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      標(biāo)簽　>　finfet

      finfet

      finfet

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      FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。

      文章：248個(gè) 瀏覽：91041次 帖子：0個(gè)

      finfet技術(shù)

      體硅FinFET和SOI FinFET的差異

      體硅FinFET和SOI FinFET的差異

      在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶體管結(jié)構(gòu)的選擇如同建筑中的地基設(shè)計(jì)，直接決定了芯片的性能上限與能效邊界。當(dāng)制程節(jié)點(diǎn)推進(jìn)到22nm以下時(shí)，傳統(tǒng)平面晶體管已無(wú)法滿足需求...

      2025-06-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管FinFET 523 0

      鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的原理和優(yōu)勢(shì)

      鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的原理和優(yōu)勢(shì)

      自半導(dǎo)體晶體管問(wèn)世以來(lái)，集成電路技術(shù)便在摩爾定律的指引下迅猛發(fā)展。摩爾定律預(yù)言，單位面積上的晶體管數(shù)量每?jī)赡攴环?，而這一進(jìn)步在過(guò)去幾十年里得到了充分驗(yàn)證。

      2025-06-03 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體晶體管 408 0

      FinFET與GAA結(jié)構(gòu)的差異及其影響

      FinFET與GAA結(jié)構(gòu)的差異及其影響

      本文介紹了當(dāng)半導(dǎo)體技術(shù)從FinFET轉(zhuǎn)向GAA（Gate-All-Around）時(shí)工藝面臨的影響。

      2025-05-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓制造工藝 795 0

      FinFET技術(shù)在晶圓制造中的優(yōu)勢(shì)

      FinFET技術(shù)在晶圓制造中的優(yōu)勢(shì)

      本文通過(guò)介紹傳統(tǒng)平面晶體管的局限性，從而引入FinFET技術(shù)的原理、工藝和優(yōu)勢(shì)。

      2025-04-14 標(biāo)簽：MOSFET晶圓晶體管 440 0

      集成電路設(shè)計(jì)與制造過(guò)程

      集成電路設(shè)計(jì)與制造過(guò)程

      一個(gè)復(fù)雜的處理器可能包含數(shù)億甚至數(shù)十（百）億個(gè)晶體管，這些晶體管通過(guò)細(xì)金屬線彼此互聯(lián)。芯片的制造過(guò)程極其復(fù)雜，需要經(jīng)歷數(shù)百個(gè)精確控制的步驟。

      2025-03-03 標(biāo)簽：處理器集成電路半導(dǎo)體 1763 0

      鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管制造工藝流程

      鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管制造工藝流程

      FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)從平面晶體管到FinFET的演變是一種先進(jìn)的晶體管架構(gòu)，旨在提高集成電路的性能和效率。它通過(guò)將傳統(tǒng)的平面晶體管轉(zhuǎn)換為三維...

      2025-02-17 標(biāo)簽：晶體管制造工藝FinFET 980 0

      FinFET制造工藝的具體步驟

      FinFET制造工藝的具體步驟

      本文介紹了FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）制造過(guò)程中后柵極高介電常數(shù)金屬柵極工藝的具體步驟。

      2025-01-20 標(biāo)簽：晶圓晶體管柵極 2716 0

      從平面晶體管到FinFET的演變

      從平面晶體管到FinFET的演變

      在90納米制程之前，每一代集成電路技術(shù)節(jié)點(diǎn)的縮放不僅帶來(lái)了更高的器件密度，還提升了器件性能。然而，當(dāng)CMOS IC從90納米發(fā)展到65納米節(jié)點(diǎn)時(shí)，縮放并...

      2024-12-04 標(biāo)簽：MOSFETNMOS晶體管 1131 0

      3D-IC中三個(gè)不同層次的3D是什么

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      隨著晶體管尺寸的逐步縮小，其特征尺寸也在不斷縮小，當(dāng)特征尺寸到了22nm，平面晶體管由于其柵極對(duì)于溝道的控制能力較弱而出現(xiàn)短溝道效應(yīng)，逐漸被一種新型的晶...

      2024-04-02 標(biāo)簽：摩爾定律晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 969 0

      FinFET是什么？22nm以下制程為什么要引入FinFET呢？

      FinFET是什么？22nm以下制程為什么要引入FinFET呢？

      隨著芯片特征尺寸的不斷減小，傳統(tǒng)的平面MOSFET由于短溝道效應(yīng)的限制，難以繼續(xù)按摩爾定律縮小尺寸。

      2024-03-26 標(biāo)簽：MOSFET摩爾定律晶體管 5451 0

      深度解析finFET設(shè)計(jì)規(guī)則

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      inFET 技術(shù)有幾個(gè)含義。最重要的是，硅鰭片的高度和寬度尺寸是由制造工藝決定的，而不是由電路設(shè)計(jì)者決定的。這意味著每個(gè)晶體管的寬度尺寸是由柵極多晶硅穿...

      2024-02-21 標(biāo)簽：多晶硅晶體管集成芯片 2969 0

      為什么半導(dǎo)體行業(yè)試圖取代 FinFET？

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      納米片晶體管并不能拯救摩爾定律，也不能解決代工廠在最先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)上面臨的所有挑戰(zhàn)。為了克服這些問(wèn)題，代工廠正在尋求各種創(chuàng)新，例如背面供電（BSPD），以...

      2024-01-22 標(biāo)簽：srameda晶體管 1079 0

      FinFET工藝之self-heating概念介紹

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      當(dāng)做到FinFET工藝時(shí)才了解到這個(gè)名詞，在平面工藝時(shí)都沒(méi)有接觸SHE（self-heating effect）這個(gè)概念。為什么到FinFET下開(kāi)始需要...

      2023-12-07 標(biāo)簽：MOSSOIFinFET 3442 0

      22nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的FinFET制造工藝流程

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      半導(dǎo)體器件的制造由許多步驟組成，這些步驟必須產(chǎn)生定義明確的結(jié)構(gòu)，并且從一個(gè)器件到下一個(gè)器件的偏差很小。每一步都必須考慮之前和隨后的制造步驟，以確保實(shí)現(xiàn)所...

      2023-12-06 標(biāo)簽：制造工藝22nm工藝流程 7339 0

      layout相關(guān)—芯片中相鄰單元的漏電流

      看到這個(gè)題目，可能不少朋友都會(huì)滿臉問(wèn)號(hào)，我們知道cell內(nèi)部會(huì)有l(wèi)eakage，難道cell與cell之間也會(huì)有l(wèi)eakage嗎？

      2023-12-06 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管MOS管Layout 1462 0

      數(shù)字后端先進(jìn)工藝知識(shí)科普

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      DPT Double Patterning Technology。double pattern就是先進(jìn)工藝下底層金屬/poly加工制造的一種技術(shù)，先進(jìn)工...

      2023-12-01 標(biāo)簽：MOS管FinFET數(shù)字后端 3500 0

      22nm平面工藝流程介紹

      22nm平面工藝流程介紹

      今天分享另一篇網(wǎng)上流傳很廣的22nm 平面 process flow. 有興趣的可以與上一篇22nm gate last FinFET process ...

      2023-11-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片22nm 1.5萬(wàn) 0

      為什么要提升芯片良率？良率為什么難提升？

      為什么要提升芯片良率？良率為什么難提升？

      提高芯片的良率變得越來(lái)越困難，很多新建的晶圓廠通線數(shù)年仍難以量產(chǎn)，有的雖勉強(qiáng)量產(chǎn)，但是良率始終無(wú)法爬坡式的提升，很多朋友會(huì)問(wèn)：芯片的良率提升真的有那么難...

      2023-09-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓芯片制造 6849 0

      背面電力傳輸 下一代邏輯的游戲規(guī)則改變者

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      背面電力傳輸打破了在硅晶圓正面處理信號(hào)和電力傳輸網(wǎng)絡(luò)的長(zhǎng)期傳統(tǒng)。通過(guò)背面供電，整個(gè)配電網(wǎng)絡(luò)被移至晶圓的背面。硅通孔 (TSV) 將電源直接從背面?zhèn)魉偷秸?..

      2023-08-30 標(biāo)簽：處理器晶體管電源完整性 1149 0

      科普一下先進(jìn)工藝22nm FDSOI和FinFET的基礎(chǔ)知識(shí)

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      泄漏功率仍然是HKMG(High-K Metal Gate)一個(gè)主要問(wèn)題。從下圖看出，在28nm的High-K Metal Gate Stack中，le...

      2023-07-12 標(biāo)簽：晶體管NPN晶體管FinFET 9863 0

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        Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
      • 28nm
        28nm
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        從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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        驍龍
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