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GaN打破壁壘—RF功率放大器的帶寬越來越寬、 功率越來越高
摘要 電信行業(yè)不斷需要更高的數(shù)據(jù)速率，工業(yè)系統(tǒng)不斷需要更高的分辨率，這助推了滿足這些需求的電子設備工作頻率的不斷上升。許多系統(tǒng)可以在較寬的頻譜中工作，新...
高度集成的射頻收發(fā)器芯片有助于提高天線級的集成度。ADRV9009就是這種芯片的一個例子。它提供雙發(fā)射器和接收器、集成合成器和數(shù)字信號處理功能。該器件包...
這些優(yōu)勢是目前取代雷達常用的高功率、大帶寬行波管（TWT）放大器的趨勢背后的原因。GaN HEMT消除了由于陰極耗盡而導致的TWT放大器固有的使用壽命相...
任何一個電子元件，不論是一個三極管還是一個集成電路（Integrated Circuit, IC），想要使用它，都需要把它連入電路里。一個三極管，只需要...
【導讀】眾所周知，因為 GaN PA 需要使用特定的偏置時序，所以在某些設計中，GaN 功率放大器的上電和下電可能會具有挑戰(zhàn)性。如果處理不當，可能會導致...
掌握基本的射頻微波理論知識;熟練使用 HFSS、ADS、SONNET、Cadence(virtuoso，calibre)、EMX等電磁仿真以及射頻芯片設...
GaN基功率開關器件能實現(xiàn)優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵...
北京工業(yè)大學和中國北京大學報道了碳化硅襯底（GaN/SiC）上由氮化鎵制成的全垂直結(jié)構(gòu)肖特基勢壘二極管（SBD）的性能
電源常用的開關器件有MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN，這幾種器件均為電壓驅(qū)動型器件，不同類型器件的驅(qū)動電路也不完全相同
針對氧氣（O2）和三氯化硼（BCl3）等離子體進行原子層蝕刻的研究
基于GaN的高電子遷移率，晶體管，憑借其高擊穿電壓、大帶隙和高電子載流子速度，應用于高頻放大器和高壓功率開關中。就器件制造而言，GaN的相關材料，如Al...
幾十年來，硅一直主導著晶體管世界，但這種情況正在逐漸發(fā)生變化。已經(jīng)開發(fā)出由兩種或三種材料制成的化合物半導體，并具有獨特的優(yōu)勢和卓越的特性。例如，化合物半...
從 70 年代下半葉開始，電源管理應用的主導技術(shù)是基于 MOSFET(金屬氧化物硅場效應晶體管)器件，在效率和成本降低方面不斷取得進步和改進。然而，隨著...
導 讀 缺陷檢測是工業(yè)生產(chǎn)過程中的關鍵環(huán)節(jié)，其檢測結(jié)果的好壞直接影響著產(chǎn)品的質(zhì)量。而在現(xiàn)實場景中，但產(chǎn)品瑕疵率非常低，甚至是沒有，缺陷樣本的不充足使得需...
隨著世界希望電氣化有助于有效利用能源并轉(zhuǎn)向可再生能源，氮化鎵（GaN）等寬帶隙半導體技術(shù)的時機已經(jīng)成熟。傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT的性能現(xiàn)在接近材料的...
您可以通過多種方式控制GaN功率級。LMG5200 GaN 半橋功率級的 TI 用戶指南使用無源元件和分立邏輯門的組合。在這篇文章中，我將描述如何使用H...
基于微納結(jié)構(gòu)的MEMS熱輻射紅外光源技術(shù)原理
一些光柵結(jié)構(gòu)也實現(xiàn)了向二維方向的拓展，使TE、TM兩個極化方向產(chǎn)生相干的熱發(fā)射成為可能。如圖8所示為SiC交叉狹縫光柵結(jié)構(gòu)示意圖及光譜發(fā)射圖。
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關。之前...
過去在電子工業(yè)中知名的普萊思半導體有限公司，已交付到能夠一次處理7個6英寸的晶片的Aixtron（愛思強）公司，并用于生產(chǎn)高亮度LED。普萊思正在利用自...
制造業(yè)中任何公司的主要目標都是為客戶生產(chǎn)無缺陷產(chǎn)品。如果在產(chǎn)品開發(fā)過程中出現(xiàn)任何內(nèi)部孔、凹坑、磨損或劃痕（由于多種原因，從生產(chǎn)設備故障到惡劣的工作條件）...
2023-02-10 標簽：編碼器神經(jīng)網(wǎng)絡GaN 1939 0
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