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gan技術

探討GAN背后的數(shù)學原理（上）

GAN的風暴席卷了整個深度學習圈子，任何任務似乎套上GAN的殼子，立馬就變得高大上了起來。那么，GAN究竟是什么呢？ **GAN的主要應用目標：*...

2023-03-17 標簽：GaN 生成器深度學習 641 0

技術資料#LMG2100R026 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵（GaN）功率級

LMG2100R026 器件是一款 93V 連續(xù)、100V 脈沖、53A 半橋功率級，集成了柵極驅(qū)動器和增強型氮化鎵（GaN） FET。該器件由兩個 ...

2025-02-21 標簽：FET 氮化鎵 GaN 639 0

利用用于多相偏置解決方案的 GMR10Dx 模塊優(yōu)化工業(yè)電機控制系統(tǒng)中的功率控制器

作者：Ganmar Technologies 2024-12-12 本文探討了開發(fā)可靠安全的多相功率控制器所面臨的設計挑戰(zhàn)和主要考慮因素。文中利用具有浮...

2025-01-25 標簽：驅(qū)動器 GaN 功率控制器 626 0

垂直與橫向GaN功率器件單片集成的高效隔離技術

垂直和橫向氮化鎵(GaN)器件的集成可以成為功率電子學領域的一次革命性進展。這種集成能夠使驅(qū)動和控制橫向GaN器件與垂直功率器件緊密相鄰。在本文中，我們...

2025-01-16 標簽：MOS 功率器件 GaN 613 0

適用于集成驅(qū)動器的三相1.25kW、200VAC 小型 GaN逆變器參考設計

此參考設計是一款三相逆變器，在 50°C 環(huán)境溫度下的連續(xù)額定功率為 1.25 kW，在 85°C 環(huán)境溫度下的連續(xù)額定功率為 550 W，用于驅(qū)動 2...

2025-02-25 標簽：伺服電機 FET 電源模塊 612 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢及應用

傳統(tǒng)的硅基功率器件在應對這一挑戰(zhàn)時，其性能已經(jīng)接近極限。碳化硅（SiC）功率器件的出現(xiàn)，為電力電子行業(yè)帶來了革新性的改變，成為了解決這一問題的關鍵所在。

2024-01-06 標簽：功率器件 SiC 氮化鎵 607 0

GaNPX?和PDFN封裝器件的焊接專業(yè)經(jīng)驗

介紹如何將GaN Systems的GaNPX? 和PDFN封裝下的E-HEMT器件焊接到PCB。

2025-03-13 標簽：GaN PCB焊接 607 0

一文讀懂全球碳化硅先驅(qū)GeneSiC

憑借領先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產(chǎn)品組合，納微半導體以雙擎驅(qū)動的姿態(tài)在電力電子能源轉(zhuǎn)換領域高歌前進。

2023-02-27 標簽：MOSFET SiC 氮化鎵 605 0

SiC 技術相對于 Si 具有不可否認的優(yōu)勢

在逆變器、電機驅(qū)動和充電器等應用中，碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、降低的冷卻需求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢。盡管SiC器件的成本高于硅器件，但...

2024-08-08 標簽：MTTF SiC GaN 604 0

Kyosemi Gan型紫外線傳感器產(chǎn)品概述

用于深紫外線傳感應用的GaN型紫外線傳感器。與Si型紫外線傳感器相比，新產(chǎn)品對UV-B和UV-C深紫外線具有更高的靈敏度。通過使用GaN,產(chǎn)品的...

2023-08-11 標簽：傳感器 GaN 紫外線傳感器 604 0

基于AC驅(qū)動的電容結構GaN LED模型開發(fā)和應用

隨著芯片尺寸減小，微小尺寸GaN 基 Micro LED 顯示面臨著顯示與驅(qū)動高密度集成的難題，傳統(tǒng)直流(DC)驅(qū)動技術會導致結溫上升，降低器件壽命。

2024-09-07 標簽：半導體電容 GaN 603 0

技術資料#LMG2610 用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半橋，具有集成驅(qū)動器、保護和電流感應功能

LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋，適用于開關模式電源應用中的 75W 有源鉗位反激式（ACF）轉(zhuǎn)換器<。該LMG2...

2025-02-24 標簽：FET GaN 柵極驅(qū)動器 601 0

技術資料#LMG3411R050 具有集成驅(qū)動器和逐周期過流保護的 600V 50mΩ GaN

LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅(qū)動器和保護功能，使設計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，L...

2025-02-25 標簽：電子系統(tǒng)PFC GaN 600 0

基于RC熱阻SPICE模型的GaNPX?和PDFN封裝的熱特性建模

GaN Systems提供RC熱阻模型，使客戶能夠使用SPICE進行詳細的熱模擬。模型基于有限元分析（FEA）熱模擬創(chuàng)建，并已由GaN Systems...

2025-03-11 標簽：RC GaN 熱仿真 599 0

技術資料#LMG3410R050 具有集成驅(qū)動器和保護功能的 600V 50mΩ GaN

LMG341xR050 GaN 功率級具有集成驅(qū)動器和保護功能，使設計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，L...

2025-02-26 標簽：MOSFET GaN 輸出電容 598 0

氮化鎵半導體設備

按晶圓尺寸計算，GaN半導體器件市場的6英寸及以上GaN晶圓部分預計在預測期內(nèi)將錄得更高的復合年增長率。此尺寸范圍的晶圓使制造商能夠提高生產(chǎn)力并在單個批...

2023-02-12 標簽：晶圓 GaN 半導體器件 597 0

TMS320F28P550SG C2000? 32 位 MCU技術手冊

TMS320F28P55x （F28P55x）是 C2000? 實時微控制器系列的成員，該系列可擴展、超低延遲器件旨在提高電力電子器件的效率，包括但不...

2025-04-14 標簽：微控制器 mcu PWM 596 0

PMP40988：可變頻率、ZVS、5kW、基于 GaN 的兩相圖騰柱PFC參考設計

此參考設計是一種高密度、高效率的 5kW 圖騰柱功率因數(shù)校正（PFC）設計。該設計使用兩相圖騰柱 PFC，以可變頻率和零電壓開關（ZVS）運行。...

2025-02-24 標簽：控制器功率因數(shù)PFC 592 0

GaN高功率整流器的設計氮化鎵整流器的電氣特性

報告內(nèi)容包含：動機理論計算氮化鎵材料參數(shù) 固有載流子濃度擊穿電壓 (VB) 通態(tài)電阻 (RON)

2022-11-17 標簽：整流器氮化鎵 GaN 589 0

目前GaN正逐漸廣泛應用的四個主要中電壓領域

這篇技術文章由德州儀器（TEXAS INSTRUMENTS）的 Srijan Ashok 撰寫，主要介紹了中電壓氮化鎵（GaN）在四種應用領域的優(yōu)勢和應...

2025-02-14 標簽：氮化鎵 GaN 587 0

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藍牙5是藍牙技術聯(lián)盟于2016年6月16日發(fā)布的新一代藍牙標準。藍牙5比原來擁有更快的傳輸速度，更遠的傳輸距離。藍牙5.0的開發(fā)人員稱，新版本的藍牙傳輸速度上限為24Mbps，是之前4.2LE版本的兩倍。藍牙5.0的另外一個重要改進是，它的有效距離是上一版本的4倍，理論上，藍牙發(fā)射和接收設備之間的有效工作距離可達300米。
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