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      dram

      dram

      +關(guān)注40人關(guān)注

      DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機(jī)存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 （關(guān)機(jī)就會丟失數(shù)據(jù)）

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      dram資訊

      利基DRAM市場趨勢

      利基DRAM市場趨勢

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      2025-06-07 標(biāo)簽：DRAM 2724 0

      不同于HBM，這種創(chuàng)新的堆疊式DRAM，功耗有望降低50%

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      2025-06-04 標(biāo)簽：DRAMHBM 5275 0

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      2025-05-10 標(biāo)簽：DRAM存儲 7905 0

      紫光國芯亮相2025上海國際汽車工業(yè)展覽會

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      2025-05-07 標(biāo)簽：DRAM紫光國芯車規(guī)芯片 1284 0

      紫光國芯亮相2025西部半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展論壇

      近日，由陜西省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會主辦的“2025西部半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展論壇暨陜西省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會成立20周年大會”在西安舉辦。大會由省市相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)、院士專家、...

      2025-05-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAM紫光國芯 546 0

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      2025-05-06 標(biāo)簽：DRAMHBM 390 0

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      2025-02-28 標(biāo)簽：DRAM 2291 0

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      2025-01-23 標(biāo)簽：DRAM三星電子內(nèi)存 545 0

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      據(jù)DigiTimes報道，三星電子對重新設(shè)計其第五代10nm級DRAM（1b DRAM）的報道予以否認(rèn)。 此前，ETNews曾有報道稱，三星電子內(nèi)部為解...

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      據(jù)韓媒報道，三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間推遲了半年。原本，三星計劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%...

      2025-01-22 標(biāo)簽：DRAM三星電子內(nèi)存 543 0

      三星1c nm DRAM開發(fā)良率里程碑延期

      據(jù)韓媒MoneyToday報道，三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間從原定的2024年底推遲至...

      2025-01-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體DRAM制程技術(shù) 589 0

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      2025-01-22 標(biāo)簽：DRAM內(nèi)存三星 770 0

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        貿(mào)澤電子是一家全球知名的半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商，分銷1100多家品牌制造商的產(chǎn)品。貿(mào)澤電子專注于快速引入新產(chǎn)品和新技術(shù)，為設(shè)計工程師和采購人員提供引領(lǐng)潮流的選擇。
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        德國易能森有限公司(EnOcean GmbH)是無線能量采集技術(shù)的開創(chuàng)者。2012年3月，國際電工技術(shù)委員會將EnOcean無線通信標(biāo)準(zhǔn)采納為國際標(biāo)準(zhǔn)“ISO/IEC 14543-3-10”，這也是世界上唯一使用能量采集技術(shù)的無線國際標(biāo)準(zhǔn)。
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