存”的時(shí)代,鎵未來以尖端氮化鎵技術(shù)再次引領(lǐng)革新。近日,我們攜手全球消費(fèi)電子巨頭 Anker,...
GaN與磁集成新技術(shù)亮相,60余家頭部廠商助力新能源
60+行業(yè)大咖深度剖析技術(shù)難點(diǎn),60+家頭部供應(yīng)商帶來前沿產(chǎn)品解決方案,從第三代半導(dǎo)體到智能控制算法,從材料革新到系統(tǒng)優(yōu)化,這場(chǎng)峰會(huì)將深度呈現(xiàn)全鏈條技術(shù)...
MPS新品 MPG44100 集成GaN FET的高效率、增強(qiáng)型 PFC 穩(wěn)壓器,具有峰值功率總線升壓功能
MPS新品 MPG44100 集成GaN FET的高效率、增強(qiáng)型 PFC 穩(wěn)壓器,具有峰值功率總線升壓功能
鎵未來攜手聯(lián)想 GaN黑科技賦能筆電,解鎖“小體積高效率”快充新體驗(yàn)
全球第一大PC廠商聯(lián)想Lenovo,近期發(fā)布 Lenovo Air X AI元啟版,Lenovo YOGA 360 14 Aura Al元啟翻轉(zhuǎn)輕薄本、...
作為蘋果全新打造的iOS操作系統(tǒng),視覺效果確實(shí)令人耳目一新,但新界面所帶來的耗電量嚴(yán)重、續(xù)航時(shí)間縮短、機(jī)身發(fā)熱發(fā)燙等問題,讓體驗(yàn)感大打折扣。無論系統(tǒng)多么...
新成果:GaN基VCSEL動(dòng)態(tài)物理模型開發(fā)
作為高速數(shù)據(jù)傳輸與光電信號(hào)處理的核心器件,垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)在高速光通信、激光雷達(dá)等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,其動(dòng)態(tài)特性直接關(guān)聯(lián)器件調(diào)制速率及穩(wěn)定性等...
意法半導(dǎo)體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅(qū)動(dòng)器
意法半導(dǎo)體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,為開發(fā)者帶來更高的設(shè)計(jì)靈活性和更多的功能,提高目標(biāo)應(yīng)用的能效和魯棒性。
2025-06-04 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體GaN柵極驅(qū)動(dòng)器 423 0
型號(hào) | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊(cè) | 參考價(jià)格 |
---|---|---|---|
GS61008P-MR | 增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率晶體管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM |
獲取價(jià)格
|
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