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無(wú)線設(shè)計(jì)LNA和PA的作用和要求及其主要特性
LNA 的作用是從天線獲取極其微弱的不確定信號(hào),這些信號(hào)通常是微伏數(shù)量級(jí)的信號(hào)或者低于-100 dBm,然后將該信號(hào)放大至一個(gè)更有用的水平,通常約為0....
如今,以GaN和SiC為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)風(fēng)頭正勁。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體材料相比,GaN和SiC禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度高、電子遷移率高、熱導(dǎo)電率大、介電...
高效氮化鎵電源設(shè)計(jì)方案 GaN在基于圖騰柱PFC的電源設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)高效率
氮化鎵 (GaN) 可提高能效,減少 AC/DC 電源損耗,進(jìn)而有助于降低終端應(yīng)用的擁有成本。例如,借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC),...
用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的GaN器件
今天,永磁電機(jī),也稱為直流無(wú)刷電機(jī),應(yīng)用廣泛,與其他電機(jī)相比,可提供更高的每立方英寸扭矩能力和更高的動(dòng)態(tài)性能。迄今為止,硅基功率器件一直在逆變器電子產(chǎn)品...
2022-08-03 標(biāo)簽:逆變器GaN直流無(wú)刷電機(jī) 2609 0
小編在這里給大家分享一下什么是氮化鎵技術(shù)指標(biāo)?什么是氮化鎵技術(shù)指標(biāo)體系? 以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體,具有高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、...
TI LMG3410R050 GaN功率放大級(jí)解決方案
TI公司的LMG3410R050是具有過(guò)流保護(hù)的600-V 50-mΩGaN功率放大級(jí),比硅MOSFET具有固有的優(yōu)勢(shì)包括超低輸入和輸出電容,零反向恢復(fù)...
尋找硅替代物的研究始于上個(gè)世紀(jì)的最后二十年,當(dāng)時(shí)研究人員和大學(xué)已經(jīng)對(duì)幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗(yàn),這些材料顯示出替代射頻,發(fā)光,傳感器和功率半導(dǎo)體的現(xiàn)有硅材...
基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 器件具有出色的電氣特性,是高壓和高開(kāi)關(guān)頻率電機(jī)控制應(yīng)用中 MOSFET 和 IGBT 的有效...
基于氮化鎵技術(shù) (GaN) 的功率開(kāi)關(guān)器件現(xiàn)已量產(chǎn),并在實(shí)際功率應(yīng)用中提供高效率和功率密度。本文將探討如何使用 GaN 技術(shù)實(shí)施高功率解決方案,并提供應(yīng)...
GaN(氮化鎵)將推動(dòng)電源解決方案的進(jìn)步
實(shí)現(xiàn)更加高效的電力轉(zhuǎn)換是應(yīng)對(duì)當(dāng)前增長(zhǎng)的人口和能源需求的一個(gè)關(guān)鍵技術(shù)目標(biāo)。能夠有效推動(dòng)這一目標(biāo)達(dá)成的重要?jiǎng)?chuàng)新就是在電源應(yīng)用中使用氮化鎵 (GaN)。
使用先進(jìn)的控制方法提高GaN-based PFC的功率密度
High switching frequencies are among the biggest enablers for small size. To...
功率器件 (Power Devices) 通常也稱為電力電子器件,是專門用來(lái)進(jìn)行功率處理的半導(dǎo)體器件。功率器件具有承受高電壓、通過(guò)大電流的能力,處理電壓...
基于模型的GaN PA設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí):內(nèi)部電流-電壓(I-V)波形的定義及其必要性
基于模型的 GaN PA 設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí):內(nèi)部電流-電壓 (I-V) 波形的定義及其必要性
基于系統(tǒng)的可靠性保證實(shí)現(xiàn)GaN射頻功率器件產(chǎn)品的高可靠性
氮化鎵射頻器件能夠突破硅基器件的理論極限,實(shí)現(xiàn)高頻率/寬頻帶、高功率、高電壓、高效率及高使用溫度的特性,而被逐漸廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信行業(yè)。移動(dòng)通訊基站要求...
氮化鎵(GaN)芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料,由氮化鎵制成。它具有許多優(yōu)越的特性,例如高電子遷移率、高耐壓、高頻特性和低電阻等,這使得它在許多領(lǐng)域有著廣泛...
2024-01-10 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體材料氮化鎵 2470 0
用于1kW以上電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的集成電路GaN逆變器
自問(wèn)世以來(lái),氮化鎵技術(shù)開(kāi)啟了電力電子領(lǐng)域的新紀(jì)元。GaN 技術(shù)的三個(gè)最重要的參數(shù)是更高的帶隙、臨界場(chǎng)和電子遷移率。當(dāng)這些參數(shù)結(jié)合起來(lái)時(shí),由于 GaN 晶...
2022-07-29 標(biāo)簽:逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng)GaN 2437 0
氮化鎵(GaN) 是由氮和鎵組成的一種半導(dǎo)體材料,因?yàn)槠浣麕挾却笥?.2eV,又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。它是微波功率晶體管的優(yōu)良材料,也是藍(lán)色光發(fā)光器...
2023-02-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵GaN 2417 0
GaN HEMT外延材料表征技術(shù)研究進(jìn)展
氮化鎵 ( GaN) 作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,具有高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和高熱導(dǎo)率 等優(yōu)異的物理特性,是制作高頻微波器件和大功率電力電子器件的理想材料。...
GaN晶體管的基本結(jié)構(gòu)和性能優(yōu)勢(shì)
GaN(氮化鎵)晶體管,特別是GaN HEMT(高電子遷移率晶體管),是近年來(lái)在電力電子和高頻通信領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注的一種新型功率器件。其結(jié)構(gòu)復(fù)雜而精細(xì),...
GaN功率器件在工業(yè)電機(jī)控制領(lǐng)域的應(yīng)用
GaN 功率器件的卓越電氣特性正在逐步淘汰復(fù)雜工業(yè)電機(jī)控制應(yīng)用中的傳統(tǒng) MOSFET 和 IGBT。
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