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由于這些新電源開關(guān)的快速開關(guān)速度與相關(guān)更高效率，因此我們希望看到他們能適用于開關(guān)模式電源和射頻（RF）功率放大器。他們可廣泛取代現(xiàn)有的金屬氧化物半導體場...
2019-03-26 標簽：emi功率開關(guān)gan 1764 0
氮化鎵（GaN）是用于在干擾器中構(gòu)建RF功率放大器（PA）的主要技術(shù)。GaN 具有獨特的電氣特性 – 3.4 eV 的帶隙使 GaN 的擊穿場比其他射頻...
使用GaN（氮化鎵）的功率半導體作為節(jié)能/低碳社會的關(guān)鍵器件而受到關(guān)注。兩家日本公司聯(lián)手創(chuàng)造了一項新技術(shù)，解決了導致其全面推廣的問題。
數(shù)明半導體SiLM824x系列隔離雙通道門級驅(qū)動器介紹
數(shù)明半導體最新推出的SiLM824x系列是一款具有不同配置的隔離雙通道門級驅(qū)動器。SiLM8243和SiLM8244配置為高、低邊驅(qū)動，而SiLM824...
隨著GaN功率器件的可靠性提升及成本逐漸接近常規(guī)MOS，相關(guān)中大功率快充方案備受市場青睞。為了滿足市場新需求，晶豐明源通過不斷創(chuàng)新，推出了集成GaN磁耦...
Si/SiC和GaN HEMT器件的結(jié)構(gòu)比較！
碳化硅（SiC）技術(shù)改進了各種應用中的多個系統(tǒng)和子系統(tǒng)組件。與硅相比，碳化硅通過更快的開關(guān)、在整個溫度范圍內(nèi)的平坦RDS（on）和更好的體二極管性能表現(xiàn)...
利用SiC和GaN實現(xiàn)AC-AC轉(zhuǎn)換器薄型化
最近，采用可大幅削減電力損耗的新一代功率元件的試制示例接連出現(xiàn)。此次邀請了安川電機，針對采用SiC功率元件的AC-AC轉(zhuǎn)換器以及采用GaN功率元件的功...
2013-09-22 標簽：SiCGaNAC-AC轉(zhuǎn)換器 1746 0
GaN（氮化鎵）晶體管，特別是GaN HEMT（高電子遷移率晶體管），近年來在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應用場景。其出色的高頻性能、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及...
本研究采用PEALD沉積AlN材料作柵絕緣層的同時，利用其作為器件表面鈍化層材料，本節(jié)即采用脈沖測試方法研究了PEALD沉積AlN鈍化器件的電流崩塌特性...
650V GaN FET 較低的寄生電容降低了開關(guān)損耗。此外，與 650-V Si MOSFET 相比，650-V GaN FET 在相同芯片尺寸內(nèi)具有...
GaN 技術(shù)持續(xù)為國防和電信市場提供性能和效率。目前射頻市場應用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會威脅到碳化硅基氮化...
UPS（不間斷電源）作為一種保障電力供應穩(wěn)定和可靠的設備，被廣泛應用在計算機、通訊和工業(yè)等領(lǐng)域。
安森美解讀SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)？粉末純度、SiC晶錠一致性
硅通常是半導體技術(shù)的基石。然而，硅也有局限性，尤其在電力電子領(lǐng)域，設計人員面臨著越來越多的新難題。解決硅局限性的一種方法是使用寬禁帶半導體。 本文為白皮...
GaN（氮化鎵）晶體管和SiC（碳化硅）晶體管作為兩種先進的功率半導體器件，在電力電子、高頻通信及高溫高壓應用等領(lǐng)域展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢。然而，它們在材料...
所謂第三代半導體，即禁帶寬度大于或等于2.3eV的半導體材料，又稱寬禁帶半導體。常見的第三代半導體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁...
GaN-on-Si LED技術(shù)是行業(yè)夢寐以求的技術(shù)。首先，硅是地殼含量第二的元素，物理和化學性能良好，在大尺寸硅襯底上制作氮化鎵LED的綜合成本可以降低25%；
在功率器件領(lǐng)域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時也會帶來巨大的性能提升。比如，在談論功率密度時，GaN（氮化鎵）憑借零反向復原、低輸出電荷...
在過去幾年中，氮化鎵 (GaN) 在用于各種高功率應用的半導體技術(shù)中顯示出巨大的潛力。與硅基半導體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅硬且穩(wěn)定的寬帶隙 (WB...
2022-07-29 標簽：升壓轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 1682 0
摘要 本文報道了鉑輔助化學化學蝕刻制備的多孔氮化鎵的結(jié)構(gòu)和光學性能。掃描電鏡圖像顯示，孔隙的密度隨著蝕刻時間的增加而增加，而蝕刻時間對孔隙的大小和形狀沒...
在單個器件上實現(xiàn)光電探測和神經(jīng)形態(tài)視覺傳感器兩種角色的轉(zhuǎn)換
光電探測器和神經(jīng)形態(tài)視覺傳感器作為兩種典型的光電子器件，在光信息的感知和處理方面具有重要作用。
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