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第三代半導(dǎo)體GaN材料的應(yīng)用優(yōu)缺點(diǎn)
GaN功率電子器件具有較高的工作電壓、較高的開關(guān)頻率、較低的導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn),能夠以極低的成本和較高的技術(shù)成熟度兼容硅基半導(dǎo)體集成電路工藝,在新一代高...
一種基于全HVPE生長的垂直GaN肖特基勢(shì)壘二極管
近日,由深圳大學(xué)和深圳信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院組成的科研團(tuán)隊(duì),研發(fā)出了“基于全HVPE生長、具有創(chuàng)紀(jì)錄的高品質(zhì)優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢(shì)壘...
氮化鎵(GaN)是一種非常堅(jiān)硬、機(jī)械穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體?;贕aN的功率器件具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開關(guān)速度、更高的導(dǎo)熱性和更低的導(dǎo)通電阻,其性能明顯...
電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)人員正在尋找提高效率同時(shí)增加系統(tǒng)功率密度的方法。 寬帶隙 (WBG) 技術(shù)提供了答案。 由氮化鎵 (GaN) 制成的晶體管作為一種解決方...
氮化鎵工藝技術(shù)是什么意思? 氮化鎵是一種無機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常...
氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,上世紀(jì)90年代就已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用,這些年來氮化鎵已經(jīng)成為了全球半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn),被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體,其具有更...
如今,圍繞第三代半導(dǎo)體的研發(fā)和應(yīng)用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速度等特點(diǎn),第三代半導(dǎo)體材料能夠滿足未來電子產(chǎn)品在高...
SiC范圍內(nèi)的GaN和熱感知簡化了X波段雷達(dá)設(shè)計(jì)
性能參數(shù)因應(yīng)用而異,雷達(dá)系統(tǒng)可能需要在從L波段以下到Ka波段以上的任何頻率下工作。8.5 至 11 GHz X 頻段正迅速成為主導(dǎo)頻率范圍,可用于海上導(dǎo)...
GaN功率級(jí)設(shè)計(jì)的散熱注意事項(xiàng)
GaN FET 實(shí)現(xiàn)了高頻電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。憑借出色的開關(guān)特性和零反向恢復(fù)損耗,這種輕量級(jí)設(shè)計(jì)具有更高的功率密度和更小的尺寸。
2020-12-10 標(biāo)簽:pcb電路板電源轉(zhuǎn)換器 1880 0
氮化鎵功率芯片功率曲線分析 氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點(diǎn)
不,氮化鎵功率器(GaN Power Device)與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉(zhuǎn)換和功率放大的半導(dǎo)體器件,它利用氮化鎵材料的特性來實(shí)...
作為第三代半導(dǎo)體的核心材料之一,GaN其主要有三個(gè)特性——開關(guān)頻率高、禁帶寬度大、更低的導(dǎo)通電阻。它在充電器上的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在:體積小,重量輕;功率密度...
本文研究了四個(gè)經(jīng)常被忽略的因素對(duì)基于GaN的全橋逆變器損耗模型的影響:器件的[寄生電容]()、時(shí)變功耗(Ploss)下的結(jié)溫度(*T*~j~)動(dòng)力學(xué)、殼...
2023-12-06 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器濾波器氮化鎵 1851 0
車載充電器(OBC)是電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的重要組成部分(HEV)。OBC通常由一個(gè)AC/DC(功率因數(shù)校正電路)和一個(gè)隔離式DC/DC轉(zhuǎn)換器。
2023-08-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車變換器DC-DC 1843 0
GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn),是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料,并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽(yù)為是繼第一...
48V電源系統(tǒng)中的GaN FET應(yīng)用
對(duì)于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應(yīng)用,現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來實(shí)現(xiàn)高頻和高效設(shè)計(jì)。這在很大程度上是由于缺乏設(shè)計(jì)用于...
2022-07-26 標(biāo)簽:FETGaN電源系統(tǒng) 1840 0
氮化鎵(GaN)是一種具有半導(dǎo)體特性的化合物,是由氮和鎵組成的一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,與碳化硅(SiC)并稱為第三代半導(dǎo)體材料的雙雄。GaN具有更寬的“帶...
由于GaN在高溫生長時(shí)N的離解壓很高,很難得到大尺寸的GaN單晶材料,因此,為了實(shí)現(xiàn)低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件,研究人員經(jīng)過幾十年的不...
硅制造技術(shù)已經(jīng)足夠成熟,可以大規(guī)模生產(chǎn)直徑達(dá)18英寸的晶片,而GaN晶片仍在6英寸的晶片上制造。GaN制造的基底選擇范圍從硅或藍(lán)寶石基底(便宜但較大的晶...
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