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基于GaN交錯(cuò)式臨界導(dǎo)通模式圖騰柱功率因數(shù)校正的新型數(shù)字控制策略
論文《A Novel Digital Control Strategy for GaN-based Interleaving CrM Totem-pol...
GaN直流設(shè)計(jì)相對(duì)于POL有何優(yōu)勢(shì)?
企業(yè)服務(wù)器、交換機(jī)、基站和存儲(chǔ)硬件設(shè)計(jì)師都在尋求在其主板上提高功率密度和效率。隨著主板上元件數(shù)量的增加和外形尺寸的減小,電源密度成為進(jìn)一步減小面積的限制...
集成驅(qū)動(dòng)器可減小解決方案尺寸,實(shí)現(xiàn)功率密集型系統(tǒng)。同時(shí),集成降壓/升壓轉(zhuǎn)換器意味著 LMG3522R030-Q1 可在 9V 至 18V 的非穩(wěn)壓電源下...
2023-02-06 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管氮化鎵GaN 860 0
技術(shù)文檔:LMG3626 650V 270mΩ GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)
LMG3626 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET,適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3626 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成...
SiC上的GaN的主要優(yōu)點(diǎn)是其導(dǎo)熱性優(yōu)勢(shì)。SiC上的GaN的導(dǎo)熱性是Si上的GaN的三倍,允許器件在更高的電壓和更高的功率密度下運(yùn)行。Palmour解釋...
相信大家都清楚,輕載或空載狀態(tài)下,開關(guān)損耗在轉(zhuǎn)換效率中占主導(dǎo)地位。所以為了降低待機(jī)功耗,大部分電源芯片都采取載輕降頻的控制方式。而芯片的控制方式可以說是...
GaN可靠性測(cè)試新突破:廣電計(jì)量推出高壓性能評(píng)估方案
氮化鎵(GaN),作為一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,憑借卓越的功率轉(zhuǎn)換效率、超快的開關(guān)速度以及出色的耐高溫性能,在5G通信、新能源汽車、數(shù)據(jù)中...
GAN的風(fēng)暴席卷了整個(gè)深度學(xué)習(xí)圈子,任何任務(wù)似乎套上GAN的殼子,立馬就變得高大上了起來。那么,GAN究竟是什么呢? **GAN的主要應(yīng)用目標(biāo):*...
2023-03-17 標(biāo)簽:GaN生成器深度學(xué)習(xí) 851 0
在汽車、工業(yè)和逆變器應(yīng)用中,對(duì)在更高輸出功率水平下提高效率的需求日益增長。而在電動(dòng)汽車 (EV) 領(lǐng)域,通過提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)效率和加快電池充電速度,此類優(yōu)化...
BiGaN開關(guān)在廣泛電源管理中的應(yīng)用
保護(hù)USB端口、為來自不同源的設(shè)備切換電路、以及高側(cè)負(fù)載開關(guān)免受浪涌影響,都依賴于雙向電壓阻斷和電流導(dǎo)通。到目前為止,設(shè)計(jì)人員只能使用兩個(gè)N型MOSFE...
高壓啟動(dòng)是電源芯片在工作中啟動(dòng)的一種方式,通常是在電源芯片啟動(dòng)時(shí)加入一個(gè)高壓信號(hào),使其能夠快速地進(jìn)入正常工作狀態(tài)。45W電源芯片U8765集成了高壓啟動(dòng)...
2024-12-12 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電路GaN電源芯片 844 0
5G還圍繞提供滿足帶寬、延遲和數(shù)據(jù)速度新要求的連接所需的技術(shù)和基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計(jì)帶來了新的思維。它不僅需要在宏觀層面實(shí)現(xiàn)致密化——這意味著更多的基站——還需要...
意法半導(dǎo)體VIPerGaN系列高壓GAN轉(zhuǎn)換器簡介
VIPERGAN50、VIPERGAN65和VIPERGAN100是意法半導(dǎo)體VIPerGaN系列中首款高壓GAN轉(zhuǎn)換器,可在寬范圍工作電壓(9 V至2...
2023-06-21 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器usb意法半導(dǎo)體 835 0
充電器,已經(jīng)成為每個(gè)人的生活必需品。充電器的結(jié)構(gòu)是否緊湊,能否提供更高的功率和更短的充電時(shí)間,對(duì)消費(fèi)電子企業(yè)和消費(fèi)者都非常重要,在這種背景下,讓氮化鎵已...
2022-11-09 標(biāo)簽:充電器GaN納微半導(dǎo)體
氮化鎵技術(shù)壁壘是什么,氮化鎵優(yōu)異特性介紹
達(dá)摩院指出,近年來第三代半導(dǎo)體的性價(jià)比優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn),正在打開應(yīng)用市場:SiC元件已用作汽車逆變器,GaN快速充電器也大量上市。
在GaN快充問世的前兩年,許多人還處在觀望狀態(tài),然而再經(jīng)過兩年之后,GaN在快充上的應(yīng)用已經(jīng)愈發(fā)成熟,并席卷快充市場。GaN等第三代半導(dǎo)體的出現(xiàn),為各相...
基于Cl2/BCl3電感偶聯(lián)等離子體的氮化鎵干蝕特性
氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu),直接帶隙約為3.4eV,目前已成為實(shí)現(xiàn)藍(lán)光發(fā)光二極管(led)的主導(dǎo)材料。由于GaN的高化學(xué)穩(wěn)定性,在室溫下用濕法化...
在高密度GaN優(yōu)化型PFC轉(zhuǎn)換器中解決交流壓降恢復(fù)問題
歡迎再次來到我們的技術(shù)專欄——模擬芯視界。在上一期中,我們介紹了 EMI(特別是輻射發(fā)射)的來源,以及一系列旨在減少模擬信號(hào)鏈的 EMI 的技術(shù),包括詳...
2024-07-08 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器德州儀器GaN 795 0
早期的氮化鎵(GaN)功率器件需要復(fù)雜、昂貴且頻率受限的外部電路,以及復(fù)雜的封裝來保護(hù)和控制脆弱的柵極,這嚴(yán)重限制了市場的采用。單片集成的GaN功率IC...
2024-07-30 標(biāo)簽:電子設(shè)計(jì)GaN功率IC 795 0
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