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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。

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finfet技術(shù)

體硅FinFET和SOI FinFET的差異

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶體管結(jié)構(gòu)的選擇如同建筑中的地基設(shè)計，直接決定了芯片的性能上限與能效邊界。當制程節(jié)點推進到22nm以下時，傳統(tǒng)平面晶體管已無法滿足需求...

2025-06-25 標簽：半導(dǎo)體晶體管 FinFET 504 0

鰭式場效應(yīng)晶體管的原理和優(yōu)勢

自半導(dǎo)體晶體管問世以來，集成電路技術(shù)便在摩爾定律的指引下迅猛發(fā)展。摩爾定律預(yù)言，單位面積上的晶體管數(shù)量每兩年翻一番，而這一進步在過去幾十年里得到了充分驗證。

2025-06-03 標簽：MOSFET 半導(dǎo)體晶體管 405 0

FinFET與GAA結(jié)構(gòu)的差異及其影響

本文介紹了當半導(dǎo)體技術(shù)從FinFET轉(zhuǎn)向GAA（Gate-All-Around）時工藝面臨的影響。

2025-05-21 標簽：半導(dǎo)體晶圓制造工藝 790 0

FinFET技術(shù)在晶圓制造中的優(yōu)勢

本文通過介紹傳統(tǒng)平面晶體管的局限性，從而引入FinFET技術(shù)的原理、工藝和優(yōu)勢。

2025-04-14 標簽：MOSFET 晶圓晶體管 439 0

集成電路設(shè)計與制造過程

一個復(fù)雜的處理器可能包含數(shù)億甚至數(shù)十（百）億個晶體管，這些晶體管通過細金屬線彼此互聯(lián)。芯片的制造過程極其復(fù)雜，需要經(jīng)歷數(shù)百個精確控制的步驟。

2025-03-03 標簽：處理器集成電路半導(dǎo)體 1761 0

鰭式場效應(yīng)晶體管制造工藝流程

FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)從平面晶體管到FinFET的演變是一種先進的晶體管架構(gòu)，旨在提高集成電路的性能和效率。它通過將傳統(tǒng)的平面晶體管轉(zhuǎn)換為三維...

2025-02-17 標簽：晶體管制造工藝 FinFET 977 0

FinFET制造工藝的具體步驟

本文介紹了FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）制造過程中后柵極高介電常數(shù)金屬柵極工藝的具體步驟。

2025-01-20 標簽：晶圓晶體管柵極 2707 0

從平面晶體管到FinFET的演變

在90納米制程之前，每一代集成電路技術(shù)節(jié)點的縮放不僅帶來了更高的器件密度，還提升了器件性能。然而，當CMOS IC從90納米發(fā)展到65納米節(jié)點時，縮放并...

2024-12-04 標簽：MOSFET NMOS 晶體管 1131 0

3D-IC中三個不同層次的3D是什么

隨著晶體管尺寸的逐步縮小，其特征尺寸也在不斷縮小，當特征尺寸到了22nm，平面晶體管由于其柵極對于溝道的控制能力較弱而出現(xiàn)短溝道效應(yīng)，逐漸被一種新型的晶...

2024-04-02 標簽：摩爾定律晶體管場效應(yīng)晶體管 964 0

FinFET是什么？22nm以下制程為什么要引入FinFET呢？

隨著芯片特征尺寸的不斷減小，傳統(tǒng)的平面MOSFET由于短溝道效應(yīng)的限制，難以繼續(xù)按摩爾定律縮小尺寸。

2024-03-26 標簽：MOSFET 摩爾定律晶體管 5444 0

深度解析finFET設(shè)計規(guī)則

inFET 技術(shù)有幾個含義。最重要的是，硅鰭片的高度和寬度尺寸是由制造工藝決定的，而不是由電路設(shè)計者決定的。這意味著每個晶體管的寬度尺寸是由柵極多晶硅穿...

2024-02-21 標簽：多晶硅晶體管集成芯片 2966 0

為什么半導(dǎo)體行業(yè)試圖取代 FinFET？

納米片晶體管并不能拯救摩爾定律，也不能解決代工廠在最先進工藝節(jié)點上面臨的所有挑戰(zhàn)。為了克服這些問題，代工廠正在尋求各種創(chuàng)新，例如背面供電（BSPD），以...

2024-01-22 標簽：sram eda 晶體管 1074 0

FinFET工藝之self-heating概念介紹

當做到FinFET工藝時才了解到這個名詞，在平面工藝時都沒有接觸SHE（self-heating effect）這個概念。為什么到FinFET下開始需要...

2023-12-07 標簽：MOS SOI FinFET 3440 0

22nm技術(shù)節(jié)點的FinFET制造工藝流程

半導(dǎo)體器件的制造由許多步驟組成，這些步驟必須產(chǎn)生定義明確的結(jié)構(gòu)，并且從一個器件到下一個器件的偏差很小。每一步都必須考慮之前和隨后的制造步驟，以確保實現(xiàn)所...

2023-12-06 標簽：制造工藝 22nm 工藝流程 7338 0

layout相關(guān)—芯片中相鄰單元的漏電流

看到這個題目，可能不少朋友都會滿臉問號，我們知道cell內(nèi)部會有l(wèi)eakage，難道cell與cell之間也會有l(wèi)eakage嗎？

2023-12-06 標簽：場效應(yīng)管 MOS管 Layout 1462 0

數(shù)字后端先進工藝知識科普

DPT Double Patterning Technology。double pattern就是先進工藝下底層金屬/poly加工制造的一種技術(shù)，先進工...

2023-12-01 標簽：MOS管 FinFET 數(shù)字后端 3500 0

22nm平面工藝流程介紹

今天分享另一篇網(wǎng)上流傳很廣的22nm 平面 process flow. 有興趣的可以與上一篇22nm gate last FinFET process ...

2023-11-28 標簽：半導(dǎo)體晶片 22nm 1.5萬 0

為什么要提升芯片良率？良率為什么難提升？

提高芯片的良率變得越來越困難，很多新建的晶圓廠通線數(shù)年仍難以量產(chǎn)，有的雖勉強量產(chǎn)，但是良率始終無法爬坡式的提升，很多朋友會問：芯片的良率提升真的有那么難...

2023-09-06 標簽：半導(dǎo)體晶圓芯片制造 6841 0

背面電力傳輸下一代邏輯的游戲規(guī)則改變者

背面電力傳輸打破了在硅晶圓正面處理信號和電力傳輸網(wǎng)絡(luò)的長期傳統(tǒng)。通過背面供電，整個配電網(wǎng)絡(luò)被移至晶圓的背面。硅通孔 (TSV) 將電源直接從背面?zhèn)魉偷秸?..

2023-08-30 標簽：處理器晶體管電源完整性 1147 0

科普一下先進工藝22nm FDSOI和FinFET的基礎(chǔ)知識

泄漏功率仍然是HKMG(High-K Metal Gate)一個主要問題。從下圖看出，在28nm的High-K Metal Gate Stack中，le...

2023-07-12 標簽：晶體管 NPN晶體管 FinFET 9849 0

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