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      gan技術(shù)

      基于GaN交錯(cuò)式臨界導(dǎo)通模式圖騰柱功率因數(shù)校正的新型數(shù)字控制策略

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      論文《A Novel Digital Control Strategy for GaN-based Interleaving CrM Totem-pol...

      2025-04-23 標(biāo)簽：功率因數(shù)數(shù)字控制GaN 873 0

      GaN直流設(shè)計(jì)相對(duì)于POL有何優(yōu)勢(shì)？

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      2018-07-10 標(biāo)簽：ganpol 867 0

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      集成驅(qū)動(dòng)器可減小解決方案尺寸，實(shí)現(xiàn)功率密集型系統(tǒng)。同時(shí)，集成降壓/升壓轉(zhuǎn)換器意味著 LMG3522R030-Q1 可在 9V 至 18V 的非穩(wěn)壓電源下...

      2023-02-06 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管氮化鎵GaN 860 0

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      LMG3626 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3626 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成...

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      2023-05-24 標(biāo)簽：SiCGaN5G 857 0

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      GaN FET具有低端子電容，因而可快速切換。然而，當(dāng)GaN半橋在高di / dt條件下切換時(shí)，功率環(huán)電感在高壓總線和開關(guān)節(jié)點(diǎn)處引入振鈴/過沖。這限制了...

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