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      gan技術(shù)

      氮化鎵的優(yōu)勢特點(diǎn)！

      傳統(tǒng)上，半導(dǎo)體生產(chǎn)中最常用的材料是硅（Si），因?yàn)樗S富且價(jià)格合理。但是，半導(dǎo)體制造商可以使用許多其他材料。此外，它們中的大多數(shù)還提供額外的好處，例如碳...

      2022-12-13 標(biāo)簽：晶體管SiC氮化鎵 3330 0

      INN650D150A增強(qiáng)功率晶體管GaN

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      650V硅上GaN增強(qiáng)模式功率晶體管，英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸，增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān)

      2023-08-07 標(biāo)簽：GaN功率晶體管 3314 0

      具有保護(hù)功能的GaN器件實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)

      氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...

      2020-12-20 標(biāo)簽：開關(guān)電源場效應(yīng)晶體管氮化鎵 3310 0

      氮化鎵簡介及其應(yīng)用場景

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      氮化鎵（Gallium Nitride，簡稱GaN）作為最新一代的半導(dǎo)體材料，近年來在電力電子應(yīng)用領(lǐng)域引發(fā)了廣泛關(guān)注。其卓越的性能和獨(dú)特的優(yōu)勢，使其成為...

      2024-11-27 標(biāo)簽：電動汽車半導(dǎo)體氮化鎵 3294 0

      基于GaN芯片的電源轉(zhuǎn)換方案設(shè)計(jì)

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      作者：Alex Lidow，Michael de Rooij，Andreas Reiter 氮化鎵（GaN）功率器件已投入生產(chǎn)10多年，除了性能和成本方...

      2021-05-26 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵GaN 3282 0

      我們能獲得更好的音頻放大器嗎？是的，用氮化鎵！

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      音頻是一個復(fù)雜的應(yīng)用，尤其是對于發(fā)燒友領(lǐng)域各個層面的需求。最高端的音頻設(shè)備通常都價(jià)格高昂，不同類型的音頻放大器吸引了眾多用戶的追求，他們相信其選擇可以最...

      2020-04-23 標(biāo)簽：音頻放大器D類放大器GaN 3264 0

      用于多種電源應(yīng)用的GaN晶體管

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      硅功率 MOSFET 沒有跟上電力電子行業(yè)的演進(jìn)變化，其中效率、功率密度和更小的外形因素是社區(qū)的主要需求。電力電子行業(yè)已經(jīng)看到硅 MOSFET 的理論極...

      2022-08-08 標(biāo)簽：MOSFET晶體管GaN 3263 0

      使用氮化鎵(GaN)提高電源(PSU)能效

      提高能效一直是電源制造商的一個長期目標(biāo)。這是真正的“雙贏”，因?yàn)檫@不僅降低運(yùn)行成本，而且減少了以熱的形式浪費(fèi)能量，意味著需要更少的散熱管理，從而減小了電...

      2022-04-27 標(biāo)簽：安森美氮化鎵GaN 3252 0

      利用GaN設(shè)計(jì)PFC整流器

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      傳統(tǒng)的升壓PFC僅使用一個有源開關(guān)，通常是650V超結(jié)Si MOSFET。當(dāng)今，大多數(shù)常規(guī)開關(guān)電源都采用升壓PFC，從而充分利用其簡單性、低成本和可靠性...

      2021-04-14 標(biāo)簽：整流器元器件GaN 3234 0

      用集成驅(qū)動器優(yōu)化GaN性能

      氮化鎵 （GaN） 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當(dāng)壓擺率很高時，特定的封裝類型會限制GaN FET的開關(guān)...

      2016-05-09 標(biāo)簽：GaN集成驅(qū)動器共源電路 3192 0

      柵極驅(qū)動器和偏置電源注意事項(xiàng)

      氮化鎵 （GaN） 是電力電子行業(yè)的熱門話題，因?yàn)樗梢允沟?80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動汽車 （EV） 車載充電器和 EV 充電站等設(shè)計(jì)...

      2022-10-14 標(biāo)簽：GaN偏置電源柵極驅(qū)動器 3138 0

      新一代半導(dǎo)體材料氧化鎵應(yīng)用研究

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      在所有其他參數(shù)相同的情況下，對于電子應(yīng)用，寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體優(yōu)于窄帶半導(dǎo)體(如硅)，因?yàn)閷?dǎo)帶和價(jià)帶之間的大能量分離允許這些器件在高溫和較高電壓下工作...

      2022-03-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體測量GaN 3137 0

      確定GaN產(chǎn)品可靠性的綜合方法

      　　TI正在設(shè)計(jì)基于GaN原理的綜合質(zhì)量保證計(jì)劃和相關(guān)的應(yīng)用測試來提供可靠的GaN解決方案。氮化鎵（GaN）的材料屬性可使電源開關(guān)具有令人興奮且具有突破...

      2016-04-25 標(biāo)簽：德州儀器晶體管GaN 3096 0

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      為了以整流方式獲得和諧同步的雙向電流控制，在半橋和全橋GaN 應(yīng)用中必須具有互補(bǔ)驅(qū)動信號。為避免交叉?zhèn)鲗?dǎo)，有目的地將死區(qū)時間放置在驅(qū)動信號的高側(cè)和低側(cè)。...

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      觀看Gary Lerude (Microwave Journal)和Bryan Goldstein（ADI航空航天與國防業(yè)務(wù)部門總經(jīng)理）的訪談，了解氮化...

      2018-06-03 標(biāo)簽：adiGaN航空航天 3070 0

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      這一想法最初的來源其實(shí)是英偉達(dá)最近開源的 StyleGAN 算法，已經(jīng)證明有不錯的靈活性。Philip Wang 在其 Facebook 上介紹稱，人臉...

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      采用可控濕法蝕刻速率的AlGaN/GaN的精密凹槽 華林科納

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      這本文中，我們提出了一種精確的，低損傷的循環(huán)刻蝕AlGaN/GaN的新方法，用于精確的勢壘凹陷應(yīng)用，使用ICP-RIE氧化和濕法刻蝕。設(shè)備功率設(shè)置的優(yōu)化...

      2021-12-13 標(biāo)簽：蝕刻GaN蝕刻工藝 2981 0

      絕緣柵HEMT器件界面固定電荷分析

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      由于界面固定電荷沒有充放電效應(yīng)，所以利用回滯曲線或變頻方法無法提供界面固定電荷信息，平帶電壓VFB漂移是常用的用于計(jì)算界面固定電荷的方法。本文首先結(jié)合能...

      2023-02-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體GaNHEMT 2972 0

      基于GaN光學(xué)芯片的生物顯微傳感系統(tǒng)

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      與主流的復(fù)雜光學(xué)活細(xì)胞生物傳感技術(shù)（如 SPR 和 RWG）相比，基于GaN光學(xué)芯片的生物顯微傳感系統(tǒng)，極大地降低了生物傳感器的設(shè)計(jì)、制造和實(shí)際使用中的...

      2022-04-29 標(biāo)簽：發(fā)光二極管GaN生物傳感器 2946 0

      幫助理解GAN的內(nèi)部機(jī)制的交互式可視化工具

      而右側(cè)的數(shù)據(jù)分布視圖中，除了原先的綠點(diǎn)（真實(shí)樣本），我們還能看到一些紫點(diǎn)（生成樣本）。在訓(xùn)練過程中，生成樣本的位置持續(xù)更新，最終趨向于和真實(shí)樣本的分布重...

      2018-09-08 標(biāo)簽：圖像GAN可視化 2921 0

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        藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
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        5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對4G手機(jī)，5G手機(jī)有更快的傳輸速度，低時延，通過網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準(zhǔn)的定位。
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        自iphone7取消3.5mm插孔后藍(lán)牙耳機(jī)市場得到迅猛發(fā)展，藍(lán)牙耳機(jī)種類也層出不窮，TWS藍(lán)牙耳機(jī)兩耳掛不需要有線連接，一經(jīng)面世TWS無線藍(lán)牙耳機(jī)開始大行其道。
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        　　智能工業(yè)：是將具有環(huán)境感知能力的各類終端、基于泛在技術(shù)的計(jì)算模式、移動通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個環(huán)節(jié)，大幅提高制造效率，改善產(chǎn)品質(zhì)量，降低產(chǎn)品成本和資源消耗，將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
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        智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、移動互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實(shí)現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿關(guān)愛的家庭生活方式。
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        是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測量公司，通過在無線、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測量體驗(yàn)。
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        無線收發(fā)模塊JF24D整合了高頻鍵控（GFSK）收發(fā)電路的功能，以特小體積更低成本實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓δ?。JF24D的傳輸速率為1M，具有81個通道可任意設(shè)置而互不干擾?？稍趽頂D的ISM 頻段中達(dá)到穩(wěn)定可靠的短距離數(shù)據(jù)傳輸。
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        太赫茲是一種新的、有很多獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)的輻射源；太赫茲技術(shù)是一個非常重要的交叉前沿領(lǐng)域，給技術(shù)創(chuàng)新、國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國家安全提供了一個非常誘人的機(jī)遇可能引發(fā)科學(xué)技術(shù)的革命性發(fā)展。
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        藍(lán)牙5.0是由藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍(lán)牙技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，藍(lán)牙5.0針對低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化，藍(lán)牙5.0結(jié)合wifi對室內(nèi)位置進(jìn)行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
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      • WiGig
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        WiGig（Wireless Gigabit，無線千兆比特）是一種更快的短距離無線技術(shù)，可用于在家中快速傳輸大型文件。
      • 樂鑫
        樂鑫
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        樂鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進(jìn)、專業(yè)的無晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計(jì)低功耗的 Wi-Fi 和藍(lán)牙系統(tǒng)級芯片，提供移動通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
      • lorawan
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        LoRaWAN基于LoRa遠(yuǎn)距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來說LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
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        5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項(xiàng)重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長為1毫米到10毫米，波動頻率為30GHz-300GHz。相對于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時延和靈活彈性空口配置等獨(dú)特優(yōu)勢，可滿足未來無線通信對系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
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        LTE-Advanced
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        超外差接收機(jī)
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        藍(lán)牙4.2
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