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標(biāo)簽 > finfet
FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管,是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長。
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一個復(fù)雜的處理器可能包含數(shù)億甚至數(shù)十(百)億個晶體管,這些晶體管通過細金屬線彼此互聯(lián)。芯片的制造過程極其復(fù)雜,需要經(jīng)歷數(shù)百個精確控制的步驟。
FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)從平面晶體管到FinFET的演變是一種先進的晶體管架構(gòu),旨在提高集成電路的性能和效率。它通過將傳統(tǒng)的平面晶體管轉(zhuǎn)換為三維...
在90納米制程之前,每一代集成電路技術(shù)節(jié)點的縮放不僅帶來了更高的器件密度,還提升了器件性能。然而,當(dāng)CMOS IC從90納米發(fā)展到65納米節(jié)點時,縮放并...
隨著晶體管尺寸的逐步縮小,其特征尺寸也在不斷縮小,當(dāng)特征尺寸到了22nm,平面晶體管由于其柵極對于溝道的控制能力較弱而出現(xiàn)短溝道效應(yīng),逐漸被一種新型的晶...
2024-04-02 標(biāo)簽:摩爾定律晶體管場效應(yīng)晶體管 876 0
22nm技術(shù)節(jié)點的FinFET制造工藝流程
半導(dǎo)體器件的制造由許多步驟組成,這些步驟必須產(chǎn)生定義明確的結(jié)構(gòu),并且從一個器件到下一個器件的偏差很小。每一步都必須考慮之前和隨后的制造步驟,以確保實現(xiàn)所...
看到這個題目,可能不少朋友都會滿臉問號,我們知道cell內(nèi)部會有l(wèi)eakage,難道cell與cell之間也會有l(wèi)eakage嗎?
2023-12-06 標(biāo)簽:場效應(yīng)管MOS管Layout 1359 0
背面電力傳輸打破了在硅晶圓正面處理信號和電力傳輸網(wǎng)絡(luò)的長期傳統(tǒng)。通過背面供電,整個配電網(wǎng)絡(luò)被移至晶圓的背面。硅通孔 (TSV) 將電源直接從背面?zhèn)魉偷秸?..
科普一下先進工藝22nm FDSOI和FinFET的基礎(chǔ)知識
泄漏功率仍然是HKMG(High-K Metal Gate)一個主要問題。從下圖看出,在28nm的High-K Metal Gate Stack中,le...
提到FET,學(xué)電子的人都比較熟悉,F(xiàn)ET就是Field-Effect Transistor,場效應(yīng)管。
2023-07-12 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管FET 3989 0
半導(dǎo)體前端工藝:金屬布線—為半導(dǎo)體注入生命的連接
生成接觸孔后,下一步就是連接導(dǎo)線。在半導(dǎo)體制程中,連接導(dǎo)線的過程與一般電線的生產(chǎn)過程非常相似,即先制作線的外皮。在一般的電路連接中,直接采用成品電線即可...
什么是FinFET?鰭式場效應(yīng)晶體管有哪些優(yōu)缺點?
推動半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展并使今天的芯片成為可能的關(guān)鍵技術(shù)趨勢之一是采用FinFET工藝。工程師介紹,另一種有前途的技術(shù)是環(huán)柵(GAA)晶體管。這提供了柵極和溝...
2023-07-07 標(biāo)簽:場效應(yīng)管晶體管FinFET 9523 0
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