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同步整流芯片U7116W/U7110W是一款高頻率、高性能、CCM同步整流開關(guān),可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。U711XW內(nèi)置有...
氧化鎵(Ga2O3 )是性能優(yōu)異的超寬禁帶半導體材料,不僅臨界擊穿場強大、飽和速度高,而且具有極高的 巴利加優(yōu)值和約翰遜優(yōu)值,在功率和射頻器件領(lǐng)域具有重...
Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅(qū)動器是一款100V器件,集成了頂部和底部驅(qū)動器級、驅(qū)動器邏輯控制和保護功能。該驅(qū)動器可配...
納芯微高壓半橋驅(qū)動芯片NSD2622N產(chǎn)品介紹
納芯微發(fā)布專為增強型GaN設(shè)計的高壓半橋驅(qū)動芯片NSD2622N,該芯片集成正負壓穩(wěn)壓電路,支持自舉供電,具備高dv/dt抗擾能力和強驅(qū)動能力,可以顯著...
耐壓值定義了芯片安全工作電壓上限,若輸入電壓超過該值(如動態(tài)波動或負載突變),可能引發(fā)擊穿或永久損壞,直接影響器件可靠性、性能表現(xiàn)及系統(tǒng)適配性。高耐壓芯...
浮思特 | 在工程襯底上的GaN功率器件實現(xiàn)更高的電壓路徑
橫向氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)在中低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用領(lǐng)域正呈現(xiàn)強勁增長態(tài)勢。將這一材料體系擴展至更高電壓等級需要器件設(shè)計和襯底技術(shù)的創(chuàng)新。本文總結(jié)...
Analog Devices Inc. LTC7892兩相升壓控制器數(shù)據(jù)手冊
Analog Devices LTC7892兩相升壓控制器可驅(qū)動所有N溝道同步氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)功率級,輸出電壓高達100V。高性能...
Analog Devices Inc. EVAL-LTC7892-BZ評估板數(shù)據(jù)手冊
Analog Devices EVAL-LTC7892-BZ評估板設(shè)計用于演示LTC7892 GaN FET控制器。LTC7892優(yōu)化采用100V Ga...
GaN半橋功率IC和AHB/圖騰柱拓撲結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)效率高達95.5%的240W、150cc PD3.1解決方案立即下載
類別:電子資料 2025-01-22 標簽:拓撲結(jié)構(gòu)GaNAHB 398 0
納芯微高壓半橋驅(qū)動NSD2622N:為E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案
納芯微推出專為增強型 GaN 設(shè)計的高壓半橋驅(qū)動芯片 NSD2622N,集成正負壓穩(wěn)壓電路,支持自舉供電,具備高 dv/dt 抗擾能力和強驅(qū)動能力,可簡...
Anker “智控桌面充管家”再添雙星!鎵未來GaN賦能極簡美學新視界
GaNext助力|極簡桌面生活 當桌面充電邁入“高效與美學并存”的時代,鎵未來以尖端氮化鎵技術(shù)再次引領(lǐng)革新。近日,我們攜手全球消費電子巨頭 Anker,...
GaN與磁集成新技術(shù)亮相,60余家頭部廠商助力新能源
60+行業(yè)大咖深度剖析技術(shù)難點,60+家頭部供應(yīng)商帶來前沿產(chǎn)品解決方案,從第三代半導體到智能控制算法,從材料革新到系統(tǒng)優(yōu)化,這場峰會將深度呈現(xiàn)全鏈條技術(shù)...
MPS新品 MPG44100 集成GaN FET的高效率、增強型 PFC 穩(wěn)壓器,具有峰值功率總線升壓功能
MPS新品 MPG44100 集成GaN FET的高效率、增強型 PFC 穩(wěn)壓器,具有峰值功率總線升壓功能
鎵未來攜手聯(lián)想 GaN黑科技賦能筆電,解鎖“小體積高效率”快充新體驗
全球第一大PC廠商聯(lián)想Lenovo,近期發(fā)布 Lenovo Air X AI元啟版,Lenovo YOGA 360 14 Aura Al元啟翻轉(zhuǎn)輕薄本、...
作為蘋果全新打造的iOS操作系統(tǒng),視覺效果確實令人耳目一新,但新界面所帶來的耗電量嚴重、續(xù)航時間縮短、機身發(fā)熱發(fā)燙等問題,讓體驗感大打折扣。無論系統(tǒng)多么...
新成果:GaN基VCSEL動態(tài)物理模型開發(fā)
作為高速數(shù)據(jù)傳輸與光電信號處理的核心器件,垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)在高速光通信、激光雷達等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛,其動態(tài)特性直接關(guān)聯(lián)器件調(diào)制速率及穩(wěn)定性等...
意法半導體推出兩款高壓GaN半橋柵極驅(qū)動器,為開發(fā)者帶來更高的設(shè)計靈活性和更多的功能,提高目標應(yīng)用的能效和魯棒性。
型號 | 描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | 參考價格 |
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GS61008P-MR | 增強型硅基氮化鎵功率晶體管 VDS=100V ID=90A MODULE_7.55X4.59MM_SM |
獲取價格
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