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交流輸入功率因數(shù)的CrM PFC控制器芯片——MK2562系列
PFC是功率因數(shù)校正(Power Factor Correction)的縮寫,是一種電源管理技術(shù),可以在交直流轉(zhuǎn)換(ACDC)時提高電源對市電的利用率。
01:采用GaN技術(shù)的蜂窩通訊頻段高功率射頻應(yīng)用
本次會議將介紹恩智浦用差異化的GaN技術(shù),推出的面向蜂窩通訊頻段高功率產(chǎn)品應(yīng)用(包括全蜂窩通訊頻段射頻功率產(chǎn)品組合)。
通過將GAN和AR技術(shù)結(jié)合,真的能把素面吃出拉面味!
對于食物到食物的圖像轉(zhuǎn)換,這里用了基于 StarGAN 的網(wǎng)絡(luò)架構(gòu),實時運行。因此,該系統(tǒng)可以根據(jù)原始食物的變化,動態(tài)并且可交互地進行操作。此外,因為是...
GaN Charger推薦方案- HGN093N12S/SL高頻應(yīng)用MOSFET
選用本款HGN093N12S/SL產(chǎn)品, 可以讓客戶提高整機效率, 并且溫度也隨之下降, 效率提升之外, 整體表現(xiàn)與CP值都能有效提升。
硅(Si)是電子產(chǎn)品中常用的純半導(dǎo)體的一個例子。鍺(Ge)是另一種純半導(dǎo)體,用于一些最早的電子設(shè)備。半導(dǎo)體也由化合物制成,包括砷化鎵 (GaAs)、氮化...
藝術(shù)創(chuàng)作過程中與生成對抗網(wǎng)絡(luò)碰撞出的火花
那么你的角色是什么呢?輕微調(diào)整游戲規(guī)則(網(wǎng)絡(luò)的超參數(shù)),成為了美術(shù)館館長(curator)。作為館長你要從GAN的輸出中進行挑選,因為GAN會生成很多不...
2018-09-17 標簽:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GAN機器學(xué)習(xí) 3497 0
由于GaN和AlGaN材料中擁有較強的極化效應(yīng),AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)無需進行調(diào)制摻雜就能在界面處形成高濃度的二維電子氣(2DEG),在此基礎(chǔ)上發(fā)展而...
采用GaN技術(shù)的蜂窩通訊頻段高功率產(chǎn)品應(yīng)用
本次會議將介紹恩智浦用差異化的GaN技術(shù),推出的面向蜂窩通訊頻段高功率產(chǎn)品應(yīng)用(包括全蜂窩通訊頻段射頻功率產(chǎn)品組合)。
關(guān)于GAN模型我們還要可以深入了解、探討哪些問題?
大多數(shù) GAN 研究都廣泛應(yīng)用于圖像合成。特別是在部分標準圖像數(shù)據(jù)集上訓(xùn)練 GAN,如 MNIST,CIFAR-10,STL-10,CelebA和Ima...
2019-05-05 標簽:GaN模型數(shù)據(jù)集 3457 0
LMG3410:方波波形開關(guān)節(jié)點幾乎完美,你值得擁有
所有功率級設(shè)計者期望在開關(guān)節(jié)點看到完美的方波波形??焖偕仙?下降邊降低了開關(guān)損耗,而低過沖和振鈴最小化功率FET上的電壓應(yīng)力。
除了眾所周知的 Deepfake 這樣的換臉技術(shù)外,今天要介紹的是與人們息息相關(guān)的指紋,它被廣泛應(yīng)用于指紋鎖、手機、安檢等應(yīng)用場景中,有極高的安全等級。...
2019-02-27 標簽:神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)GaNai技術(shù) 3450 0
集成柵極驅(qū)動器的GaN ePower超快開關(guān)
氮化鎵場效應(yīng)晶體管在許多電力電子應(yīng)用中持續(xù)獲得關(guān)注,但氮化鎵技術(shù)仍處于其生命周期的早期階段【1】。雖然基本FET性能品質(zhì)因數(shù)還有很大的提升空間,但GaN...
對緊湊而強大的電動機的需求給設(shè)計工程師帶來了新的挑戰(zhàn)。為了最大限度地提高小型電機的功率輸出,工程師們正在轉(zhuǎn)向高壓和高頻操作。硅 (Si) 金屬氧化物半導(dǎo)...
應(yīng)用于高密度電源設(shè)計的GaN半導(dǎo)體材料
GaN產(chǎn)品應(yīng)用于可靠和高密度電源的設(shè)計
與基本圖像生成問題相反,T2I生成以文本描述為條件,而不是僅從噪聲開始。利用GAN的強大功能,業(yè)界已經(jīng)提出了不同的T2I方法來生成視覺上逼真的和文本相關(guān)...
2019-03-18 標簽:GaN鑒別器數(shù)據(jù)集 3362 0
近年來,以SiC(SiC)、氮化鎵(GaN)等材料為代表的化合物半導(dǎo)體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優(yōu)異的性能而飽受關(guān)注。
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