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      dut

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      dut技術(shù)

      迭代模式在UVM中的應(yīng)用有哪些

      迭代模式在UVM中的應(yīng)用有哪些

      行為型設(shè)計(jì)模式數(shù)量較多，上一篇介紹了模板模式和策略模式，下面對(duì)迭代模式進(jìn)行介紹，挖掘其在UVM中的應(yīng)用。

      2023-08-14 標(biāo)簽：UVMpythonDUT 845 0

      創(chuàng)建約束隨機(jī)測(cè)試目標(biāo)

      創(chuàng)建約束隨機(jī)測(cè)試目標(biāo)

      為了實(shí)現(xiàn)驗(yàn)證目標(biāo)，測(cè)試用例開發(fā)者需要控制測(cè)試激勵(lì)的生成以覆蓋特定的場(chǎng)景。測(cè)試用例開發(fā)者可以用下面這些方法控制測(cè)試激勵(lì)的創(chuàng)建： 添加約束條件來(lái)控制單個(gè)數(shù)據(jù)...

      2023-06-17 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)仿真DUT 845 0

      編寫動(dòng)態(tài)的驗(yàn)證環(huán)境

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      作為一名DV，開發(fā)驗(yàn)證環(huán)境，編寫驗(yàn)證環(huán)境也算是必備基礎(chǔ)技能了。雖然每天都會(huì)coding，但最終寫出來(lái)的代碼，是一次性代碼，還是方法？

      2023-07-17 標(biāo)簽：處理器寄存器SoC芯片 820 0

      模擬輸入測(cè)試的一個(gè)實(shí)際案例

      模擬輸入測(cè)試的一個(gè)實(shí)際案例

      前幾天剛好遇到一個(gè)模擬輸入測(cè)試的一個(gè)實(shí)際案例，我們一起來(lái)看看。

      2023-10-19 標(biāo)簽：繼電器ECU測(cè)試分壓電路 815 0

      上海伯東美國(guó)inTEST熱流儀提供socket板高低溫沖擊測(cè)試解決方案

      上海伯東美國(guó)inTEST熱流儀提供socket板高低溫沖擊測(cè)試解決方案

      應(yīng)用于信息安全, 汽車電子和網(wǎng)絡(luò)通信等行業(yè)的 socket 板, 一般由多個(gè)芯片組合. socket 板在研發(fā)階段, 需要進(jìn)行嚴(yán)格的環(huán)境溫度測(cè)試, 測(cè)試...

      2024-02-22 標(biāo)簽：光纖收發(fā)器PCB電路板DUT 790 0

      產(chǎn)生快速線路瞬變

      產(chǎn)生快速線路瞬變

      集成電路對(duì)其輸入電源快速瞬變的響應(yīng)通常是一項(xiàng)重要的測(cè)量。如果被測(cè)器件（DUT）是微功率器件，不需要輸入旁路電容，只需使用50Ω端接函數(shù)發(fā)生器驅(qū)動(dòng)電源輸入...

      2023-06-10 標(biāo)簽：電源集成電路DUT 742 0

      分享幾個(gè)bug發(fā)現(xiàn)手段

      final chk的思想是在執(zhí)行完成一個(gè)測(cè)試用例（或者一個(gè)簡(jiǎn)單的命令）之后，然后查看下當(dāng)前設(shè)計(jì)DUT的狀態(tài)。比如說(shuō)一個(gè)cacheline，在完成一筆re...

      2023-10-23 標(biāo)簽：命令BUGDUT 739 0

      使用OI-EASU432型EMI掃描儀與頻譜儀對(duì)DUT進(jìn)行EMI測(cè)試實(shí)驗(yàn)方案

      使用OI-EASU432型EMI掃描儀與頻譜儀對(duì)DUT進(jìn)行EMI測(cè)試實(shí)驗(yàn)方案

      實(shí)驗(yàn)背景：在電子設(shè)備的設(shè)計(jì)與制造流程中，電磁干擾（EMI）占據(jù)著舉足輕重的地位，是不可或缺的考量要素。鑒于某些設(shè)備在運(yùn)作時(shí)可能釋放出高強(qiáng)度的電磁輻射，進(jìn)...

      2024-08-31 標(biāo)簽：emi掃描儀頻譜儀 667 0

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      從串行設(shè)備測(cè)試改變?yōu)椴⑿性O(shè)備測(cè)試可以顯著地增加測(cè)試系統(tǒng)吞吐量。測(cè)試執(zhí)行活動(dòng)的大部分可能涉及使用DC電源設(shè)置條件和進(jìn)行測(cè)量。配置測(cè)試系統(tǒng)，使其能夠使用多個(gè)...

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      以更低的成本實(shí)現(xiàn)更高的半導(dǎo)體測(cè)試吞吐量

      在這種環(huán)境下，ATE設(shè)計(jì)人員努力增加每一代通道的數(shù)量并不少見。提高測(cè)試能力意味著主板（具有大量引腳驅(qū)動(dòng)器電子元件的驅(qū)動(dòng)板）將需要大量功率才能運(yùn)行。當(dāng)然，...

      2023-06-28 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器ATEDUT 658 0

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      本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?在某些位置測(cè)量波形時(shí)，觀測(cè)到的波形可能與實(shí)際波形不同。?理想的做法是測(cè)量位置要應(yīng)盡可能地靠近DUT，最好在引腳根部。

      2023-02-09 標(biāo)簽：MOSFET電壓SiC 575 0

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      在上一篇文章中，我們了解了TC10規(guī)范的內(nèi)容，并掌握了基于以太網(wǎng)鏈路的物理層休眠喚醒機(jī)制。為了確保不同廠商的設(shè)備在以太網(wǎng)休眠喚醒功能上的互操作性，OPE...

      2025-02-13 標(biāo)簽：以太網(wǎng)物理層DUT 455 0

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