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DL-ISO 高壓光隔離探頭具有 1 GHz 帶寬、2500 V 差分輸入范圍和 60 kV 共模電壓范圍,提供非常高的測(cè)量精度和豐富的連接方式,是Ga...
氮化鎵 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)性能要優(yōu)于硅MOSFET,因?yàn)樵谕葘?dǎo)通電阻的情況下,氮化鎵 (GaN) 晶體管的終端電容較低,并避免了體二極管所導(dǎo)致的...
GaN智能功率模塊(IPM)實(shí)現(xiàn)高效電機(jī)驅(qū)動(dòng)
氮化鎵(GaN)在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)為電源轉(zhuǎn)換器帶來(lái)了系統(tǒng)級(jí)的好處。智能功率模塊(IPM)通常用于提供緊湊、高效且安全的電機(jī)控制驅(qū)動(dòng)。在本文中,我們將...
2024-06-17 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)GaN智能功率模塊 1661 0
GaN中 (C_N) 缺陷的非輻射俘獲系數(shù)計(jì)算(上)
DASP (Defect and Dopant ab-initio Simulation Package)是一款半導(dǎo)體缺陷和雜質(zhì)性質(zhì)的第一性原理計(jì)算模擬...
本文解釋了平面磁件如何在效率、成本、空間要求以及散熱方面顯著改善電力電子器件的性能。閱讀本白皮書(shū)后,您應(yīng)該對(duì)平面磁性技術(shù)的優(yōu)勢(shì)以及自動(dòng)化工作流程如何輕松...
2023-02-22 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體電力電子SiC 1654 0
鑒于氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸,其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前,您可能仍然會(huì)好奇GaN是否具有...
一個(gè)集成濾波功能的低噪聲放大器設(shè)計(jì)原理圖
濾波器在前端中也有著重要的作用,在接收機(jī)下變頻時(shí),鏡像頻段處的信號(hào)會(huì)變頻到中頻帶處,引入干擾,此時(shí)濾波器可用于抑制鏡像頻段處的干擾。而在常見(jiàn)的前端設(shè)計(jì)中...
一種陽(yáng)極連接P型埋層的AlGaN/GaN肖特基二極管
最近,AlGaN/GaN肖特基二極管(SBD)受到了越來(lái)越多的關(guān)注。該器件具有關(guān)斷速度快、擊穿電壓高導(dǎo)通電阻小等特點(diǎn),因而被業(yè)界廣泛地認(rèn)為是下一代功率器...
誰(shuí)發(fā)現(xiàn)了氮化鎵半導(dǎo)體材料?這種材料的特性是什么?
氮化鎵(GaN)是氮和鎵化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,其具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn),寬禁帶半導(dǎo)體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合...
生成模型近年來(lái)發(fā)展迅猛,已經(jīng)表現(xiàn)出極強(qiáng)的真實(shí)感合成能力,在三維重建、AI繪畫(huà)、音視頻創(chuàng)作、可控圖像生成、真實(shí)圖像編輯等領(lǐng)域的應(yīng)用廣泛。
晶體管級(jí)異質(zhì)集成技術(shù)及其實(shí)用案例分析
化合物半導(dǎo)體微波器件的典型特點(diǎn)是不同結(jié)型器件性能差異明顯,表1給出了幾種常用的化合物半導(dǎo)體微波器件與Si CMOS性能對(duì)比,另外化合物半導(dǎo)體還擁有GaA...
瞻芯電子全新升級(jí)雙通道驅(qū)動(dòng)芯片IVCR2504介紹
近日,瞻芯電子推出了一款全新升級(jí)的雙通道驅(qū)動(dòng)芯片IVCR2504,它延續(xù)了經(jīng)典的IVCR240x系列芯片的高速、安全、緊湊的特點(diǎn),并將拉灌電流峰值由4A...
QR-Lock控制技術(shù)的65W GaN高集成快充套片
本期,芯朋微技術(shù)團(tuán)隊(duì)為各位fans分享原副邊全集成的65W快充方案,該方案由PN8783、PN8307P套片組成,PN8783具有卓越的環(huán)路穩(wěn)定性、高功...
新型電力系統(tǒng)面臨的發(fā)展要求和挑戰(zhàn)
高比例新能源的技術(shù)挑戰(zhàn)在于抗擾性弱,暫態(tài)電壓失穩(wěn),慣量缺失。新能源滲透率提高,電網(wǎng)強(qiáng)度下降,暫態(tài)穩(wěn)定性問(wèn)題更加凸顯。Grid Forming構(gòu)網(wǎng)技術(shù)是解...
2023-12-06 標(biāo)簽:電力系統(tǒng)IGBT功率器件 1606 0
干貨 | 氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要
干貨 | 氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要
2023-09-27 標(biāo)簽:PCB驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 1599 0
用于碳化硅的Aehr測(cè)試系統(tǒng)的技術(shù)差距
Advantes和 Teradyne最知名的是自動(dòng)化測(cè)試設(shè)備。許多其他事情中,ATE工具取出探針卡,將它們與晶圓上的芯片完美對(duì)齊,并與晶圓上的電路進(jìn)行物...
2023-04-04 標(biāo)簽:SiCGaN半導(dǎo)體制造 1586 0
100 V GaN FET 在 48 V 汽車和服務(wù)器應(yīng)用以及 USB-C、激光雷達(dá)和 LED 照明中很受歡迎。然而,小尺寸和最小的封裝寄生效應(yīng)為動(dòng)態(tài)表...
2022-10-19 標(biāo)簽:功率器件GaN電源環(huán)路 1580 0
作為“二十世紀(jì)最重要的新四大發(fā)明”之一,半導(dǎo)體的重要性不言而喻。從電子產(chǎn)品到航空航天,從人工智能到生物醫(yī)學(xué),半導(dǎo)體無(wú)處不在,深刻地塑造著我們生活的方方面面。
2023-09-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料SiC 1573 0
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