Pre-Switch基于AI逆變器可實(shí)現(xiàn)電動(dòng)汽車的高效率

利用其基于人工智能的 DC/AC、AC/DC 軟開(kāi)關(guān)技術(shù)，Pre-Switch 展示了如何通過(guò)在每個(gè)開(kāi)關(guān)位置僅使用三個(gè)分立的低成本 35mΩ SiC F...

2022-08-04 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車逆變器AI 1408 0

使用GaN實(shí)現(xiàn)高功率密度和高效系統(tǒng)

氮化鎵是電力電子行業(yè)的熱門(mén)話題，因?yàn)樗梢詾殡娦烹娫吹葢?yīng)用提供高效設(shè)計(jì)；電動(dòng)汽車充電；加熱，通風(fēng)和空調(diào); 電器；和消費(fèi)電源適配器。在工業(yè)應(yīng)用中，氮化鎵取...

2022-07-29 標(biāo)簽：氮化鎵GaN柵極驅(qū)動(dòng)器 1402 0

IGBT的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用

雖然有些人可能將 IGBT 視為“傳統(tǒng)”技術(shù)，但它在高功率應(yīng)用中仍然發(fā)揮著重要作用。

2023-09-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體IGBTSiC 1402 0

從原理到實(shí)例：GaN為何值得期待？

從原理到實(shí)例：GaN為何值得期待？

2022-12-30 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體電容 1396 0

【泰克電源設(shè)計(jì)與測(cè)試】致工程師系列之四：寬禁帶半導(dǎo)體器件GaN、SiC設(shè)計(jì)優(yōu)化驗(yàn)證

選擇TIVH差分探頭的基本原則是以驅(qū)動(dòng)信號(hào)的上升時(shí)間為依據(jù)，儀器系統(tǒng)對(duì)被測(cè)點(diǎn)的影響小于3%。上管信號(hào)測(cè)量考慮因素：帶寬、電壓范圍（共模和差模）、CMRR和連接。

2020-08-11 標(biāo)簽：SiCGaN泰克科技 1390 0

大面積燒結(jié)的進(jìn)步提高了功率模塊的性能

以碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體可在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)速度、更低的損耗和更高的功率密度。隨著功率半導(dǎo)體效率的提高，碳化...

2023-11-21 標(biāo)簽：SiC氮化鎵功率模塊 1389 0

適配MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器以驅(qū)動(dòng)GaN FETs

GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優(yōu)勢(shì)，為電力電子產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了革命性的變化。然而，GaN技術(shù)的快速發(fā)展有時(shí)超出了專門(mén)為GaN設(shè)計(jì)的柵...

2024-02-29 標(biāo)簽：MOSFETGaN柵極驅(qū)動(dòng) 1382 0

氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器PCB設(shè)計(jì)必須掌握的要點(diǎn)

NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱“GaN”）功率開(kāi)關(guān)。之前...

2023-05-17 標(biāo)簽：柵極驅(qū)動(dòng)電路氮化鎵 1382 0

德州儀器白皮書(shū)：GaN將能源效率推升至新高度

GaN也面臨著挑戰(zhàn)。過(guò)去，這些挑戰(zhàn)與制造和提供高質(zhì)量、可靠GaN的能力相關(guān)。然而，隨著整個(gè)行業(yè)制造工藝的改進(jìn)和采用率的增加，挑戰(zhàn)逐漸集中到實(shí)施和系統(tǒng)設(shè)計(jì)上

2020-08-04 標(biāo)簽：德州儀器GaN柵極驅(qū)動(dòng)器 1381 0

GaN FET助力80 PLUS鈦金級(jí)效率

盡管工業(yè)電源（包括數(shù)據(jù)中心）的形狀和尺寸各異，但是它們的共同之處是需要保持安全、高效和穩(wěn)定。由于工業(yè)電源需要在各種負(fù)載下，全天候保持高效率，因此80 P...

2023-02-08 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換器GaN 1380 0

如何用GaN開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)高效率離線電源設(shè)計(jì)

與 InnoSwitch3 IC 一樣，MinE-CAP 利用 PowiGaN 器件的小尺寸和低導(dǎo)通電阻來(lái)提高系統(tǒng)性能。MinE-CAP 根據(jù)交流線路電...

2022-07-28 標(biāo)簽：led充電器散熱器 1378 0

改善GaN HEMT功率器件的短路耐受時(shí)間

在本文中，我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，即短路耐受時(shí)間 (SCWT)。

2024-05-09 標(biāo)簽：功率器件GaNHEMT 1378 0

二維材料異質(zhì)外延GaN及其應(yīng)用探索

傳統(tǒng)的GaN異質(zhì)外延主要在藍(lán)寶石襯底、Si襯底或者SiC襯底，在剝離的過(guò)程中，如藍(lán)寶石就特別困難，會(huì)產(chǎn)生較大的材料損耗和額外成本，且剝離技術(shù)也有待進(jìn)一步提高。

2024-03-28 標(biāo)簽：功率器件石墨烯GaN 1376 0

基于ST 意法半導(dǎo)體ST-ONE和MASTERGAN4的超高功率密度65W USB Type-C PD 3.1解決方案

ST-ONEMP與意法半導(dǎo)體的MasterGaN功率技術(shù)配套使用。 MasterGaN技術(shù)包含意法半導(dǎo)體的集成柵極驅(qū)動(dòng)器的氮化鎵(GaN)寬帶隙功率晶體...

2023-03-16 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體GaNType 1369 0

芯干線100W氮化鎵電源適配器拆解

芯干線科技新近研發(fā)的一款 100W 電源適配器，深受功放市場(chǎng)青睞，認(rèn)可度極高。

2024-11-08 標(biāo)簽：電源電源適配器氮化鎵 1364 0