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驅(qū)動電流分檔功能?是指通過配置不同的分壓電阻值來調(diào)節(jié)驅(qū)動電流的檔位,從而優(yōu)化系統(tǒng)的EMI性能和效率。這種功能通常集成在電源管理芯片中,如電源管理芯片U8...
碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的柵極驅(qū)動器電源必須滿足這些寬帶隙半導(dǎo)體的獨(dú)特偏置要求。本文將討論在 SiC 和 GaN 應(yīng)用中設(shè)計(jì)柵極驅(qū)...
GaN技術(shù)可以提高雷達(dá)的性能和適用性,但也需要更多的測試和優(yōu)化,在雷達(dá)中的應(yīng)用有以下優(yōu)勢和劣勢: 優(yōu)勢: GaN提供更高的功率水平和更強(qiáng)的魯棒性,可以提...
作為用于高壽命藍(lán)色LD (半導(dǎo)體激光器)、高亮度藍(lán)色LED (發(fā)光二極管)、高特性電子器件的GaN單晶晶片,通過hvpe (氫化物氣相)生長法等進(jìn)行生長...
近年來,SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)等寬帶隙(WBG)功率半導(dǎo)體的開發(fā)和市場導(dǎo)入速度加快,但與硅相比成本較高的問題依然存在。
2023-06-15 標(biāo)簽:功率器件GaN功率半導(dǎo)體 1045 0
幾個(gè)氮化鎵GaN驅(qū)動器PCB設(shè)計(jì)必須掌握的要點(diǎn)
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器,能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵(以下簡稱“GaN”)功率開關(guān)。之前...
2023-04-03 標(biāo)簽:驅(qū)動器PCB設(shè)計(jì)氮化鎵 1038 0
通常GaN Hemt驅(qū)動存在2個(gè)難題:驅(qū)動電壓低,容易誤啟動;柵極耐電壓低,柵極容易損耗,因此需要專門的驅(qū)動器,不僅增加了設(shè)計(jì)復(fù)雜度,也額外增加了系統(tǒng)成本。
在建模實(shí)驗(yàn)中,imec 的研究人員比較了140GHz工作頻率下三種不同功率放大器實(shí)現(xiàn)的性能:全 CMOS 實(shí)現(xiàn)、帶有 SiGe 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管 (HB...
氮化鎵能實(shí)現(xiàn)多強(qiáng)大的性能
氮化鎵(GaN)是電力電子行業(yè)的一個(gè)熱門話題,因?yàn)樗梢詫?shí)現(xiàn)80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動汽車(EV)車載充電器和電動汽車(EV)充電站等設(shè)計(jì)...
使用 GaN 器件可以減小外置醫(yī)用 AC/DC 電源的體積
作者:Bill Schweber 投稿人:DigiKey 北美編輯 盡管電池技術(shù)和低功耗電路不斷取得進(jìn)步,但對于許多應(yīng)用來說,完全不依賴純電池設(shè)計(jì)可能是...
新型隔離式Σ-Δ調(diào)制器如何提高和增強(qiáng)系統(tǒng)電流測量精度
最新的隔離式調(diào)制器通過優(yōu)化內(nèi)部模擬設(shè)計(jì)和使用最新斬波技術(shù)來改善失調(diào)和增益誤差相關(guān)的性能,這極大地簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)并減少了校準(zhǔn)時(shí)間。最新ADuM770x器件...
氮化鎵(GaN),作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,近年來在電子領(lǐng)域大放異彩,其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢...
車規(guī)級功率器件可靠性測試難點(diǎn)及應(yīng)用場景
車規(guī)級功率器件未來發(fā)展趨勢 材料方面: SiC和GaN是必然趨勢,GaAs在細(xì)分領(lǐng)域有可能 ●封裝方面:高功率密度、高可靠性和定制化 ●評測方面:...
幾個(gè)氮化鎵GaN驅(qū)動器PCB設(shè)計(jì)必須掌握的要點(diǎn)
本設(shè)計(jì)文檔其余部分引用的布線示例將使用含有源極開爾文連接引腳的 GaNFET 封裝。 VDD 電容 VDD 引腳應(yīng)有兩個(gè)盡可能靠近 VDD 引腳放置的陶...
適用于高達(dá)220W的USB PD 3.1 適配器的新型高壓GaN解決方案
擴(kuò)大新型 InnoSwitch4-CZ 和 ClampZero IC 的功率范圍,使充電器/適配器設(shè)計(jì)人員能夠輕松超過 23 W/in。3用于單輸出或多...
對于 GaN,中文名氮化鎵,我們實(shí)在是聽得太多了。 這要從近兩年充電器上的瘋狂內(nèi)卷開始說起。好像從某個(gè)時(shí)間點(diǎn)開始,一夜之間,GaN 就如雨后春筍般...
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