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幾個(gè)氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器PCB設(shè)計(jì)必須掌握的要點(diǎn)
本設(shè)計(jì)文檔其余部分引用的布線示例將使用含有源極開(kāi)爾文連接引腳的 GaNFET 封裝。 VDD 電容 VDD 引腳應(yīng)有兩個(gè)盡可能靠近 VDD 引腳放置的陶...
2023-02-27 標(biāo)簽:PCB驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 1011 0
四十年來(lái),隨著功率 MOSFET 結(jié)構(gòu)、技術(shù)和電路拓?fù)涞膭?chuàng)新與不斷增長(zhǎng)的電力需求保持同步,電源管理效率和成本穩(wěn)步提高。然而,在新千年中,隨著硅功率 MO...
對(duì)于 GaN,中文名氮化鎵,我們實(shí)在是聽(tīng)得太多了。 這要從近兩年充電器上的瘋狂內(nèi)卷開(kāi)始說(shuō)起。好像從某個(gè)時(shí)間點(diǎn)開(kāi)始,一夜之間,GaN 就如雨后春筍般...
為什么熱管理是5G設(shè)計(jì)中的熱門(mén)話題
5G 技術(shù)有望提供延遲小于 1 毫秒的無(wú)線通信、100 倍的網(wǎng)絡(luò)能效提升以及高達(dá)每秒 20 吉比特 (Gbit/s) 的數(shù)據(jù)速率。
【泰克電源設(shè)計(jì)與測(cè)試】致工程師系列之三:高效GaN電源設(shè)計(jì)八部曲,泰克系列視頻課堂實(shí)操秘籍
由于可以在較高頻率、電壓和溫度下工作且功率損耗較低,寬禁帶半導(dǎo)體(SiC 和 GaN)現(xiàn)在配合傳統(tǒng)硅一同用于汽車(chē)和 RF 通信等嚴(yán)苛應(yīng)用中。
使用 GaN 器件縮小外部醫(yī)療 AC/DC 電源的尺寸
作者:Bill Schweber 投稿人:DigiKey 北美編輯 盡管電池技術(shù)和低功耗電路取得了進(jìn)步,但醫(yī)療系統(tǒng)是完全不受束縛的純電池設(shè)計(jì)可能不可行、...
全球汽車(chē)制造商致力于通過(guò)解決消費(fèi)者對(duì)行駛里程、充電時(shí)間和可負(fù)擔(dān)性等主要問(wèn)題來(lái)加速電動(dòng)汽車(chē)的采用,因此要求增加電池容量和更快的充電能力,而尺寸、重量或組件...
2022-10-20 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)tiGaN 991 0
硅襯底GaN材料在中低功率的高頻HEMT和LED專(zhuān)業(yè)照明領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)規(guī)模商用?;诠枰r底GaN材料的Micro LED微顯技術(shù)和低功率PA正在進(jìn)行工程化...
氮化鎵(GaN)是一種第三代半導(dǎo)體材料,與硅相比,它的禁帶寬度、擊穿場(chǎng)強(qiáng)、電子飽和速度都大大優(yōu)于硅,尤其在高頻和高速開(kāi)關(guān)狀態(tài)下。由于其出色的電子移動(dòng)性、...
如何改進(jìn)GaN-on-Si技術(shù)的射頻性能
年復(fù)一年,越來(lái)越多的用戶(hù)通過(guò)無(wú)線方式傳輸越來(lái)越多的數(shù)據(jù)。為了跟上這一趨勢(shì)并使數(shù)據(jù)傳輸更快、更高效,第五代移動(dòng)通信 (5G) 正在推出,業(yè)界已經(jīng)在關(guān)注未來(lái)...
2023-07-06 標(biāo)簽:射頻接收器移動(dòng)通信 978 0
測(cè)量基于GaN的電源中的交叉?zhèn)鲗?dǎo)
這種測(cè)量交叉?zhèn)鲗?dǎo)的簡(jiǎn)單且經(jīng)濟(jì)高效的方法利用了GaN 晶體管的獨(dú)特特性。
UCG28826 中文數(shù)據(jù)手冊(cè) 具有集成式 GaN (65W) 的自偏置高頻 QR 反激式轉(zhuǎn)換器
UCG28826 是一款高頻準(zhǔn)諧振反激式轉(zhuǎn)換器,內(nèi)置 170mΩ GaN 高電子遷移率晶體管(HEMT),可將交流電轉(zhuǎn)換為直流電,適用于高達(dá) 65W的電...
2025-01-21 標(biāo)簽:反激式轉(zhuǎn)換器GaN 975 0
GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例總結(jié) 本文檔基于GaN HEMT的實(shí)測(cè)特性描述了當(dāng)前版本的模型。該模型專(zhuān)為與PSpice和LTspice配...
還在為用氮化鎵設(shè)計(jì)高壓電源犯難?試試這兩個(gè)器件
面對(duì)社會(huì)和監(jiān)管要求,電源效率一直是電子系統(tǒng)的優(yōu)先事項(xiàng)。特別是對(duì)于從電動(dòng)汽車(chē) (EV) 到高壓通信和工業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施的應(yīng)用,電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度是設(shè)計(jì)成功的關(guān)鍵。
準(zhǔn)諧振芯片廣泛應(yīng)用于便攜式設(shè)備、快充產(chǎn)品、USB-PD充電器等領(lǐng)域,特別是在高功率密度、低功耗的設(shè)計(jì)中表現(xiàn)出色?。許多準(zhǔn)諧振芯片集成了驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路...
安森美GaN功率器件iGaN NCP5892x系列更簡(jiǎn)單容易
GaN功率器件的應(yīng)用在消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品電源近年相當(dāng)普及,大大提升了電源的效率和功率密度,其優(yōu)點(diǎn)和用量遞增,也逐漸延伸到服務(wù)器和工業(yè)電源領(lǐng)域。? 安森美(ons...
2024-07-23 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器安森美功率器件 955 0
寬帶隙技術(shù)能極大提高高壓 LED 照明的效率和功率密度
作者:得捷電子 事實(shí)證明,高壓 LED 照明可以有效地取代高強(qiáng)度放電 (HID) 照明等先前技術(shù)。隨著高壓 LED照明得到采用,許多制造商爭(zhēng)相生產(chǎn)并在各...
2023-10-03 標(biāo)簽:led二極管轉(zhuǎn)換器 954 0
用一個(gè)Hercules LaunchPad開(kāi)發(fā)套件控制GaN功率級(jí)
與LMG5200評(píng)估模塊 (EVM) 一同提供的還有一塊驅(qū)動(dòng)GaN集成電路 (IC) 的電路。你需要將其斷開(kāi),并且連接你的LaunchPad開(kāi)發(fā)套件。
氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器,能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“GaN”) 功率開(kāi)關(guān)。只...
2023-02-20 標(biāo)簽:pcb驅(qū)動(dòng)器晶體管 950 0
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