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要預(yù)測(cè)客戶對(duì)一款手機(jī)性能的接受程度,從而預(yù)測(cè)手機(jī)設(shè)計(jì)的品質(zhì),需要進(jìn)行實(shí)際使用測(cè)試。使用測(cè)試是一種很有價(jià)值的工具,本文將介紹如何進(jìn)行此類測(cè)試。 UMA/G...
2017-12-12 標(biāo)簽:移動(dòng)電話gan 2371 0
氮化鎵(GaN)是一種具有寬帶隙的半導(dǎo)體,其開關(guān)速度比硅元件快20倍,并且可以處理高達(dá)三倍的功率密度。如果在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的PFC和轉(zhuǎn)換器級(jí)中使用GaN開關(guān)...
2023-04-04 標(biāo)簽:氮化鎵GaN電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 2370 0
使用基于GaN的OBC應(yīng)對(duì)電動(dòng)汽車EMI傳導(dǎo)發(fā)射挑戰(zhàn)
本期,為大家?guī)?lái)的是《使用基于 GaN 的 OBC 應(yīng)對(duì)電動(dòng)汽車 EMI 傳導(dǎo)發(fā)射挑戰(zhàn)》,將深入回顧 CISPR 32 對(duì) OBC 的 EMI 要求,同...
2025-05-24 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車濾波器emi 2345 0
隨著新能源領(lǐng)域的發(fā)展, 在數(shù)字電源控制系統(tǒng)中要求功率密度高且轉(zhuǎn)換效率高。其中,整機(jī)功率密度的提升,就需要提高開關(guān)頻率, 大部分現(xiàn)有產(chǎn)品的開關(guān)頻率在50k...
紅外熱成像儀對(duì)放大器的芯片結(jié)溫的仿真測(cè)試
GaN 作為第三代半導(dǎo)體材料,具有更高的自發(fā)極化系數(shù)及更大的壓電系數(shù),能承受更高的功率密度,適用于高頻、高溫大功率電子器件。但隨著功率器件向小型化和大功...
幾種led襯底的主要特性對(duì)比 氮化鎵同質(zhì)外延的難處
GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為:襯底→GaN材料外延→器件設(shè)計(jì)→器件制造。其中,襯底是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。 作為襯底,GaN自然是最適合用來(lái)作為GaN外延...
廣芯微600W雙向DC-DC升降壓轉(zhuǎn)換平臺(tái)方案
廣芯微電子(廣州)股份有限公司于2024年12月宣布推出基于其UM32G421微處理器芯片打造的600W高效率雙向DC-DC升降壓轉(zhuǎn)換參考開發(fā)平臺(tái),集成...
2024-12-14 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器微處理器DC-DC 2242 0
GaN將徹底改變數(shù)據(jù)中心電源 數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)是下一個(gè)角逐點(diǎn)
高可靠性,高性能氮化鎵功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品供應(yīng)商Transphorm與貝爾集團(tuán)(Bel Group)聯(lián)合宣布Bel的鈦效率電源中使用了六個(gè)Transphorm的...
2021-01-22 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 2239 0
在中國(guó)深空探索及載人航天任務(wù)逐漸增多的背景下,對(duì)電能的需求也隨之上升,從而推動(dòng)了對(duì)宇航電源的高效率與小型化的設(shè)計(jì)需求。宇航電源是航天器系統(tǒng)的心臟,既要為...
本期,芯朋微技術(shù)團(tuán)隊(duì)為各位粉絲分享新一代20-65W GaN快充方案,該方案集當(dāng)前行業(yè)最新控制技術(shù)、器件技術(shù)、功率封裝技術(shù)之大成,進(jìn)一步優(yōu)化快充方案的待...
氮化鎵是一種無(wú)機(jī)化合物,化學(xué)式為GaN,它由鎵和氮元素組成。氮化鎵具有許多重要的物理和化學(xué)性質(zhì),使其在科學(xué)研究和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域中具有廣泛的應(yīng)用。 氮化鎵是...
襯底(substrate)是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片,襯底可以直接進(jìn)入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件,也可以進(jìn)行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。
2024-03-08 標(biāo)簽:GaN單晶硅半導(dǎo)體制造 2206 0
功率GaN出現(xiàn)爆炸式增長(zhǎng) 基于GaN的RF器件獨(dú)特優(yōu)勢(shì)眾多
Qorvo這種新型高功率放大器MMIC是專為“商業(yè)和軍事雷達(dá),以及電子戰(zhàn)應(yīng)用”而設(shè)計(jì)。
氮化鎵具有許多內(nèi)在材料優(yōu)勢(shì),如寬能隙和高電子遷移率。當(dāng)用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時(shí),這些特性可用于獲得功率轉(zhuǎn)換性能優(yōu)勢(shì),因?yàn)槠錈o(wú)反向恢復(fù)...
氮化鎵是半導(dǎo)體與微電子產(chǎn)業(yè)的新星,其高電子能量的特性使其擁有極高的電能轉(zhuǎn)換效率和優(yōu)秀的高頻特性。業(yè)界已經(jīng)公認(rèn)氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體器件產(chǎn)品將統(tǒng)治微波放大...
SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術(shù)挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將在電力電子器件中發(fā)揮越來(lái)越重要的作用。與傳統(tǒng)硅(Si)設(shè)備相比,它們具有更高的效率、功率...
高頻高頻QR GaN控制器在Flyback拓?fù)淇斐洚a(chǎn)品上的應(yīng)用
型號(hào)LP8843DCD提供一個(gè)耐壓高達(dá)200V的VccH管腳,以及一個(gè)耐壓35V的VccL管腳;可以很方便的用這兩個(gè)管腳組成雙繞組供電方式,以節(jié)約高壓輸...
基于多孔氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體材料的方法,研究人員已經(jīng)開發(fā)出藍(lán)光VCSEL。目前,ITRI和Ganvix正著眼于綠色波長(zhǎng)和VCSEL陣列的量產(chǎn)。
GaN打破壁壘—RF功率放大器的帶寬越來(lái)越寬、 功率越來(lái)越高
摘要 電信行業(yè)不斷需要更高的數(shù)據(jù)速率,工業(yè)系統(tǒng)不斷需要更高的分辨率,這助推了滿足這些需求的電子設(shè)備工作頻率的不斷上升。許多系統(tǒng)可以在較寬的頻譜中工作,新...
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