幫助理解GAN的內(nèi)部機(jī)制的交互式可視化工具

而右側(cè)的數(shù)據(jù)分布視圖中，除了原先的綠點(diǎn)（真實(shí)樣本），我們還能看到一些紫點(diǎn)（生成樣本）。在訓(xùn)練過程中，生成樣本的位置持續(xù)更新，最終趨向于和真實(shí)樣本的分布重...

2018-09-08 標(biāo)簽：圖像GAN可視化 2921 0

淺談GaN芯片的制備工藝（GaN HEMT工藝為例）

本文聊一下GaN芯片的制備工藝。 GaN-般都是用外延技術(shù)制備出來。GaN的外延工藝大家可以看看中村修二的書。

2022-10-19 標(biāo)簽：放大器振蕩器GaN 2899 0

安森美半導(dǎo)體GaN晶體管——追求更快、更智能和更高能效

氮化鎵(GaN)，作為時(shí)下新興的半導(dǎo)體工藝技術(shù)，提供超越硅的多種優(yōu)勢(shì)。與硅器件相比，GaN在電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度上實(shí)現(xiàn)了性能的飛躍，廣泛應(yīng)用于功率因數(shù)...

2016-06-28 標(biāo)簽：安森美氮化鎵GaN 2854 0

GaN HEMT有哪些優(yōu)缺點(diǎn)

GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）作為一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件，在電力電子、高頻通信、汽車電子等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢(shì)，但同時(shí)也存在一些缺...

2024-08-15 標(biāo)簽：GaN功率半導(dǎo)體HEMT 2850 0

高功率GaN HEMT的可靠性設(shè)計(jì)

氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應(yīng)用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達(dá) 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達(dá) 3...

2022-09-19 標(biāo)簽：放大器RFGaN 2759 0

LED芯片主要的三種流派結(jié)構(gòu)介紹

LED是一種半導(dǎo)體，通電即會(huì)發(fā)光。憑借其高效率、長(zhǎng)壽命和其他突出的特點(diǎn)，成為L(zhǎng)CD液晶顯示模組的核心材料，為L(zhǎng)CD的背光模組提供足夠的光源；

2023-02-01 標(biāo)簽：LED芯片LED封裝GaN 2754 0

GaN MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及原理

GaN MOSFET（氮化鎵金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種新型的功率器件，具有高功率密度、高效率和快速開關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn)。與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比...

2024-07-14 標(biāo)簽：MOSFETGaN金屬 2738 0

基于GaN單晶N極性HEMT器件

這是NEDO關(guān)于“加強(qiáng)后5G信息通信系統(tǒng)基礎(chǔ)設(shè)施研究開發(fā)項(xiàng)目”的成果。2020年6月，NEDO發(fā)布了該決定，并計(jì)劃讓住友電工從事高頻器件高功率、小型化技...

2022-11-23 標(biāo)簽：GaN毫米波HEMT 2670 0

大尺寸磊晶技術(shù)突破 GaN-on-Si基板破裂問題有解

近年來氮化鎵（GaN）系列化合物半導(dǎo)體材料已被證實(shí)極具潛力應(yīng)用于液晶顯示器（LCD）之背光模組、光學(xué)儲(chǔ)存系統(tǒng)、高頻與大功率之微波電子元件等商業(yè)用途。然而...

2013-06-06 標(biāo)簽：LCD氮化鎵GaN 2668 0

氮化鎵芯片應(yīng)用前景如何

隨著半導(dǎo)體化合物持續(xù)發(fā)展，相較第一代硅基半導(dǎo)體和第二代砷化鎵等半導(dǎo)體，第三代半導(dǎo)體具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高電子遷移率、高工作溫度等優(yōu)點(diǎn)。以SiC和G...

2023-02-05 標(biāo)簽：芯片氮化鎵GaN 2656 0