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gan技術(shù)

手機(jī)品質(zhì)測(cè)試介紹

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要預(yù)測(cè)客戶對(duì)一款手機(jī)性能的接受程度,從而預(yù)測(cè)手機(jī)設(shè)計(jì)的品質(zhì),需要進(jìn)行實(shí)際使用測(cè)試。使用測(cè)試是一種很有價(jià)值的工具,本文將介紹如何進(jìn)行此類測(cè)試。 UMA/G...

2017-12-12 標(biāo)簽:移動(dòng)電話gan 2371 0

集成氮化鎵電機(jī)驅(qū)動(dòng)器分析

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氮化鎵(GaN)是一種具有寬帶隙的半導(dǎo)體,其開關(guān)速度比硅元件快20倍,并且可以處理高達(dá)三倍的功率密度。如果在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的PFC和轉(zhuǎn)換器級(jí)中使用GaN開關(guān)...

2023-04-04 標(biāo)簽:氮化鎵GaN電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 2370 0

使用基于GaN的OBC應(yīng)對(duì)電動(dòng)汽車EMI傳導(dǎo)發(fā)射挑戰(zhàn)

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本期,為大家?guī)?lái)的是《使用基于 GaN 的 OBC 應(yīng)對(duì)電動(dòng)汽車 EMI 傳導(dǎo)發(fā)射挑戰(zhàn)》,將深入回顧 CISPR 32 對(duì) OBC 的 EMI 要求,同...

2025-05-24 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車濾波器emi 2345 0

使用HRPWM的注意事項(xiàng)

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隨著新能源領(lǐng)域的發(fā)展, 在數(shù)字電源控制系統(tǒng)中要求功率密度高且轉(zhuǎn)換效率高。其中,整機(jī)功率密度的提升,就需要提高開關(guān)頻率, 大部分現(xiàn)有產(chǎn)品的開關(guān)頻率在50k...

2023-03-14 標(biāo)簽:電源SiCGaN 2331 0

紅外熱成像儀對(duì)放大器的芯片結(jié)溫的仿真測(cè)試

GaN 作為第三代半導(dǎo)體材料,具有更高的自發(fā)極化系數(shù)及更大的壓電系數(shù),能承受更高的功率密度,適用于高頻、高溫大功率電子器件。但隨著功率器件向小型化和大功...

2022-09-29 標(biāo)簽:放大器功率放大器散熱器 2272 0

基于GaN的晶體管尺寸和功率效率加倍

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無(wú)論是在太空還是在地面,這些基于GaN的晶體管都比硅具有新的優(yōu)勢(shì)。

2023-09-28 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動(dòng)晶體管GaN 2262 0

幾種led襯底的主要特性對(duì)比 氮化鎵同質(zhì)外延的難處

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GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為:襯底→GaN材料外延→器件設(shè)計(jì)→器件制造。其中,襯底是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。 作為襯底,GaN自然是最適合用來(lái)作為GaN外延...

2023-08-10 標(biāo)簽:led功率器件氮化鎵 2252 0

廣芯微600W雙向DC-DC升降壓轉(zhuǎn)換平臺(tái)方案

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廣芯微電子(廣州)股份有限公司于2024年12月宣布推出基于其UM32G421微處理器芯片打造的600W高效率雙向DC-DC升降壓轉(zhuǎn)換參考開發(fā)平臺(tái),集成...

2024-12-14 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器微處理器DC-DC 2242 0

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2021-01-22 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 2239 0

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RGB VCSEL光引擎有哪些應(yīng)用

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