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標(biāo)簽 > gan
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基于InnoSwitch 3-EP的PowiGaN 開關(guān)是PI恒壓/恒流準(zhǔn)諧振離線反激式開關(guān)IC產(chǎn)品系列。它采用同步整流和FluxLink 磁感耦合技術(shù)...
本文我們將重點(diǎn)介紹第三代半導(dǎo)體中的碳化硅(SiC),與下文氮化鎵(GaN)的形式統(tǒng)一如何助力軌道交通完成“碳達(dá)峰”目標(biāo),并為大家推薦貿(mào)澤電子在售的領(lǐng)先的...
谷歌新作UFOGen:通過擴(kuò)散GAN實(shí)現(xiàn)大規(guī)模文本到圖像生成
擴(kuò)散模型和 GAN 的混合模型最早是英偉達(dá)的研究團(tuán)隊在 ICLR 2022 上提出的 DDGAN(《Tackling the Generative Le...
新一代PowiGaN技術(shù)在LED照明中的應(yīng)用解析
PI CEO Balu Balakrishnan在季報電話會議上所說:“基于GaN的InnoSwitch器件具有卓越的高效率,實(shí)現(xiàn)了硅開關(guān)無法達(dá)到的功率...
2019-10-08 標(biāo)簽:led照明led驅(qū)動器GaN 1138 0
過去兩年中,氮化鎵雖然發(fā)展迅速,但似乎已經(jīng)遇到了瓶頸。與此同時,不少垂直氮化鎵的初創(chuàng)企業(yè)倒閉或者賣盤,這引發(fā)大家對垂直氮化鎵未來的擔(dān)憂。為此,在本文中,...
氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,在上世紀(jì)90年代已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用,多年來氮化鎵已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn),被稱為第三代半導(dǎo)體,它具有更...
“TPY-X”雷達(dá)的分布式數(shù)字架構(gòu)設(shè)計方案
當(dāng)受到戰(zhàn)術(shù)機(jī)動性和極端操作環(huán)境的限制時,有效平衡性能、基本功率、重量、散熱和成本的解決方案。這款可旋轉(zhuǎn)有源電子掃描陣列(AESA)融合了氮化鎵(GaN)...
如何集成 GaN 功率級以實(shí)現(xiàn)高效的電池供電 BLDC 電機(jī)推進(jìn)系統(tǒng)
作者:Jens Wallmann 電池供電的應(yīng)用,如協(xié)作機(jī)器人 (cobot)、電動自行車、工業(yè)無人機(jī)和電動工具等,都需要體積小、重量輕、功能強(qiáng)大的電機(jī)...
絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)面市已有些時日,事實(shí)上,通用電氣(GE)早在1983年6月就發(fā)布了其首款I(lǐng)GBT產(chǎn)品。從那時起,IGBT成為了中壓和高壓(...
適用于自主駕駛車輛 LiDAR 的 GaN FET 快速指南
作者:Kenton Williston 激光探測及測距 (LiDAR) 的應(yīng)用包括自主駕駛車輛、無人機(jī)、倉庫自動化和精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)。在這些應(yīng)用中,大多都有人類...
GaN功率HEMT設(shè)計+GaN寬帶功率放大器設(shè)計
GaN功率HEMT設(shè)計+GaN寬帶功率放大器設(shè)計
鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸,其采用率正在迅速提高。但在投資這項技術(shù)之前,您可能仍然會好奇GaN 是否具...
48V電源系統(tǒng)中的GaN FET應(yīng)用
對于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應(yīng)用,現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來實(shí)現(xiàn)高頻和高效率設(shè)計。這在很大程度上是由于缺乏設(shè)計用...
第一代半導(dǎo)體材料以硅(Si)和鍺(Ge)為代表,它們?yōu)榘雽?dǎo)體行業(yè)奠定了堅實(shí)的基礎(chǔ)。隨著技術(shù)的發(fā)展,第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵(GaAs)和銻化銦(InSb...
SiC的耐高壓能力是硅的10倍,耐高溫能力是硅的2倍,高頻能力是硅的2倍。相同電氣參數(shù)產(chǎn)品,采用SiC材料可縮小體積50%,降低能量損耗80%。同樣,G...
作為當(dāng)下熱門的第三代半導(dǎo)體技術(shù),GaN在數(shù)據(jù)中心、光伏、儲能、電動汽車等市場都有著廣闊的應(yīng)用場景。和傳統(tǒng)的Si器件相比,GaN具有更高的開關(guān)頻率與更小的...
氮化鎵(GaN)功率IC在電機(jī)逆變器中的應(yīng)用: 優(yōu)勢、實(shí)際應(yīng)用案例、設(shè)計考量
介紹了氮化鎵(GaN)功率IC在電機(jī)逆變器中的應(yīng)用,對比傳統(tǒng)硅基解決方案,闡述了其優(yōu)勢、實(shí)際應(yīng)用案例、設(shè)計考量及結(jié)論。 *附件:Driving-Elec...
第三代半導(dǎo)體材料擁有硅材料無法比擬的材料性能優(yōu)勢,從決定器件性能的禁帶寬度、熱導(dǎo)率、擊穿電場等特性來看,第三代半導(dǎo)體均比硅材料優(yōu)秀,因此,第3代半導(dǎo)體的...
作為一種寬帶隙晶體管技術(shù),GaN正在創(chuàng)造一個令人興奮的機(jī)會,以實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)達(dá)到新的性能和效率。GaN的固有優(yōu)勢為工程師開啟了重新考慮功率密度的方法,...
2023-04-07 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器逆變器晶體管 1060 0
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