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      文章：1917個(gè) 瀏覽：76584次 帖子：160個(gè)

      gan技術(shù)

      基于GaN的高功率穩(wěn)壓輸出電源方案

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      隨著這些基于 DPA 的服務(wù)器和工作站隨著時(shí)間的推移變得越來(lái)越小，在這些系統(tǒng)中啟用 IBA 方案的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器或磚也必須如此。包括四分之一...

      2022-08-03 標(biāo)簽：fpga微處理器GaN 1345 0

      寬帶隙半導(dǎo)體重塑交通運(yùn)輸行業(yè)

      寬帶隙半導(dǎo)體重塑交通運(yùn)輸行業(yè)

      作者：Rolf Horn 投稿人：DigiKey 北美編輯 整個(gè)交通運(yùn)輸行業(yè)正在經(jīng)歷一場(chǎng)徹底的變革，內(nèi)燃機(jī) (ICE) 汽車(chē)逐漸讓位于污染更少的電動(dòng)汽車(chē)...

      2024-02-13 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體SiC 1338 0

      更智能、更簡(jiǎn)單的射頻電源解決方案

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      Wolfspeed 的 GaN on SiC 解決方案正在徹底改變射頻功率放大器的前驅(qū)動(dòng)器、驅(qū)動(dòng)器和輸出級(jí)。具體而言，新的高電子遷移率晶體管（HEMT）...

      2023-05-24 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器功率放大器發(fā)射器 1334 0

      GaNFast氮化鎵功率芯片有何優(yōu)勢(shì)？

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      納微半導(dǎo)體利用橫向650V eMode硅基氮化鎵技術(shù)，創(chuàng)造了專(zhuān)有的AllGaN工藝設(shè)計(jì)套件（PDK），以實(shí)現(xiàn)集成氮化鎵 FET、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器，邏輯和保護(hù)...

      2023-09-01 標(biāo)簽：充電器氮化鎵GaN 1323 0

      遠(yuǎn)山半導(dǎo)體1700V GaN器件的特性測(cè)試方案

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      遠(yuǎn)山半導(dǎo)體在連續(xù)推出幾款高壓GaN器件后，最終將他們最新款產(chǎn)品的額定電壓推向1700V，相較于之前的1200V器件又有了顯著的提升。為了解決GaN器件常...

      2025-01-14 標(biāo)簽：功率器件SiCGaN 1287 0

      基于矢量量化字典與雙解碼器的人臉盲修復(fù)網(wǎng)絡(luò)

      盡管生成式面部先驗(yàn)和結(jié)構(gòu)化面部先驗(yàn)最近已經(jīng)證明了可以生成高質(zhì)量的人臉盲修復(fù)結(jié)果，穩(wěn)定、可靠生成更細(xì)粒度的臉部細(xì)節(jié)仍然是一個(gè)具有挑戰(zhàn)性的問(wèn)題。

      2023-03-08 標(biāo)簽：解碼器GaN生成器 1286 0

      碳化硅上的氮化鎵：襯底挑戰(zhàn)

      RF LDMOS之于早期蜂窩網(wǎng)絡(luò)，氮化鎵（GaN）之于現(xiàn)代和高頻應(yīng)用。與砷化鎵（GaAs）和Si LDMOS相比，GaN長(zhǎng)期以來(lái)一直具有難以超越的優(yōu)勢(shì)：

      2023-05-24 標(biāo)簽：RF氮化鎵GaN 1283 0

      TI的UCG28826無(wú)輔助繞組 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器如何解決交流/直流適配器設(shè)計(jì)難題

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      人們對(duì)更小、更高效電源的需求不斷增長(zhǎng)，進(jìn)而推動(dòng)著基于氮化鎵 (GaN) 的功率級(jí)快速普及。在交流/直流適配器市場(chǎng)中，制造商正在迅速利用 GaN 反激式轉(zhuǎn)...

      2024-12-18 標(biāo)簽：德州儀器ti適配器 1283 0

      低功耗GaN在常見(jiàn)交流/直流電源拓?fù)渲械膬?yōu)勢(shì)

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      消費(fèi)者希望日常攜帶的各種電子設(shè)備能夠配備便攜、快速和高效的充電器。隨著大多數(shù)電子產(chǎn)品轉(zhuǎn)向 USB Type-C? 充電器，越來(lái)越多的用戶(hù)希望可以使用緊湊...

      2023-12-11 標(biāo)簽：充電器電源適配器GaN 1272 0

      全方面的電池應(yīng)用解決方案

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      越來(lái)越多的無(wú)線(xiàn)和電池供電設(shè)備越來(lái)越多地滲透到日常生活中，其中包括電動(dòng)汽車(chē)（EV）與太陽(yáng)能儲(chǔ)能系統(tǒng)等應(yīng)用，如何對(duì)電池進(jìn)行高效率的管理將是重要課題。本文將為...

      2023-06-28 標(biāo)簽：MOSFETGaN電源系統(tǒng) 1271 0

      量產(chǎn)GaN晶圓的KABRA工藝流程

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      半導(dǎo)體制造設(shè)備廠(chǎng)商DISCO Corporation（總部：東京都大田區(qū)；總裁：Kazuma Sekiya）采用了KABRA（一種使用激光加工的晶錠切片...

      2023-08-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓功率器件 1269 0

      氮化鎵(GaN)技術(shù)創(chuàng)新概況 氮化鎵襯底技術(shù)是什么

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      氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱(chēng)為寬禁帶半導(dǎo)體材料 ?氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，是研制微電...

      2023-09-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵GaN 1265 0

      利用缺陷信息數(shù)據(jù)庫(kù)探索界面工程，助力GaN基肖特基勢(shì)壘二極管的研究

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      在電力電子器件的外延生長(zhǎng)和器件制備過(guò)程中，特別是對(duì)于具有凹槽結(jié)構(gòu)的GaN基肖特基勢(shì)壘二極管（TMBS）而言，ICP刻蝕將不可避免地?fù)p傷材料的表面，產(chǎn)生大...

      2022-10-08 標(biāo)簽：二極管數(shù)據(jù)庫(kù)GaN 1256 0

      不同氮化鎵蝕刻技術(shù)的比較

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      GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導(dǎo)體最近被深入研究。為了實(shí)現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法...

      2023-12-01 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓氮化鎵 1247 0

      針對(duì)氮化鎵的優(yōu)化KABRA工藝，可使產(chǎn)能提升近40%！

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      切割出片數(shù)量方面，以2英寸、5mm的氮化鎵晶錠為例，在切割指定厚度為400微米的襯底時(shí)，KABRA工藝可切11片，相比之下出片數(shù)量增加了37.5%。

      2023-07-04 標(biāo)簽：SiC氮化鎵GaN 1246 1

      氮化鎵納米線(xiàn)和氮化鎵材料的關(guān)系

      氮化鎵納米線(xiàn)是一種基于氮化鎵材料制備的納米結(jié)構(gòu)材料，具有許多優(yōu)異的電子、光學(xué)和機(jī)械性質(zhì)，因此受到了廣泛關(guān)注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的...

      2023-02-25 標(biāo)簽：氮化鎵GaNLEDs 1240 0

      650V氮化鎵芯片U8722AH的工作原理

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      針對(duì)寬輸出電壓應(yīng)用場(chǎng)合，為了滿(mǎn)足VDD的寬電壓應(yīng)用需求，往往需要添加額外的電路或者輔助繞組，導(dǎo)致系統(tǒng)功耗和電路成本的增加。氮化鎵芯片U8722AH集成了...

      2024-09-06 標(biāo)簽：芯片氮化鎵GaN 1236 0

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      由于宇航電源整體及其組件面臨的綜合挑戰(zhàn)，GaN功率器件的全面應(yīng)用至今尚未達(dá)成。但是，隨著GaN功率器件輻照強(qiáng)化及驅(qū)動(dòng)方式的創(chuàng)新改良，宇航電源將會(huì)得到更大...

      2024-01-05 標(biāo)簽：電源半導(dǎo)體GaN 1231 0

      基于ST 的ST-ONEHP的140W的符合PD3.1的ERP能效標(biāo)準(zhǔn)的參考電源設(shè)計(jì)

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      專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)來(lái)控制ZVS非互補(bǔ)有源的鉗式反激(ACF)轉(zhuǎn)換器，以創(chuàng)建高功率密度充電器和適配器帶USB-PD EPR接口。

      2023-04-04 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體GaN快充 1231 0

      納芯微GaN HEMT驅(qū)動(dòng)芯片NSD2017在激光雷達(dá)中的優(yōu)勢(shì)

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      自動(dòng)駕駛是新能源汽車(chē)智能化的重要發(fā)展方向，而具備強(qiáng)感知能力的激光雷達(dá)則是L2+及以上級(jí)別自動(dòng)駕駛不可或缺的硬件設(shè)備。納芯微的單通道高速柵極驅(qū)動(dòng)芯片NSD...

      2024-07-01 標(biāo)簽：GaN驅(qū)動(dòng)芯片激光雷達(dá) 1230 0

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        藍(lán)牙5是藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍(lán)牙標(biāo)準(zhǔn)。藍(lán)牙5比原來(lái)?yè)碛懈斓膫鬏斔俣?，更遠(yuǎn)的傳輸距離。藍(lán)牙5.0的開(kāi)發(fā)人員稱(chēng)，新版本的藍(lán)牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍(lán)牙5.0的另外一個(gè)重要改進(jìn)是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍(lán)牙發(fā)射和接收設(shè)備之間的有效工作距離可達(dá)300米。
      • Qorvo
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        5G網(wǎng)絡(luò)作為最新一代的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)通訊技術(shù)，相對(duì)4G而言，網(wǎng)速更快；5G手機(jī)是指使用第五代通信系統(tǒng)的智能手機(jī)。相對(duì)4G手機(jī)，5G手機(jī)有更快的傳輸速度，低時(shí)延，通過(guò)網(wǎng)絡(luò)切片技術(shù)，擁有更精準(zhǔn)的定位。
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        自iphone7取消3.5mm插孔后藍(lán)牙耳機(jī)市場(chǎng)得到迅猛發(fā)展，藍(lán)牙耳機(jī)種類(lèi)也層出不窮，TWS藍(lán)牙耳機(jī)兩耳掛不需要有線(xiàn)連接，一經(jīng)面世TWS無(wú)線(xiàn)藍(lán)牙耳機(jī)開(kāi)始大行其道。
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        　　智能工業(yè)：是將具有環(huán)境感知能力的各類(lèi)終端、基于泛在技術(shù)的計(jì)算模式、移動(dòng)通信等不斷融入到工業(yè)生產(chǎn)的各個(gè)環(huán)節(jié)，大幅提高制造效率，改善產(chǎn)品質(zhì)量，降低產(chǎn)品成本和資源消耗，將傳統(tǒng)工業(yè)提升到智能化的新階段。
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        智慧家庭是智慧城市的最小單元，是以家庭為載體，以家庭成員之間的親情為紐帶，結(jié)合物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)，實(shí)現(xiàn)低碳、健康、智能、舒適、安全和充滿(mǎn)關(guān)愛(ài)的家庭生活方式。
      • Keysight
        Keysight
        +關(guān)注
        是德科技公司（Keysight，NYSE：KEYS）是全球領(lǐng)先的電子測(cè)量公司，通過(guò)在無(wú)線(xiàn)、模塊化和軟件解決方案等領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新，為您提供全新的測(cè)量體驗(yàn)。
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        無(wú)線(xiàn)收發(fā)模塊
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        無(wú)線(xiàn)收發(fā)模塊JF24D整合了高頻鍵控（GFSK）收發(fā)電路的功能，以特小體積更低成本實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)墓δ?。JF24D的傳輸速率為1M，具有81個(gè)通道可任意設(shè)置而互不干擾。可在擁擠的ISM 頻段中達(dá)到穩(wěn)定可靠的短距離數(shù)據(jù)傳輸。
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        三星公司
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        三星集團(tuán)是韓國(guó)最大的企業(yè)集團(tuán)，包括85個(gè)下屬公司及若干其他法人機(jī)構(gòu)，在近70個(gè)國(guó)家和地區(qū)建立了近300個(gè)法人及辦事處，員工總數(shù)20余萬(wàn)人，業(yè)務(wù)涉及電子、金融、機(jī)械、化學(xué)等眾多領(lǐng)域。
      • 太赫茲
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        太赫茲是一種新的、有很多獨(dú)特優(yōu)點(diǎn)的輻射源；太赫茲技術(shù)是一個(gè)非常重要的交叉前沿領(lǐng)域，給技術(shù)創(chuàng)新、國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展和國(guó)家安全提供了一個(gè)非常誘人的機(jī)遇可能引發(fā)科學(xué)技術(shù)的革命性發(fā)展。
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        藍(lán)牙5.0是由藍(lán)牙技術(shù)聯(lián)盟在2016年提出的藍(lán)牙技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，藍(lán)牙5.0針對(duì)低功耗設(shè)備速度有相應(yīng)提升和優(yōu)化，藍(lán)牙5.0結(jié)合wifi對(duì)室內(nèi)位置進(jìn)行輔助定位，提高傳輸速度，增加有效工作距離。
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        WiGig
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        WiGig（Wireless Gigabit，無(wú)線(xiàn)千兆比特）是一種更快的短距離無(wú)線(xiàn)技術(shù)，可用于在家中快速傳輸大型文件。
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        樂(lè)鑫信息科技（上海）有限公司 (Espressif Systems (Shanghai) Pte., Ltd.) 總部位于上海張江高科技園區(qū)，是一家先進(jìn)、專(zhuān)業(yè)的無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司，致力于研發(fā)設(shè)計(jì)低功耗的 Wi-Fi 和藍(lán)牙系統(tǒng)級(jí)芯片，提供移動(dòng)通訊和物聯(lián)網(wǎng)解決方案。
      • lorawan
        lorawan
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        LoRaWAN基于LoRa遠(yuǎn)距離通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)的一套通訊協(xié)議和系統(tǒng)架構(gòu)，如果按協(xié)議分層來(lái)說(shuō)LoRaWAN就是MAC層，LoRa是物理層。
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        5G毫米波技術(shù)是5G應(yīng)用中一項(xiàng)重要的基礎(chǔ)技術(shù)，毫米波指的是一種特殊電磁波，波長(zhǎng)為1毫米到10毫米，波動(dòng)頻率為30GHz-300GHz。相對(duì)于6GHz以下的頻段，毫米波具有大帶寬、低空口時(shí)延和靈活彈性空口配置等獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，可滿(mǎn)足未來(lái)無(wú)線(xiàn)通信對(duì)系統(tǒng)容量、傳輸速率和差異化應(yīng)用等方面的需求。
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      • 無(wú)線(xiàn)設(shè)備
        無(wú)線(xiàn)設(shè)備
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        無(wú)線(xiàn)設(shè)備一般指無(wú)線(xiàn)電通信設(shè)備艦艇上利用無(wú)線(xiàn)電波傳輸信息的設(shè)備。主要用于艦艇對(duì)外通信，是進(jìn)行遠(yuǎn)距離通信的唯一手段。由發(fā)信機(jī)、收信機(jī)、天線(xiàn)、饋線(xiàn)和相應(yīng)的終端設(shè)備構(gòu)成。
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        LoRa是一種線(xiàn)性調(diào)頻擴(kuò)頻調(diào)制技術(shù)，它的全稱(chēng)為遠(yuǎn)距離無(wú)線(xiàn)電（Long Range Radio），因其傳輸距離遠(yuǎn)、低功耗、組網(wǎng)靈活等諸多優(yōu)勢(shì)特性都與物聯(lián)網(wǎng)碎片化、低成本、大連接的需求不謀而合，故而被廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)各個(gè)垂直行業(yè)中。
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        　　超外差接收機(jī)是利用本地產(chǎn)生的振蕩波與輸入信號(hào)混頻，將輸入信號(hào)頻率變換為某個(gè)預(yù)先確定的頻率的方法。
      • 藍(lán)牙m(xù)esh
        藍(lán)牙m(xù)esh
        +關(guān)注
        藍(lán)牙Mesh是基于ble廣播進(jìn)行消息傳遞的一種藍(lán)牙組網(wǎng)通訊網(wǎng)絡(luò)，是一種采用網(wǎng)絡(luò)洪泛的方式無(wú)中心、無(wú)路由的對(duì)等網(wǎng)絡(luò)。以實(shí)現(xiàn)藍(lán)牙設(shè)備與藍(lán)牙設(shè)備之間的多對(duì)多通訊，使藍(lán)牙在物聯(lián)網(wǎng)智能家居領(lǐng)域具有很大的優(yōu)勢(shì)。
      • 藍(lán)牙4.2
        藍(lán)牙4.2
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